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1. 发明公开

KR1020070025303A 드럼 세탁기 有权
标题翻译：鼓式洗衣机
公开(公告)号：KR1020070025303A
公开(公告)日：2007-03-08
申请号：KR1020050081311
申请日：2005-09-01
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최동현 , 허운구 , 이세형 , 최원석 , 강명순
IPC分类号： D06F37/28 , D06F39/14
CPC分类号： D06F37/266 , D06F39/10
摘要： A drum type washing machine is provided to improve the use environment of a user and reduce stench by preventing the impurities from being piled and the packing member from being contaminated/discolored. A drum type washing machine comprises a body formed with an inlet hole(11); a tub formed with an opening part(21); and a packing member(40) arranged to keep airtightness between the opening part of the tub and the inlet hole. The packing member is formed with a recess(44) easily removing impurities flowed in a curved part(41). The packing member contains an adhesion part(43) closely contacted with the door, and a sealing part(42) connected from the adhesion part to the opening part of the tub. The curved part is formed between the adhesion part and the sealing part. The recess is formed at the adhesion part.
摘要翻译：提供滚筒式洗衣机以改善使用者的使用环境，并通过防止杂质堆积和包装部件被污染/变色而减少臭味。滚筒式洗衣机包括形成有入口孔（11）的主体; 形成有开口部（21）的桶; 以及包装件（40），其布置成保持在所述桶的开口部和所述入口孔之间的气密性。包装部件形成有容易除去流入弯曲部分（41）中的杂质的凹部（44）。包装部件包括与门紧密接触的粘合部分（43）和从粘合部分连接到桶的开口部分的密封部分（42）。弯曲部分形成在粘合部分和密封部分之间。凹部形成在粘接部。

2. 发明公开

KR1020070017732A 드럼 세탁기 无效
标题翻译：鼓式洗衣机
公开(公告)号：KR1020070017732A
公开(公告)日：2007-02-13
申请号：KR1020050072297
申请日：2005-08-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최동현 , 허운구 , 이세형 , 최원석
IPC分类号： D06F37/04 , D06F39/08
CPC分类号： D06F37/04
摘要： 본 발명은 드럼 내에 직접 급수하여 세탁에 소비되는 세탁수를 절약하도록 하고, 세탁 행정 시에 세탁수가 유출되는 일 없이 탈수 행정 시에만 세탁수가 원활히 배수될 수 있도록 한 드럼 세탁기를 개시한다. 이를 위해 본 발명은 드럼이 특정 회전 속도 이상으로 회전할 때에만 원심력에 의해 드럼의 탈수구가 개방되도록 하는 개폐장치를 구비한다. 개폐장치는 드럼의 탈수구를 개폐하는 개폐부재와 개폐부재에 탄성력을 가하여 드럼의 회전에 의하여 개폐부재에 작용하는 원심력의 크기에 따라 드럼의 탈수구가 개폐되도록 하는 탄성부재를 구비한다. 탄성부재는 드럼의 외주면을 감아 드럼의 중심 방향으로 탄성력을 가하는 탄성밴드로 구성될 수 있고, 개폐부재는 구형체로 마련되어 탈수구와 탄성밴드 사이에 배치될 수 있다. 이와 같은 구성에 의해 본 발명은 세탁수의 소비를 현저히 감소시키고, 드럼에 직접 세탁수를 공급하여 세탁을 할 때 야기되는 세탁수 유출 또는 배수에 관한 문제를 근본적으로 해결할 수 있는 효과가 있다.

3. 发明授权

KR100505596B1 반도체 장치의 제조공정에 있어서 콘택 형성방법 失效
标题翻译：在半导体器件的制造过程中形成触点的方法
公开(公告)号：KR100505596B1
公开(公告)日：2005-09-26
申请号：KR1019980008642
申请日：1998-03-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이철규 , 이세형
IPC分类号： H01L21/28
摘要： 반도체 장치의 콘택형성방법에 관해 개시되어 있다. 본 발명은 여기서 반도체 기판 상에 게이트 적층물을 형성하고, 상기 반도체 기판 상에 게이트 적층물을 덮는 제1 층간 절연층을 형성하는 단계, 상기 제1 층간 절연층에 상기 셀 영역의 상기 반도체 기판이 노출되는 제1 콘택홀을 형성하고, 상기 제1 층간 절연층 상에 상기 제1 콘택홀을 채우는 패드 도전층 패턴을 형성하는 단계, 상기 제1 층간 절연층 및 상기 패드 도전층 패턴의 전면에 제2 층간 절연층을 형성하는 단계, 상기 제2 층간 절연층 상에 감광막 패턴을 형성하는 단계, 상기 감광막 패턴을 마스크로 하여 패드 도전층 패턴 및 상기 주변회로영역의 상기 반도체 기판이 노출될 때까지 상기 제2 층간 절연층을 식각하여 상기 패드 도전층 패턴이 노출되는 비어홀과 상기 주변회로영역의 상기 반도체 기판이 노출되는 제2 콘택홀을 동시에 형성하� � 단계 및 상기 감광막 패턴을 제거한 후, 상기 제1 및 제2 층간 절연층에 상기 주변회로영역 상에 형성된 게이트 적층물의 게이트 전극이 노출되는 제3 콘택홀을 형성하는 제9 단계를 포함하되, 상기 비어홀과 상기 제2 콘택홀은 깊이가 다른 것을 특징으로 하는 콘택 형성 방법을 제공한다.

4. 发明授权

KR100480580B1 질소가스를사용하여반도체소자의비아홀을형성하는방법 失效
公开(公告)号：KR100480580B1
公开(公告)日：2005-05-16
申请号：KR1019980003721
申请日：1998-02-09
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이정윤 , 이세형
IPC分类号： H01L21/28
摘要： 본 발명은 반도체소자의 비아홀 형성방법에 관한 것으로, 반도체기판 상에 하부 금속배선을 형성하는 단계와, 하부 금속배선이 형성된 결과물 전면에 금속층간 절연막을 형성하는 단계와, 금속층간 절연막의 소정영역을 반응가스 및 질소가스를 사용하여 식각함으로써 하부 금속배선의 소정영역을 노출시키는 비아홀을 형성하는 단계와, 비아홀의 측벽에 형성된 다중합체를 제거하는 단계를 포함한다.

5. 发明授权

KR100301050B1 콘택을포함하는반도체장치의커패시터제조방법 失效
标题翻译：用于制造包括接触的半导体器件的电容器的方法
公开(公告)号：KR100301050B1
公开(公告)日：2002-06-20
申请号：KR1019980054877
申请日：1998-12-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이세형 , 신지철
IPC分类号： H01L21/28
摘要： 콘택을 포함하는 반도체 장치의 커패시터 제조 방법에 관하여 개시한다. 반도체기판 상부에 층간절연막, 상기 층간절연막에 대한 식각선택비가 더 큰 물질로 이루어지고 도전성질이 있는 콘택마스크물질층, 반사방지층 및 포토레지스트층을 순차적으로 적층한다. 포토레지스트층을 패터닝하여 포토레지스트 패턴을 형성하고 폭을 좁히기 위해 플로우 공정을 진행한다. 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 반사방지층 패턴 및 도전성질의 콘택마스크 패턴을 형성한 후, 이를 마스크로 이용하여 노출된 층간절연막에 대한 식각공정을 진행하여 소정 깊이의 콘택홀을 형성한다. 포토레지스트 패턴을 제거하고, 콘택마스크 패턴의 상부면과 콘택홀 바닥을 노출시키며, 콘택마스크 패턴의 측벽 및 상기 콘택홀 측벽을 감싸는 절연물 스페이서를 형성한다. 노출된 콘택홀 바닥 및 스페이서를 감싸며, 콘택홀 내부를 채우면서 콘택마스크 패턴의 상부면에 전기적으로 연결되는 도전막을 형성한다. 도전막 및 콘택마스크 패턴에 대한 연속적인 식각 공정을 진행하여 도전막 및 콘택마스크 패턴으로 이루어진 커패시터의 스토리지 노드를 형성한다.

6. 实用新型

KR200232032Y1 세탁기 失效
公开(公告)号：KR200232032Y1
公开(公告)日：2001-10-25
申请号：KR2019980013968
申请日：1998-07-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이세형
IPC分类号： D06F37/30
摘要： 본 고안은, 케이싱과, 상기 케이싱내에 현수지지된 터브와, 세탁물을 수용하며 상기 터브내에 회전가능하게 설치된 스핀바스켓과, 상기 스핀바스켓내의 저부에 정역회전가능하게 설치되어 세탁수류를 형성하는 펄세이터와; 상기 터브의 저면에 결합되는 기기고정판과, 상기 기기고정판의 일측에 고정되어 상기 펄세이터와 상기 스핀바스켓을 구동시키는 구동모터와, 상기 구동모터로부터의 구동력을 상기 펄세이터와 상기 스핀바스켓 중 적어도 어느 하나에 전달하는 샤프트조립체를 갖는 세탁기에 관한 것으로서, 상기 샤프트조립체의 일부 영역을 감싸는 지지부와, 상기 지지부의 양측 말단부로부터 절곡되어 상기 기기고정판에 고정되는 한 쌍의 안착부를 갖는 새들과; 상기 기기고정판의 일측 영역의 판면이 절취되어 상기 안착부 중 적어도 하나를 수용고정하도록 형성된 고정홈을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 새들의 결합위치를 용이하게 설정하고 결합개수를 감소시킴으로써, 새들의 조립작업을 간단화할 수 있게 된다.

7. 发明公开

KR1020000039524A 콘택을포함하는반도체장치의커패시터제조방법 失效
标题翻译：用于接触半导体器件的成形方法和使用形成接触方法的半导体电容器的制造方法
公开(公告)号：KR1020000039524A
公开(公告)日：2000-07-05
申请号：KR1019980054877
申请日：1998-12-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이세형 , 신지철
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L21/31144 , H01L21/31116 , H01L21/76804 , H01L27/10855
摘要： PURPOSE: A forming method for contact of semiconductor device and manufacturing method for capacitor of semiconductor using the forming method for contact are provided to realize fine line width on the semiconductor. CONSTITUTION: A contact mask material layer, an anti-reflection layer, and a photoresist layer are piled up orderly on a semiconductor substrate. By patterning process on the photoresist layer, a photoresist pattern is formed on the upper side of anti-reflection layer. Using the photoresist pattern as a mask, a film of layer insulation is exposed by etching the anti-reflection layer and the contact mask material layer. A contact hole is made by etching the exposed film of layer insulation. After making the contact hole, the photoresist pattern and the anti-reflection pattern are removed. Exposing the upper side of contact mask pattern and the bottom of contact hole, a spacer composed of isolator is formed. A conductive film covers the exposed bottom of contact hole, the spacer, and the upper side of contact mask pattern. A storage mode of capacitor consisted of the isolator film and contact mask pattern is made by etching the isolator film and contact mask pattern. After the step, a capacitor can be made by normal procedure.
摘要翻译：目的：提供半导体器件的接触形成方法和使用接触形成方法的半导体电容器的制造方法，以实现半导体上的细线宽度。构成：在半导体衬底上有序地堆叠接触掩模材料层，抗反射层和光致抗蚀剂层。通过在光致抗蚀剂层上的图案化工艺，在抗反射层的上侧形成光致抗蚀剂图案。使用光致抗蚀剂图案作为掩模，通过蚀刻抗反射层和接触掩模材料层来暴露层绝缘膜。通过蚀刻暴露的层绝缘膜制成接触孔。在制作接触孔之后，除去光刻胶图案和防反射图案。露出接触掩模图案的上侧和接触孔的底部，形成由隔离器构成的间隔物。导电膜覆盖接触孔的暴露底部，间隔物和接触掩模图案的上侧。通过蚀刻隔离膜和接触掩模图案来制造由隔离膜和接触掩模图案组成的电容器的存储模式。在步骤之后，可以通过正常程序制造电容器。

8. 发明公开

KR1020000018851A 플라즈마 에칭을 위한 장치 失效
标题翻译：等离子体蚀刻装置
公开(公告)号：KR1020000018851A
公开(公告)日：2000-04-06
申请号：KR1019980036647
申请日：1998-09-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이세형 , 송종희 , 최민웅
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： H01J37/32458
摘要： PURPOSE: An apparatus for plasma etching is provided to seal up stably a part coupling an upper electrode and a chamber in progressing an etching process. CONSTITUTION: An apparatus for plasma etching comprises a chamber(20), an upper electrode(30), and a sealing member(52,62). The chamber has an opening(50,60) having a perihelial surface of plane surface formed in upper surface thereof. The upper electrode is coupled/separated to/from the chamber, and has a contact surface(38) thereof formed in parallel so that it is corresponded to the perihelial surface of the opening on an interior surface thereof. Also, The contact surface of the upper electrode is disposed on the perihelial surface of the opening when it is coupled to the chamber. The sealing member is disposed on the perihelial surface of the opening, and seals up between the upper electrode and the chamber. Thereby, a part coupling an upper electrode and a chamber is stably sealed up in progressing an etching process.
摘要翻译：目的：提供一种用于等离子体蚀刻的装置，用于在进行蚀刻过程中稳定地密封耦合上电极和室的部分。构成：用于等离子体蚀刻的装置包括室（20），上电极（30）和密封构件（52,62）。腔室具有在其上表面形成有平面表面的上皮表面的开口（50,60）。上部电极与腔室相连/分离，并具有平行形成的接触表面（38），使得其对应于其内表面上的开口的上皮表面。此外，当上部电极联接到腔室时，上部电极的接触表面设置在开口的外周表面上。密封构件设置在开口的上表面上，并且在上电极和腔室之间密封。由此，在进行蚀刻处理时，稳定地密封连接上部电极和室的部分。

9. 发明公开

KR1019990086840A 건식 식각 장치 失效
公开(公告)号：KR1019990086840A
公开(公告)日：1999-12-15
申请号：KR1019980020000
申请日：1998-05-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 송종희 , 이세형
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： 본 발명의 식각 장치는 반도체 제조 공정에서 사용된다. 식각 장치는 공정 챔버의 내부에서 플라즈마를 사용하여 반도체 웨이퍼를 에칭한다. 식각 장치의 내부에는 전극과 포커스 링이 설치된다. 전극은 윗면에 반도체 웨이퍼를 로딩한다. 포커스 링은 전극 위에 배치된다. 포커스 링은 웨이퍼의 외주를 둘러싸기 위한 내면을 갖는다. 포커스 링 내면의 직경은 웨이퍼의 직경보다 2mm에서 3mm 더 크게 형성된다.

10. 发明公开

KR1019990065142A 실리콘을 포함하는 물질층의 버티컬 프로파일 패턴 형성 방법 无效
标题翻译：用于形成包括硅的材料层的垂直剖面图案的方法
公开(公告)号：KR1019990065142A
公开(公告)日：1999-08-05
申请号：KR1019980000271
申请日：1998-01-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정찬욱 , 이세형
IPC分类号： H01L21/027
摘要： 실리콘을 포함하는 물질층의 버티컬 프로파일 패턴 형성 방법에 관하여 개시한다. (a)실리콘을 포함하는 물질층 상에 반사방지막을 소정 두께로 증착한다. (b)반사방지막보다 더 두꺼운 감광막을 도포한다. (c)감광막을 패터닝하여 반사방지막의 소정 영역을 노출하는 감광막 패턴을 형성한다. (d)감광막 패턴에 의하여 노출된 반사방지막을 소정의 식각 조건에 따라 식각하여 실리콘을 포함하는 물질층의 소정 영역을 노출하는 반사방지막 패턴을 형성하면서, 감광막 패턴에 대한 추가 식각이 병행되어 감광막 패턴이 버티컬한 측벽 구조를 갖도록 변형한다. 마지막으로, (e)그 측벽 구조가 버티컬하게 변형된 감광막 패턴과 반사방지막 패턴을 마스크로 이용하여 실리콘을 포함하는 물질층을 식각한다.

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