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1. 发明申请

WO2022181972A1 사용자 단말 장치 및 이를 포함하는 의류 처리 시스템 审中-公开
公开(公告)号：WO2022181972A1
公开(公告)日：2022-09-01
申请号：PCT/KR2022/000210
申请日：2022-01-06
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최승우 , 박해윤 , 이수연 , 이주슬 , 최용훈 , 김정남 , 박준호
IPC分类号： D06F34/05 , D06F34/34 , D06F34/18 , D06F34/32
摘要： 사용자 단말 장치가 개시된다. 본 사용자 단말 장치는 외부 장치와 통신하기 위한 통신 인터페이스 및 의류 정보가 입력되면 의류 정보를 서버로 전송하도록 통신 인터페이스를 제어하고, 통신 인터페이스를 통해 서버로부터 의류 정보에 기초하여 생성된 추천 코스 정보를 수신하고, 추천 코스 정보에 대한 편집 명령이 입력되면, 사용자 입력에 따라 추천 코스 정보를 편집하여 사용자 맞춤형 코스 정보를 생성하고, 사용자 맞춤형 코스 정보를 서버로 전송하도록 통신 인터페이스를 제어하는 프로세서를 포함하고, 프로세서는, 편집 명령에 따른 코스 이름 정보 및 코스 설명 정보를 포함하도록 사용자 맞춤형 코스 정보를 생성한다.

2. 发明授权

KR101908451B1 반도체 소자 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101908451B1
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：KR1020120059923
申请日：2012-06-04
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이수연 , 심상필 , 손동균 , 임세찬
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/092 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823864 , H01L29/66477 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/66628 , H01L29/66636 , H01L29/78 , H01L29/7848
摘要： 본발명에따른반도체소자는, 실리콘기판상에게이트절연막및 게이트전극을포함하는게이트구조물이구비된다. 상기게이트구조물양 측에는스페이서가구비된다. 상기스페이서양 측의실리콘기판부위에는상기게이트구조물의저면보다높은상부면을갖도록돌출된형상을갖고, 상기돌출된부위에는상기실리콘기판의평탄면에대해각도를갖는파세트를포함하여상기스페이서와의사이에패여진부위가생성되고, 불순물영역이포함되는실리콘게르마늄패턴이구비된다. 상기실리콘게르마늄패턴의파세트및 스페이서사이의패여진부위가유지되면서, 상기실리콘게르마늄패턴및 스페이서표면프로파일을따라블록킹절연막이구비된다. 상기블록킹절연막의일부상부면에구비되고, 상기실리콘게르마늄패턴및 스페이서사이의패여진부위를채우는형상을갖는절연윙 패턴이구비된다.

3. 发明公开

KR1020140122605A 입력 영상의 밝기 조절 장치 및 방법 审中-实审
标题翻译：用于调节输入图像亮度的方法和装置
公开(公告)号：KR1020140122605A
公开(公告)日：2014-10-20
申请号：KR1020130039508
申请日：2013-04-10
申请人： 삼성전자주식회사 , 울산과학기술원
发明人： 김연진 , 곽영신 , 박승란 , 이수연 , 한성욱
IPC分类号： H04N9/64 , G09G5/02
CPC分类号： H04N9/77
摘要： 입력 영상의 밝기 성분 및 채도 성분 중, 상기 입력 영상의 밝기 성분의 밝기 값에 대해 밝기 변환을 수행하는 단계와; 입력 영상의 채도 성분의 채도 값 및 밝기 성분의 밝기 값을 포함하는 입력 영상 정보와 상기 밝기 변환이 수행된 밝기 값에 기초하여, 상기 입력 영상의 채도 값을 보상하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 밝기 조절 방법 및 그 방법이 수행되는 장치가 개시된다.
摘要翻译：公开了一种用于控制亮度的方法和执行该亮度的装置。用于控制亮度的方法包括改变输入图像的亮度元素和色度元素之间的输入图像的亮度元素的亮度的步骤; 以及基于改变的亮度来补偿输入图像的色度的步骤。

4. 发明公开

KR1020130136250A 반도체 소자 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020130136250A
公开(公告)日：2013-12-12
申请号：KR1020120059923
申请日：2012-06-04
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이수연 , 심상필 , 손동균 , 임세찬
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/092 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823864 , H01L29/66477 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/66628 , H01L29/66636 , H01L29/78 , H01L29/7848
摘要： A semiconductor device according to the present invention has a gate structure including a gate insulating film and a gate electrode on a silicon substrate. The gate structure is equipped with spacers on both sides. The silicon substrate areas of both sides of the spacer have silicon germanium patterns which have: a protruding shape in order to have a top surface which is higher than the bottom surface of the gate structure; a furrowed part between the protruding part and the spacer by including a fossette having an angle about the flat surface of the silicon; and an impurity area. A blocking insulating film is arranged along the profile of the silicon germanium pattern and the spacer surface while maintaining the furrowed part between the fossette of the silicon germanium pattern and the spacer. An insulating wing pattern is mounted in the form of being arranged on the upper partial surface of the blocking insulating film and filling the furrowed part between the silicon germanium pattern and the spacer.
摘要翻译：根据本发明的半导体器件具有在硅衬底上包括栅绝缘膜和栅电极的栅极结构。门结构在两侧配有间隔件。间隔物的两侧的硅衬底区域具有硅锗图案，其具有突出形状，以具有高于栅极结构的底表面的顶表面; 通过包括围绕所述硅的平坦表面具有角度的花纹，在所述突出部分和所述间隔物之间的沟槽部分; 和杂质区域。沿着硅锗图案和间隔表面的轮廓布置阻挡绝缘膜，同时保持硅锗图案的凹槽与间隔物之间的沟槽部分。绝缘翼图案被安装在隔离绝缘膜的上部分表面上并填充硅锗图案和间隔物之间的沟槽部分的形式。

5. 发明公开

KR1020100058908A 3차원 반도체 메모리 장치 有权
标题翻译：三维半导体存储器件
公开(公告)号：KR1020100058908A
公开(公告)日：2010-06-04
申请号：KR1020080117493
申请日：2008-11-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 장영관 , 허성회 , 김진호 , 심선일 , 이수연 , 문희창
IPC分类号： H01L29/78 , H01L27/108
CPC分类号： H01L29/7827 , H01L27/11551 , H01L27/11556 , H01L27/11578 , H01L27/11582
摘要： PURPOSE: A three dimensional semiconductor memory device is provided to prevent the misalignment of a bit line contact by having an area of the top surface of a channel pad bigger than the area of the top surface of a vertical channel layer. CONSTITUTION: A word line(201~206) and a gate interlayer insulation film(211~216) are formed on a semiconductor substrate(100). A vertical channel layer(305) is expanded upward from the semiconductor substrate. A channel pad(340) is arranged on the topmost gate interlayer insulation film among the gate interlayer insulation films. The vertical channel layer and the channel pad comprise the same material.
摘要翻译：目的：提供一种三维半导体存储器件，以通过使沟道垫的顶表面的面积大于垂直沟道层的顶表面的面积来防止位线接触的未对准。构成：在半导体衬底（100）上形成字线（201〜206）和栅极层间绝缘膜（211〜216）。垂直沟道层（305）从半导体衬底向上扩展。在栅极层间绝缘膜中的最上层的栅极层间绝缘膜上配置沟道焊盘（340）。垂直沟道层和沟道垫包括相同的材料。

6. 发明公开

KR1020080054569A 유기 발광 표시 장치 无效
标题翻译：有机发光装置
公开(公告)号：KR1020080054569A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：KR1020060126963
申请日：2006-12-13
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이수연 , 추창웅
IPC分类号： H05B33/04
CPC分类号： H01L51/529 , H01L35/28 , H01L51/524
摘要： An organic light emitting display device is provided to efficiently radiate heat inside the device by forming a first metal film with low potential energy inside the device and a second metal film with high potential energy outside the device. A pixel electrode(191), an organic light emitting member(370), and a common electrode(270) are sequentially formed on an insulating substrate(110). A first metal film(71) is formed on the common electrode. A sealing member(60) covers the common electrode and the insulating substrate. A second metal film(72) is formed on the sealing member. The first metal film has lower potential energy than that of the second metal film. The first metal film is partially exposed outside the sealing member.
摘要翻译：提供有机发光显示装置，通过在器件内形成具有低势能的第一金属膜和在器件外部具有高势能的第二金属膜来有效地辐射器件内的热量。像素电极（191），有机发光部件（370）和公共电极（270）依次形成在绝缘基板（110）上。在公共电极上形成第一金属膜（71）。密封构件（60）覆盖公共电极和绝缘基板。第二金属膜（72）形成在密封构件上。第一金属膜具有比第二金属膜低的势能。第一金属膜部分地暴露在密封构件的外部。

7. 发明公开

KR1020080041919A 전계 발광소자 无效
标题翻译：现场光发射装置
公开(公告)号：KR1020080041919A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：KR1020060110136
申请日：2006-11-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최준호 , 추창웅 , 하재국 , 이정수 , 이수연 , 김성민
IPC分类号： H05B33/20
CPC分类号： H01L51/5088 , H01L27/3244 , H01L51/0008 , H01L51/5004
摘要： A field light emission device is provided to allow holes to be injected even at a low voltage by forming a first hole layer having an LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital) energy level lower than a work function of an anode on a surface of the anode. A field light emission device includes an anode(30), a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer(44), an electron transport layer, an electron injection layer, and a cathode(50). The anode is formed on a substrate(1). The hole injection layer is composed of a first hole injection layer of a low energy level and a second hole injection layer of a high energy level. The hole transport layer is formed on the hole injection layer. The light emitting layer is formed on the hole transport layer. The electro transport layer is formed on the light emitting layer and transports electrons. The electron injection layer is formed on the electron transport layer and injects the electrons. The cathode is formed on the electron injection layer. The first hole injection layer is deposited onto a surface of the anode.
摘要翻译：通过形成具有比阳极表面上的阳极的功函数低的LUMO（最低未占分子轨道）能级的第一空穴层，即使在低电压下也能够注入空穴。场致发射器件包括阳极（30），空穴注入层，空穴传输层，发光层（44），电子传输层，电子注入层和阴极（50）。阳极形成在基板（1）上。空穴注入层由低能级的第一空穴注入层和高能级的第二空穴注入层构成。空穴传输层形成在空穴注入层上。发光层形成在空穴传输层上。电传输层形成在发光层上并传输电子。电子注入层形成在电子传输层上并注入电子。阴极形成在电子注入层上。第一空穴注入层沉积在阳极的表面上。

8. 发明公开

KR1020080018557A 유기 발광 장치 无效
标题翻译：有机发光二极管装置
公开(公告)号：KR1020080018557A
公开(公告)日：2008-02-28
申请号：KR1020060080847
申请日：2006-08-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최준호 , 이정수 , 하재국 , 이수연 , 김성민
IPC分类号： H05B33/26
CPC分类号： H01L51/5265 , H01L51/504 , H01L51/5206 , H01L2251/558
摘要： An organic light emitting diode device is provided to emit deep blue light of high color purity without changing material of a blue light emitting layer by using a microcavity effect. An organic light emitting diode device(200) includes a first electrode(20), a second electrode(40), a first organic light emitting layer(30), a third electrode(70), and a second organic light emitting layer(60). The first electrode is made of transparent conductive material. The second electrode faces the first electrode and is made of translucent material to realize a microcavity effect together with the first electrode. The first organic light emitting layer is interposed between the first and second electrodes, includes a light emitting layer of first color, and emits light of the first color toward the second electrode by the microcavity effect. The third electrode faces the second electrode and is made of transparent material. The second organic light emitting layer is formed between the second and third electrodes and includes light emitting layers of second and third colors.
摘要翻译：提供了一种有机发光二极管装置，以通过使用微腔效应来改变蓝色发光层的材料而发出高色纯度的深蓝色光。有机发光二极管装置（200）包括第一电极（20），第二电极（40），第一有机发光层（30），第三电极（70）和第二有机发光层）。第一电极由透明导电材料制成。第二电极面对第一电极并由半透明材料制成，以与第一电极一起实现微腔效应。第一有机发光层介于第一和第二电极之间，包括第一颜色的发光层，并通过微腔效应向第二电极发射第一颜色的光。第三电极面对第二电极并且由透明材料制成。第二有机发光层形成在第二和第三电极之间，并且包括第二和第三颜色的发光层。

9. 发明授权

KR100663348B1 몰딩막 및 형성막 패턴 사이에 개재된 상전이막 패턴을갖는 피이. 램들 및 그 형성방법들. 有权
标题翻译：具有在成型层和成型层之间插入的相变层模式的模型及其形成方法
公开(公告)号：KR100663348B1
公开(公告)日：2007-01-02
申请号：KR1020040070089
申请日：2004-09-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 유경창 , 이수연 , 황영남 , 이세호
IPC分类号： H01L27/10
CPC分类号： H01L45/06 , H01L27/2436 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1666
摘要： 몰딩막 및 형성막 패턴 사이에 개재된 상전이막 패턴을 갖는 피이. 램들 및 그 형성방법들을 제공한다. 상기 피이. 램들 및 그 형성방법들은 축소된 디자인 룰에 대응해서 노드 도전막 패턴 및 하부 전극을 이어줄 수 있는 상전이막 패턴을 제시해준다. 이를 위해서, 반도체 기판의 상부의 평탄화 층간절연막에 노드 도전막 패턴이 배치된다. 상기 평탄화 층간절연막 및 노드 도전막 패턴을 차례로 덮는 몰딩막, 형성막 패턴 및 보호막을 형성한다. 상기 형성막 패턴은 몰딩막으로 둘러싸이도록 배치된다. 그리고, 상기 몰딩막 및 평탄화 층간절연막 사이에 개재되도록 하부 전극을 형성한다. 상기 보호막 상에 상부 전극을 형성한다. 상기 평탄화 층간절연막 상에 위치되어서 몰딩막 및 형성막 패턴 사이에 배치된 상전이막 패턴을 형성한다. 상기 상전이막 패턴 및 몰딩막 사이에 스페이서 패턴이 배치된다. 상기 하부 전극 상에 위치되어서 보호막 및 몰딩막에 배치된 접속 노드막 패턴을 형성한다. 이때에, 상기 접속 노드막 패턴은 상부 및 하부 전극들을 이어준다. 상기 상전이막 패턴은 노드 도전막 패턴 및 하부 전극과 접촉한다. 또한, 상기 하부 전극은 접속 노드막 패턴으로부터 노드 도전막 패턴을 향하여 돌출해서 형성막 패턴 아래에 배치된다.
상전이막 패턴, 하부 전극. 상부 전극.

10. 发明公开

KR1020060007224A 상변화 기억 소자 및 그 형성 방법 失效
标题翻译：相变存储器件及其相关方法
公开(公告)号：KR1020060007224A
公开(公告)日：2006-01-24
申请号：KR1020040056000
申请日：2004-07-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 송윤종 , 이세호 , 김기남 , 이수연 , 박재현
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L45/06 , G11C2213/52 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/141 , H01L45/1683 , Y10S438/90
摘要： 상변화 기억 소자 및 그 형성 방법을 제공한다. 이 소자는 기판 상에 배치된 몰드층, 가열 전극, 매립 절연 패턴 및 상변화 물질 패턴을 포함한다. 가열 전극은 몰드층을 관통하여 기판을 노출시키는 오프닝내에 배치된다. 가열 전극은 오프닝의 하부 내측벽에 콘포말하게 배치된 측벽을 갖는 실린더 형태이다. 매립 절연 패턴은 가열 전극의 측벽으로 둘러싸인 빈 영역을 채운다. 상변화 물질 패턴은 몰드층 상에 배치되며, 아래로 연장되어 오프닝의 비어 있는 부분을 채운다. 상변화 물질 패턴은 가열 전극의 측벽의 상부면과 접속한다.

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