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1. 发明公开

KR1020130076240A 질화된 게이트 절연층을 포함하는 반도체 소자 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：具有氮化物绝缘层的半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020130076240A
公开(公告)日：2013-07-08
申请号：KR1020110144751
申请日：2011-12-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박태서 , 최진혁 , 한상철 , 오정섭 , 이영동
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： C23C16/34 , C23C28/04 , H01L21/0214 , H01L21/02332 , H01L21/0234 , H01L21/28202 , H01L29/0657 , H01L29/42356 , H01L29/518 , H01L29/66621 , H01L29/4232
摘要： PURPOSE: A semiconductor device having a nitride gate insulating layer and a method for fabricating the same are provided to improve data retention capacity by reducing an equivalent oxide thickness (EOT). CONSTITUTION: A device isolation region (200) is formed on a substrate (100). A gate trench is formed on the substrate. A preliminary gate insulating layer is formed on an active region (300). A gate electrode material layer is formed on the preliminary gate insulating layer. A gate capping layer is formed on the gate electrode layer.
摘要翻译：目的：提供具有氮化物栅极绝缘层的半导体器件及其制造方法，以通过降低等效氧化物厚度（EOT）来提高数据保持能力。构成：在基板（100）上形成器件隔离区（200）。栅极沟槽形成在衬底上。在有源区（300）上形成预备栅极绝缘层。在初级栅极绝缘层上形成栅电极材料层。栅极覆盖层形成在栅电极层上。

2. 发明公开

KR1020130075359A 게이트 절연층의 형성 방법 审中-实审
标题翻译：形成绝缘层的方法
公开(公告)号：KR1020130075359A
公开(公告)日：2013-07-05
申请号：KR1020110143701
申请日：2011-12-27
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박태서 , 이영동 , 한상철 , 이건중 , 윤주병
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/316
CPC分类号： H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L21/02255 , H01L29/42356 , H01L29/4966 , H01L29/78
摘要： PURPOSE: A method for forming a gate insulation layer is provided to selectively form the gate insulation layer with a uniform thickness in a necessary area. CONSTITUTION: A field region (200) which defines an active region (300) is formed on a substrate (100). A gate structure (400) is formed on the field region and the active region. The gate structure includes a gate insulation layer (420), a gate barrier layer (430), a gate electrode layer (440), and a gate capping layer (450). The gate insulation layer is formed on the horizontal surface and vertical surface of the active region. An interlayer dielectric layer (710) is formed on the gate capping layer.
摘要翻译：目的：提供一种用于形成栅极绝缘层的方法，以在必要的区域中选择性地形成具有均匀厚度的栅极绝缘层。构成：限定有源区（300）的场区（200）形成在衬底（100）上。栅极结构（400）形成在场区域和有源区域上。栅极结构包括栅极绝缘层（420），栅极阻挡层（430），栅极电极层（440）和栅极覆盖层（450）。栅极绝缘层形成在有源区域的水平表面和垂直表面上。在栅极覆盖层上形成层间绝缘层（710）。

3. 发明公开

KR1020090041913A 진공챔버의 외기유입검출장치 및 이의 외기유입검출방법 无效
标题翻译：真空室的空气流入检测器和空气流量检测方法
公开(公告)号：KR1020090041913A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：KR1020070107692
申请日：2007-10-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 조형철 , 이영동 , 진경환 , 이형구 , 박종록 , 최희영
IPC分类号： H01L21/02
摘要： An air inflow detection device of a vacuum chamber and a method thereof are provided to detect an air inflow in a vacuum chamber although plasma is not generated in a vacuum room. An inflow detection room(210) of an air inflow detection chamber(200) is connected to a vacuum chamber(10). A reference gas and an air generate plasma in the air inflow detection room by a plasma source(300). An optical emission analyzer(250) is installed in one side of the air inflow detection chamber. The optical emission analyzer detects a light intensity having wavelength related to the reference gas and a light intensity having wavelength related to the air among lights generating the plasma. A control part(400) determines an air inflow by using the detected light intensity.
摘要翻译：提供真空室的空气流入检测装置及其方法，以便在真空室中不产生等离子体来检测真空室中的空气流入。空气流入检测室（200）的流入检测室（210）与真空室（10）连接。参考气体和空气通过等离子体源（300）在空气流入检测室中产生等离子体。光发射分析器（250）安装在空气流入检测室的一侧。光发射分析仪在产生等离子体的光中检测具有与参考气体相关的波长的光强度和具有与空气相关的波长的光强度。控制部件（400）通过使用检测到的光强度来确定空气流入。

4. 发明授权

KR100835355B1 플라즈마를 이용한 이온주입장치 失效
标题翻译：基于PLASMA的离子植入装置
公开(公告)号：KR100835355B1
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：KR1020060070037
申请日：2006-07-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이영동 , 유리톨마체프 , 블라디미르볼리네츠 , 바실리파쉬코프스키
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/321 , H01J37/32412
摘要： 본 발명을 플라즈마를 이용한 이온주입장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 플라즈마를 이용한 이온주입장치는 플라즈마가 형성되는 제1챔버와, 상기 제1챔버의 플라즈마가 내부로 확산될 수 있도록 유입구가 형성되며 플라즈마의 이온이 시료에 주입되는 제2챔버와, 상기 제2챔버에 안착되는 시료와 대향되는 위치에 접지되어 마련된 전도체를 포함하며, 상기 제1챔버는 상기 제2챔버어 상부 테두리측에 소정폭의 환형으로 형성되어 상호 연통되어 이루어지고, 상기 제1챔버가 환형으로 형성되므로 넓은 영역의 압력조건에서 안정적인 플라즈마 발생이 가능하며, 제2챔버 내부로 확산된 플라즈마는 낮은 전자온도와 적정한 플라즈마 밀도를 가지기 때문에 이온주입공정에 적합한 플라즈마를 제공할 수 있는 효과가
있고, 웨이퍼에서 방출되는 2차 전자의 대전에 기인한 플라즈마 이온의 스퍼터링에 의한 오염현상을 방지할 수 있다.

5. 发明授权

KR100689037B1 마이크로파 공명 플라즈마 발생장치 및 그것을 구비하는플라즈마 처리 시스템 有权
标题翻译：微波共振等离子体发生装置和等离子体处理系统
公开(公告)号：KR100689037B1
公开(公告)日：2007-03-08
申请号：KR1020050077941
申请日：2005-08-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이영동 , 코시이고르안토노비치 , 미사캰마미콘아라모비치 , 타타기쉬빌리메라브이바노비치
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/02
CPC分类号： H01J37/32229 , H01J37/32192
摘要： 반도체 기판 처리공정에 사용되는 마이크로파 공명 플라즈마 발생장치 및 그것을 구비하는 플라즈마 처리 시스템이 개시된다. 마이크로파 공명 플라즈마 발생장치는 마이크로파를 발생하는 안테나를 구비하는 마이크로파 발생부; 및 마이크로파 발생부에서 발생된 마이크로파 에너지를 이용하여 고에너지의 전자 및 광자를 생성하는 플라즈마 생성부를 포함하며; 플라즈마 생성부는 안테나에 인접하게 설치된 내부전극, 마이크로파 발생부와 연결되고, 내부전극보다 짧은 길이를 가지고 내부전극의 일부를 동축으로 에워싸는 외부전극, 및 내부전극과 외부전극 사이에 배치되고, 내부전극과 외부전극 사이를 절연하는 유전체관을 구비하는 동축 웨이브가이드를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, "동축 웨이브가이드의 절단전극"의 원리와 "랭뮤어 공명현상"을 이용하는 전자기파 흡수 및 전자가속 공명 메카니즘을 갖는 내부전극과 외부전극을 구비하는 간단한 구조의 동축 웨이브가이드를 사용하므로, 플라즈마를 효율적으로 발생시킬 수 있을 뿐 아니라, 구조가 간단해 지고, 제작코스트가 절감될 수 있다.

6. 发明公开

KR1020040079556A 박막 증착용 고밀도 플라즈마 장치 无效
标题翻译：用于沉积薄膜的高密度等离子体装置，以提高等离子体的均匀性
公开(公告)号：KR1020040079556A
公开(公告)日：2004-09-16
申请号：KR1020030014481
申请日：2003-03-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 신재광 , 박태상 , 이영동 , 허지현
IPC分类号： H01L21/205
摘要： PURPOSE: A high-density plasma apparatus for depositing a thin film is provided to enhance uniformity of plasma by preventing a charge-up phenomenon without reducing the gap-fill capacity. CONSTITUTION: A reaction chamber(40) includes a wafer stage(42) and an injector. A wafer is loaded into the wafer stage. The injector is installed at an upper part of the wafer stage in order to inject the source gas for forming plasma. An ICP unit and a CCP unit are installed around the reaction chamber in order to form the source gas plasma to an upper part of the wafer stage. The CCP unit includes an LF pulse generator(54) for applying LF pulses to a wafer stage and a VHF generator(52) for applying VHF or VHF pulses. The ICP unit is formed with a coil and an RF matching unit(50).
摘要翻译：目的：提供用于沉积薄膜的高密度等离子体装置，以通过防止充电现象而不降低间隙填充能力来提高等离子体的均匀性。构成：反应室（40）包括晶片台（42）和注射器。将晶片装载到晶片台中。喷射器安装在晶片台的上部，以便喷射用于形成等离子体的源气体。在反应室周围安装有ICP单元和CCP单元，以便将源气体等离子体形成到晶片台的上部。 CCP单元包括用于向晶片台施加LF脉冲的LF脉冲发生器（54）和用于施加VHF或VHF脉冲的VHF发生器（52）。 ICP单元形成有线圈和RF匹配单元（50）。

7. 发明公开

KR1020040033562A 사행 코일 안테나를 구비한 유도결합 플라즈마 발생장치 失效
标题翻译：具有SERPENTINE线圈天线的电感耦合等离子体发生器
公开(公告)号：KR1020040033562A
公开(公告)日：2004-04-28
申请号：KR1020020062701
申请日：2002-10-15
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이영동 , 톨마체프유리 , 김성구 , 신재광
IPC分类号： H05H1/48
CPC分类号： H01J37/321
摘要： PURPOSE: An inductively coupled plasma generator having a serpentine coil antenna is provided to enhance the uniformity of plasma, reduce the inductance of an antenna, and restrict a capacitive coupling effect by improving a structure of the inductively coupled plasma generator. CONSTITUTION: An inductively coupled plasma generator having a serpentine coil antenna includes a reaction chamber(110), an antenna(120), and an RF power supply(132). The inside of the reaction chamber(110) is in a state of vacuum. The antenna(120) is installed at an upper part of the reaction chamber. The antenna is used for ionizing reaction gases injected into the inside of the reaction chamber and generating plasma. The RF power supply(132) is connected to the antenna in order to supply the RF power to the antenna. The antenna is formed with a plurality of coils having different radiuses. One of the coils is formed with a serpentine coil, which is wound in zigzags along the circumferential direction.
摘要翻译：目的：提供一种具有蛇形线圈天线的电感耦合等离子体发生器，以提高等离子体的均匀性，降低天线的电感，并通过改进电感耦合等离子体发生器的结构来限制电容耦合效应。构成：具有蛇形线圈天线的电感耦合等离子体发生器包括反应室（110），天线（120）和RF电源（132）。反应室（110）的内部处于真空状态。天线（120）安装在反应室的上部。该天线用于将注入反应室内部的反应气体电离并产生等离子体。 RF电源（132）连接到天线，以便向天线提供RF功率。天线形成有具有不同半径的多个线圈。其中一个线圈形成有沿着圆周方向以锯齿形缠绕的蛇形线圈。

8. 发明授权

KR101854609B1 게이트 절연층의 형성 방법 有权
公开(公告)号：KR101854609B1
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：KR1020110143701
申请日：2011-12-27
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박태서 , 이영동 , 한상철 , 이건중 , 윤주병
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/316
CPC分类号： H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L21/02255 , H01L29/42356 , H01L29/4966 , H01L29/78
摘要： 기판내에활성영역을정의하는필드영역을형성하고, 상기기판내에상기활성영역및 상기필드영역을부분적으로노출하는게이트트렌치를형성하고, 상기게이트트렌치내에노출된상기활성영역의표면상에게이트절연층을형성하되, 상기게이트절연층을형성하는것은, 상기활성영역의표면을 1차산화시켜제1 게이트산화막을형성하고, 및상기활성영역의표면을 2차산화시켜상기활성영역의표면과상기제1 게이트산화막의사이에제2 게이트산화막을형성하는것을포함하고, 상기게이트절연층및 상기노출된필드영역상에금속을포함하는게이트배리어층을컨포멀하게형성하고, 상기게이트배리어층 상에금속을포함하는게이트전극층을형성하고, 및상기게이트트렌치내에상기게이트절연층, 상기게이트배리어층, 및상기게이트전극층과각각접촉하는게이트캡핑층을형성하는것을포함하는반도체소자의제조방법이제안된다.

9. 发明公开

KR1020070023396A 마이크로파 공명 플라즈마 발생장치 및 그것을 구비하는플라즈마 처리 시스템 有权
标题翻译：微波共振等离子体发生器和具有相同的等离子体处理系统
公开(公告)号：KR1020070023396A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：KR1020050077941
申请日：2005-08-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이영동 , 코시이고르안토노비치 , 미사캰마미콘아라모비치 , 타타기쉬빌리메라브이바노비치
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/02
CPC分类号： H01J37/32229 , H01J37/32192
摘要： 반도체 기판 처리공정에 사용되는 마이크로파 공명 플라즈마 발생장치 및 그것을 구비하는 플라즈마 처리 시스템이 개시된다. 마이크로파 공명 플라즈마 발생장치는 마이크로파를 발생하는 안테나를 구비하는 마이크로파 발생부; 및 마이크로파 발생부에서 발생된 마이크로파 에너지를 이용하여 고에너지의 전자 및 광자를 생성하는 플라즈마 생성부를 포함하며; 플라즈마 생성부는 안테나에 인접하게 설치된 내부전극, 마이크로파 발생부와 연결되고, 내부전극보다 짧은 길이를 가지고 내부전극의 일부를 동축으로 에워싸는 외부전극, 및 내부전극과 외부전극 사이에 배치되고, 내부전극과 외부전극 사이를 절연하는 유전체관을 구비하는 동축 웨이브가이드를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, "동축 웨이브가이드의 절단전극"의 원리와 "랭뮤어 공명현상"을 이용하는 전자기파 흡수 및 전자가속 공명 메카니즘을 갖는 내부전극과 외부전극을 구비하는 간단한 구조의 동축 웨이브가이드를 사용하므로, 플라즈마를 효율적으로 발생시킬 수 있을 뿐 아니라, 구조가 간단해 지고, 제작코스트가 절감될 수 있다.

10. 发明公开

KR1020060088274A 플라즈마 방전을 이용한 발광소자 失效
标题翻译：使用等离子体放电的发光装置
公开(公告)号：KR1020060088274A
公开(公告)日：2006-08-04
申请号：KR1020050009109
申请日：2005-02-01
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이영동 , 하타나카히데카주 , 손승현 , 신재광 , 김영모
IPC分类号： H01J11/40
CPC分类号： H01J11/40 , H01J11/12 , H01J11/28 , H01J11/38 , H01J61/54
摘要： 플라즈마를 이용한 발광소자가 개시된다. 개시된 플라즈마를 이용한 발광소자는, 일정한 간격으로 서로 대향되게 배치되어 그 사이에 플라즈마 방전이 일어나는 적어도 하나의 방전셀이 형성되는 하부패널 및 상부패널; 하부패널과 상부패널 중 적어도 하나의 패널에 방전셀마다 마련되는 한 쌍의 방전전극; 한 쌍의 방전전극 사이에 형성되어 방전셀의 일부를 이루는 트렌치; 및 트렌치의 측벽에 형성되는 전자방출 물질층;을 구비한다.

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