会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 5. 发明授权
    • 반도체 장치 제조 방법
    • KR102201092B1
    • 2021-01-11
    • KR1020140122856
    • 2014-09-16
    • 삼성전자주식회사
    • 이경우이우진김종삼유우경이영상허민
    • H01L21/336H01L21/306
    • 상부배선을형성하기위한트렌치공정에사용되는하드마스크를하부배선이손상되지않도록제거하여, 반도체소자의신뢰성및 성능을개선할수 있는반도체장치제조방법을제공하는것이다. 상기반도체장치제조방법은하부패턴을포함하는기판상에, 층간절연막및 제1 개구부를포함하는하드마스크패턴을순차적으로형성하고, 상기하드마스크패턴을이용하여, 상기층간절연막내에상기하부패턴을노출시키는트렌치를형성하고, 상기트렌치의측벽및 바닥면을따라서형성되는제1 부분과, 상기하드마스크패턴의상면을따라서형성되는제2 부분을포함하는라이너막을형성하고, 상기트렌치내에, 상기라이너막의제2 부분을노출시키는희생패턴을형성하고, 상기희생패턴을이용하여, 상기라이너막의제2 부분과, 상기하드마스크패턴을제거하고, 상기하드마스크패턴을제거한후, 상기희생패턴을제거하여상기라이너막의제1 부분을노출시키는것을포함한다.