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1. 发明公开

KR1020160096495A 광전자 소자 및 이를 포함하는 이미지 센서와 전자 장치 审中-实审
标题翻译：光电装置和图像传感器以及包括其的电子装置
公开(公告)号：KR1020160096495A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：KR1020150018230
申请日：2015-02-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김성헌 , 윤동진 , 허성 , 김규식 , 사토류이치 , 박경수 , 이형익
IPC分类号： H01L27/146 , H01L27/148
CPC分类号： H01L31/022408 , H01L31/18 , H01L51/0046 , H01L51/0077 , H01L51/4253 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L27/146 , H01L27/148
摘要： 서로마주하는제1 전극과제2 전극; 상기제1 전극과제2 전극사이에위치하는광전변환층; 및상기광전변환층과상기제1 전극사이에위치하는제1 버퍼층, 상기광전변환층과상기제2 전극사이에위치하는제2 버퍼층및 이들의조합에서선택되는버퍼층을포함하고, 상기버퍼층은 MoO(2.58 ≤ x1
摘要翻译：提供一种光电子器件，其包括：彼此面对的第一和第二电极; 放置在第一和第二电极之间的光电转换层; 以及缓冲层，其从位于光电转换层和第一电极之间的第一缓冲层，位于光电转换层和第二电极之间的第二缓冲层及其组合中选择。缓冲层包括选自MoO_（x1）（2.58 <= x1 <3.0）的无机氧化物; ZnO_（x2）（1.0 <= x2 <2.0）; TiO_（x3）（1.5 <= x3 <2.0）; VO_（x4）（1.5 <= x4 <2.0）; TaO_（x5）（1.0 <= x5 <2.5）; WO_（x6）（2.0

2. 发明公开

KR1020150080850A 유기 광전 소자 및 이미지 센서 审中-实审
标题翻译：有机光电器件和图像传感器
公开(公告)号：KR1020150080850A
公开(公告)日：2015-07-10
申请号：KR1020140000365
申请日：2014-01-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김규식 , 사토류이치 , 박경배 , 허철준 , 진용완
IPC分类号： H01L51/44 , H01L51/05 , H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14645 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/14643 , H01L27/307 , H01L51/0068 , H01L51/4273 , H01L51/442 , H01L2251/305 , H01L2251/306 , H01L2251/308 , Y02E10/549
摘要： 제1 투광전극, 상기제1 투광전극의일면에위치하는활성층, 그리고상기활성층의일면에위치하는제2 투광전극을포함하고, 상기제1 투광전극과상기제2 투광전극은각각독립적으로인듐주석옥사이드(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 주석산화물(SnO), 알루미늄주석산화물(ATO), 알루미늄아연산화물(AZO) 및불소도핑된주석산화물(FTO) 중적어도하나를포함하는유기광전소자및 상기유기광전소자를포함하는이미지센서에관한것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种有机光电装置和包括有机光电装置的图像传感器，其中有机光电装置包括：第一透光电极; 设置在所述第一透光电极的一个表面上的有源层; 以及设置在有源层的一个表面上的第二透光电极，其中第一透光电极和第二透光电极中的每一个独立地包含氧化铟锡（ITO），氧化铟锌（IZO），锡氧化锡（SnO），氧化铝锡（ATO），氧化铝锌（AZO）和氟掺杂氧化锡（FTO）。

3. 发明公开

KR1020150123141A 이미지 센서 및 이를 포함하는 전자 장치 审中-实审
标题翻译：图像传感器和电子设备，包括它们
公开(公告)号：KR1020150123141A
公开(公告)日：2015-11-03
申请号：KR1020140167436
申请日：2014-11-27
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김규식 , 이홍석 , 사토류이치
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 가시광선전영역의광을감지하는제1 광감지소자, 청색파장영역의광을감지하는제2 광감지소자, 적색파장영역의광을감지하는제3 광감지소자, 그리고녹색파장영역의광을감지하는제4 광감지소자를포함하고, 상기제1 광감지소자, 상기제2 광감지소자, 상기제3 광감지소자및 상기제4 광감지소자중 적어도하나는서로마주하는한 쌍의투광전극들, 그리고상기투광전극들사이에위치하고유기흡광물질을포함하는광 활성층을포함하는이미지센서및 상기이미지센서를포함하는전자장치에관한것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种图像传感器和包括该图像传感器的电子设备。图像传感器包括感测整个可见光区域的光的第一感光元件，感测蓝色波长区域的光的第二感光元件，感测红色波长区域的光的第三感光元件和第四感光元件，感测绿色波长区域的光。第一感光元件，第二感光元件，第三感光元件和第四感光元件中的至少一个包括一对彼此面对的透光电极和位于透光电极之间的光活性层，并且包括有机光吸收材料。

4. 发明授权

KR102243553B1 유기 광전 소자 및 이미지 센서 有权
公开(公告)号：KR102243553B1
公开(公告)日：2021-04-22
申请号：KR1020140089914
申请日：2014-07-16
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박경배 , 사토류이치 , 이계황 , 이광희 , 임동석 , 진용완 , 야기타다오 , 허철준
IPC分类号： C09K11/06 , H01L51/50 , H01L27/146
摘要： 제1 전극, 상기제1 전극의일면에위치하고제1 p형반도체와제1 n형반도체가이종접합을형성하는흡광층, 상기흡광층의일면에위치하고상기흡광층보다작은반치폭을가지는제2 p형반도체또는제2 n형반도체를포함하는흡광보조층, 상기흡광보조층의일면에위치하는전하보조층, 그리고상기전하보조층의일면에위치하는제2 전극을포함하는유기광전소자및 이미지센서에관한것이다.

5. 发明公开

KR1020160094085A 3 차원 영상 획득 장치용 결상 광학계 및 이를 포함하는 3 차원 영상 획득 장치 审中-实审
标题翻译：用于3D图像获取装置的成像光学系统和包括成像光学系统的3D图像采集装置
公开(公告)号：KR1020160094085A
公开(公告)日：2016-08-09
申请号：KR1020150015218
申请日：2015-01-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김규식 , 박용화 , 사토류이치 , 유장우
IPC分类号： H04N13/02 , G02B27/22
CPC分类号： H04N13/239 , G01S7/4816 , G01S17/023 , G01S17/08 , G01S17/89 , H01L27/307 , H04N5/2256 , H04N5/2258 , H04N5/33 , H04N5/332 , H04N9/045 , H04N13/25 , H04N13/254 , H04N13/257 , H04N13/271 , H04N13/296 , G02B27/2207 , G02B27/2214 , G02B27/2221 , H04N13/246
摘要： 하나의공통대물렌즈, 상기대물렌즈에의해포커싱되는광 중가시광대역의광을감지하는제1 이미지센서, 및상기제1 이미지센서를투과한광 중적외선대역의광을감지하는제2 이미지센서를포함하는 3차원영상획득장치용결상광학계, 및상기 3차원영상획득장치용결상광학계를포함하는 3차원영상획득장치를제공한다.
摘要翻译：提供一种用于三维图像获取装置的图像光学系统和包括其的三维图像获取装置。用于三维图像获取装置的图像光学系统包括：第一公共物镜; 第一图像传感器，用于感测由物镜聚焦的光中的可见光带上的光; 以及第二图像传感器，用于感测光中的红外线光线上的光以穿透第一图像传感器。

6. 发明公开

KR1020160009404A 유기 광전 소자 및 이미지 센서 审中-实审
标题翻译：有机光电器件和图像传感器
公开(公告)号：KR1020160009404A
公开(公告)日：2016-01-26
申请号：KR1020140089914
申请日：2014-07-16
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박경배 , 사토류이치 , 이계황 , 이광희 , 임동석 , 진용완 , 야기타다오 , 허철준
IPC分类号： C09K11/06 , H01L51/50 , H01L27/146
CPC分类号： H01L27/307 , H01L25/167 , H01L27/30 , H01L27/302 , H01L33/06 , H01L51/0046 , H01L51/0068 , H01L51/008 , H01L51/0094 , H01L51/424 , H01L51/4246 , H01L51/4253 , H01L51/44 , H01L51/442 , H01L51/447 , Y02E10/549
摘要： 제1 전극, 상기제1 전극의일면에위치하고제1 p형반도체와제1 n형반도체가이종접합을형성하는흡광층, 상기흡광층의일면에위치하고상기흡광층보다작은반치폭을가지는제2 p형반도체또는제2 n형반도체를포함하는흡광보조층, 상기흡광보조층의일면에위치하는전하보조층, 그리고상기전하보조층의일면에위치하는제2 전극을포함하는유기광전소자및 이미지센서에관한것이다.
摘要翻译：本发明涉及有机光电装置和图像传感器。光电装置包括：第一电极; 放置在第一电极的一个表面上并由第一p型半导体和第一n型半导体形成异质结的光吸收层; 放置在所述光吸收层的一个表面上的吸光辅助层，并且包括第二p型半导体或具有比所述光吸收层的FWHM小的半高全宽（FWHM）的第二p型半导体或第二n型半导体光吸收层; 电荷辅助层，放置在吸光辅助层的一个表面上; 以及放置在电荷辅助层的一个表面上的第二电极。

7. 发明授权

KR102235442B1 스퍼터링 장치 및 방법 有权
公开(公告)号：KR102235442B1
公开(公告)日：2021-04-01
申请号：KR1020140080571
申请日：2014-06-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 사토류이치 , 김규식
IPC分类号： H01L21/203 , H01L21/02
摘要： 제1 타겟과제2 타겟을서로마주보도록배치하고, 기판을상기제1 타겟과제2 타겟사이의영역과마주하도록배치한상태에서, 상기제1 타겟과상기제2 타겟사이의영역과상기기판사이에포집망을배치하여, 상기제1 타겟과상기제2 타겟사이에플라스마를발생시켜스퍼터링을진행면서, 상기제1 타겟과상기제2 타겟사이의영역에서상기기판을향하여진행하는음이온및/또는전자를포집하여배출한다.

8. 发明授权

KR102141592B1 유기 광전 소자 및 이미지 센서 有权
公开(公告)号：KR102141592B1
公开(公告)日：2020-07-30
申请号：KR1020140000365
申请日：2014-01-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김규식 , 사토류이치 , 박경배 , 허철준 , 진용완
IPC分类号： H01L51/44 , H01L51/05 , H01L27/146

9. 发明授权

KR101863948B1 발광 소자 기판과 그 제조 방법, 면발광 소자, 조명 기구 및 백라이트 有权
公开(公告)号：KR101863948B1
公开(公告)日：2018-07-04
申请号：KR1020110135782
申请日：2011-12-15
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 사토류이치 , 야기타다오
IPC分类号： H01L51/50 , H05B33/02 , F21S2/00 , H05B33/10
摘要： 투명전극과, 유기박막층과, 음극이차례대로적층된면발광소자의기판으로서사용되는발광소자기판에서, 투명한지지기판과, 지지기판과투명전극과의사이에배치되어지지기판의굴절률이상의굴절률을가진 1 또는 2 이상의층으로이루어진고굴절률층을설치하고, 고굴절률층이, 투명전극쪽에서입사된광을산란시키는광산란부와, 투명전극과접한평탄면을갖는다.

10. 发明公开

KR1020170131193A 유기 광전 소자 및 이미지 센서 审中-实审
标题翻译：有机光电器件和图像传感器
公开(公告)号：KR1020170131193A
公开(公告)日：2017-11-29
申请号：KR1020160164329
申请日：2016-12-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 노탁균 , 박경배 , 사토류이치 , 진용완 , 허철준
IPC分类号： H01L27/30 , H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/00
CPC分类号： H01L51/447 , H01L27/307 , H01L51/0052 , H01L51/0053 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0062 , H01L51/0067 , H01L51/0072 , H01L51/4253 , H01L51/4273 , H01L51/442 , H01L51/448 , H01L51/5056 , Y02E10/549
摘要： 서로마주하는제1 전극과제2 전극, 상기제1 전극과상기제2 전극사이에위치하고 pn 접합을형성하는제1 흡광물질과제2 흡광물질을포함하는광전변환층, 그리고상기제1 전극과상기광전변환층사이에위치하고상기제1 흡광물질과 5.4 내지 5.8eV의 HOMO 에너지준위를가지는가시광비흡수물질을포함하는버퍼층을포함하는유기광전소자및 이를포함하는이미지센서에관한것이다.
摘要翻译：第一电极任务，面向第一电极和面对第一电极的第二电极;第一光吸收物质任务，位于第一电极和第二电极之间以形成pn结;以及光电转换层，以及包括具有5.4至5.8eV的HOMO能级的第一光吸收材料和可见光非吸收材料的缓冲层以及包括该有机光电装置的图像传感器。

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