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1. 发明授权

KR101946005B1 그래핀 소자 및 그 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101946005B1
公开(公告)日：2019-02-08
申请号：KR1020120007797
申请日：2012-01-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이창승 , 이주호 , 김용성 , 문창렬
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/786

2. 发明授权

KR101920718B1 그래핀 소자 제조 장치 및 이를 이용한 그래핀 소자 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101920718B1
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：KR1020120082239
申请日：2012-07-27
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이주호 , 정용석 , 김용성 , 이창승 , 문창렬
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66045 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/05 , C01B32/186 , C25B1/00 , C25B9/00 , C25D17/00 , C25F5/00 , C25F7/00
摘要： 개시된그래핀소자제조장치는전극; 기판과, 상기기판상에형성된금속촉매층과, 상기금속촉매층상에형성된그래핀층과상기그래핀층위에형성된보호층을포함하는그래핀구조체; 상기전극과상기금속촉매층간에전압을인가하는전원부; 상기전극과상기그래핀구조체를수용하는수조; 상기수조를채우는전해질;을포함한다.

3. 发明授权

KR101919426B1 그래핀 전자 소자 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101919426B1
公开(公告)日：2018-11-19
申请号：KR1020130002223
申请日：2013-01-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김용성 , 이창승 , 이주호
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66477 , B82Y10/00 , H01L21/28273 , H01L21/28291 , H01L21/6835 , H01L27/11521 , H01L27/1159 , H01L29/1606 , H01L29/41775 , H01L29/42328 , H01L29/66045 , H01L29/778 , H01L29/78391 , H01L29/7881 , H01L2221/68359 , H01L2221/68381
摘要： 그래핀전자소자및 그제조방법에관해개시된다. 개시된그래핀전자소자는그래핀층상에제 1게이트구조체및 제 2게이트구조체를포함하며, 하나의소자내에그래핀트랜지스터및 그래핀다이오드의특성을모두포함하는스위칭소자및메모리소자를구현할수 있다.

4. 发明公开

KR1020170028098A 그래핀 나노-메쉬 제조방법 审中-实审
标题翻译： - 制造石墨烯纳米网的方法
公开(公告)号：KR1020170028098A
公开(公告)日：2017-03-13
申请号：KR1020150124949
申请日：2015-09-03
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이주호 , 김용성 , 이창승
IPC分类号： C01B31/04 , C01B33/12 , C01F7/02 , C01G9/02 , C01G23/047 , C01G27/02 , H01G11/84
CPC分类号： H01G11/86 , H01G11/26 , H01G11/36 , H01G11/46 , H01G11/70 , Y02E60/13
摘要： 그래핀층에존재하는결함부분에산화물층을선택적으로성장시킨후, 산화물층을식각제거하여형성되는그래핀나노-메쉬의제조방법이개시된다. 개시된그래핀나노-메쉬의제조방법은촉매층상에그래핀층을형성하는단계, 상기그래핀층의결함부분(defect site)에산화물층을형성하는단계, 상기산화물층을식각제거하여, 다수의개구들을갖는그래핀나노-메쉬를형성하는단계, 및상기촉매층을제거한후, 상기그래핀나노-메쉬를기판상에전사하는단계를포함한다.
摘要翻译：示例性实施例涉及通过选择性地生长石墨烯层的缺陷部位上的氧化物层并蚀刻氧化物层以形成石墨烯纳米网来制造石墨烯纳米网的方法。该方法包括在催化剂层上形成石墨烯层，在石墨烯层的缺陷部位形成氧化层，通过蚀刻氧化层形成包括多个开口的石墨烯纳米网，并且在除去催化剂层之后转移，石墨烯纳米网到基底上。

5. 发明公开

KR1020160084162A 유기 광전 소자 및 이미지 센서 审中-实审
标题翻译：有机光电器件和图像传感器
公开(公告)号：KR1020160084162A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：KR1020150000725
申请日：2015-01-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 사토류이치 , 김규식 , 양우영 , 김연희 , 박용영 , 선우문욱 , 이창승 , 진용완
IPC分类号： H01L51/44 , H01L27/146
CPC分类号： H01L27/307 , H01L51/107 , H01L2251/303 , H01L51/447 , H01L27/14665 , H01L51/442
摘要： 광이입사하는측에위치하는제1 투광전극, 상기제1 투광전극과마주보는제2 투광전극, 상기제1 투광전극과제2 투광전극사이에위치하는활성층, 및상기제1 투광전극상부에위치하는자외선차단층을포함하며, 상기자외선차단층은 380 nm 이하광의투과율이 75% 이하인 1종이상의금속산화물을포함하는유기광전소자, 및상기유기광전소자를포함하는이미지센서를제공한다.
摘要翻译：提供了使用有机光电装置的有机光电装置和图像传感器。有机光电装置包括位于光入射侧的第一透光电极，与第一透光电极相对的第二透光电极，位于第一透光电极与第二透光电极之间的有源层以及位于第一透光电极的上部的紫外线阻挡层。紫外线阻挡层包括光的透射率等于或大于380nm的至少一种金属氧化物为75％以下。

6. 发明公开

KR1020160056776A 나노구조체, 그 제조방법 및 이를 포함하는 패널유닛 审中-实审
标题翻译：纳米结构，其制备方法和包括其的面板单元
公开(公告)号：KR1020160056776A
公开(公告)日：2016-05-20
申请号：KR1020150103875
申请日：2015-07-22
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 조은형 , 송인용 , 이창승 , 곽찬 , 김재관 , 이주호 , 황진영
IPC分类号： B82B1/00 , B82B3/00 , H01B1/20 , B82Y40/00
摘要： 도전성영역(conductive region) 및비도전성영역(nonconductive region)을포함하며, 상기도전성영역은적어도하나의제1나노와이어를함유하며, 상기비도전성영역은부분적으로끊어진적어도하나의제2나노와어어를포함하는나노구조체, 그제조방법및 상기나노구조체를포함하는패널유닛을제시한다.
摘要翻译：提供包括导电区域和非导电区域的纳米结构，其制造方法和包括纳米结构的面板单元。导电区域包括至少一个第一纳米线，并且非导电区域包括部分断开的至少一个第二纳米线。

7. 发明授权

KR101615636B1 트랜지스터 및 상기 트랜지스터를 포함한 전자 장치 有权
标题翻译：晶体管和包括晶体管的电子器件
公开(公告)号：KR101615636B1
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：KR1020090121407
申请日：2009-12-08
申请人： 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
发明人： 이재철 , 이창승 , 오세정 , 베나야드아나스 , 정재관 , 이은하 , 김상욱
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/136
CPC分类号： H01L29/78606 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要： 트랜지스터및 상기트랜지스터를포함한전자장치가개시된다. 상기트랜지스터는불소계물질을포함하는채널층-보호영역을포함한다.

8. 发明授权

KR100908115B1 다공성 매체를 통한 잉크 공급 구조를 가진 잉크젯프린트헤드 및 그 제조방법 有权
标题翻译： 다공성매체를통한잉크공급구조를가진잉크젯프린트헤드및그제조방
公开(公告)号：KR100908115B1
公开(公告)日：2009-07-16
申请号：KR1020020065186
申请日：2002-10-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김민수 , 슈파코프스키니콜라이 , 오용수 , 국건 , 신승주 , 신수호 , 이창승 , 이유섭
IPC分类号： B41J2/235
摘要： PURPOSE: An ink jet print head and a method for feeding ink through a poly-hole medium are provided to efficiently control impedance of ink and to filter microscopic particles or impurities by feeding ink through the porous medium. CONSTITUTION: An ink jet print head having a structure for providing ink through a porous medium includes an ink chamber formed on a surface of a substrate(110) of the ink jet print head, and a manifold(136) formed on the rear side of the substrate(110). The manifold(136) allows ink to be fed onto an object from the ink chamber. The porous medium is used for the substrate(110). The porous medium includes a porous silicon substrate. Microscopic particles or impurities having a micro size are filtered through the porous medium.
摘要翻译：目的：提供一种喷墨打印头和通过多孔介质供给墨水的方法，以有效地控制墨水的阻抗并通过将墨水通过多孔介质供给来过滤微观颗粒或杂质。一种具有用于通过多孔介质提供墨水的结构的喷墨打印头，包括形成在喷墨打印头的基板（110）的表面上的墨室和形成在喷墨打印头的基板（110）的后侧上的歧管（136）衬底（110）。歧管（136）允许墨水从墨水室供应到物体上。多孔介质用于基底（110）。多孔介质包括多孔硅衬底。具有微米尺寸的微观颗粒或杂质通过多孔介质过滤。

9. 发明公开

KR1020080081751A 디스플레용 박막 트랜지스터의 제조 방법 无效
标题翻译：用于显示的薄膜晶体管的制造方法
公开(公告)号：KR1020080081751A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：KR1020070022205
申请日：2007-03-06
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김준성 , 황억채 , 이창승 , 배기덕
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L51/0017 , H01L51/0545
摘要： A method of manufacturing a thin film transistor for a display device is provided to prevent cations from being accumulated in a channel region by removing a negative bias applied by an RF(Radio Frequency) generator. A gate layer(32) is formed on a substrate(31). An insulation layer(33) is formed on the substrate and the gate layer. A source(34a) and a drain(34b) are formed on the insulation layer. Active materials are applied on the insulation layer, the source, and the drain. The active material is etched by using an ICP-RIE(Inductively Coupled Plasma-Reactive Ion Etching) process, such that an active layer(35) is formed. The substrate is mounted on a substrate mounting unit inside an etching chamber. Plasma is generated in the etching chamber by using an RF generator. A pulse generator is connected to the RF generator and a negative bias is periodically removed from the RF generator.
摘要翻译：提供制造用于显示装置的薄膜晶体管的方法，以通过消除由RF（射频）发生器施加的负偏压来防止阳离子积聚在沟道区中。在基板（31）上形成栅极层（32）。在衬底和栅极层上形成绝缘层（33）。源极（34a）和漏极（34b）形成在绝缘层上。活性材料应用于绝缘层，源极和漏极。通过使用ICP-RIE（电感耦合等离子体 - 反应离子蚀刻）工艺来蚀刻活性材料，从而形成活性层（35）。衬底安装在蚀刻室内的衬底安装单元上。通过使用RF发生器在蚀刻室中产生等离子体。脉冲发生器连接到RF发生器，并且从RF发生器周期性地移除负偏压。

10. 发明授权

KR100785474B1 이미지 드럼의 제조장치 및 이를 이용한 제조방법 失效
标题翻译：图像鼓的制造装置及其制造方法
公开(公告)号：KR100785474B1
公开(公告)日：2007-12-13
申请号：KR1020050125203
申请日：2005-12-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 백계동 , 배기덕 , 문창렬 , 신규호 , 권순철 , 최원경 , 이창승
IPC分类号： G03G15/02
CPC分类号： G03G15/348 , G03G2217/0075 , Y10T29/49117 , Y10T29/49155
摘要： 인쇄장치에서 이미지 형성을 위해 토너를 선택적으로 흡착하는 이미지 드럼의 제조장치 및 이를 이용한 제조방법이 개시된다. 이미지 드럼의 제조방법은 중공의 원통형으로 형성되고 내면에 원주 방향으로 복수개의 성형 홈을 새긴 성형 몰드, 및 성형 몰드의 중공보다 작은 크기의 반경을 가지고 슬릿 형상의 결속 홈이 형성된 코어부를 제공하는 단계, 성형 몰드의 성형 홈에 도전성 물질을 채우는 단계, 각 단자에 전압을 독립적으로 인가하기 위한 제어 유닛을 코어부의 결속 홈에 도전성 물질에 대응하는 도전 패턴이 외부로 부분적으로 노출되도록 삽입하는 단계, 도전 패턴과 성형 홈의 도전성 물질이 각각 대응하도록 성형 몰드에 코어부를 삽입하는 단계 및 성형 몰드와 코어부 사이의 공간에 용융 플라스틱을 채워서 제어 유닛 및 도전성 물질과 일체를 이루는 드럼 몸체를 형성하는 단계를 구비한다. 드럼 몸체의 표면에 도전성 물질을 사출 성형하며, 제어 유닛을 수용하는 드럼 몸체가 인서트 사출을 통해서 형성되므로 종래에 일일이 링 전극을 새기고, 제어 유닛을 드럼 몸체에 고정시키는 공정을 극히 단순화시킬 수 있으며, 작업 공정도 보다 쉬우므로 제조 비용을 줄일 수 있다.
이미지 드럼, 제어 유닛, 제어 유닛 가이드

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