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1. 发明专利

KR102231208B1 KR102231208B1 - Method of manufacturing semiconductor device 有权
公开(公告)号：KR102231208B1
公开(公告)日：2021-03-24
申请号：KR1020140149483A
申请日：2014-10-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 유정균 , 김응관 , 이정윤
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/823821 , H01L21/823828 , H01L27/0924 , H01L29/66545 , H01L29/7853
摘要： 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다. 상기 반도체 장치의 제조 방법은, 기판 상에 제1 방향으로 연장되는 제1 핀 및 제2 핀을 형성하고, 상기 제1 및 제2 핀의 상부가 노출되도록 상기 기판 상에 소자 분리막을 형성하고, 상기 소자 분리막 상에 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 게이트 전극을 형성하고, 상기 게이트 전극 양측 중 적어도 일측에 에피텍셜 성장을 이용하여 소오스 또는 드레인을 형성하고, 상기 소오스 또는 드레인을 형성한 뒤, 상기 제1 핀 및 상기 제2 핀 사이에 위치하는 상기 게이트 전극을 식각하여 상기 소자 분리막을 노출시키는 것을 포함한다.

2. 发明申请

WO2021261773A1 건조기용 센싱장치 审中-公开
公开(公告)号：WO2021261773A1
公开(公告)日：2021-12-30
申请号：PCT/KR2021/006329
申请日：2021-05-21
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이정윤 , 최호 , 김도윤 , 노태균 , 최형진 , 최지훈 , 홍관우
IPC分类号： D06F34/26 , D06F34/10 , B01D35/02 , D06F34/05 , D06F34/24
摘要： 건조기용 센싱장치는 전력을 생성하는 에너지 하베스터와, 에너지 하베스터에 의해 생성된 전력을 공급받아 습도를 센싱하는 습도 센서와, 습도 센서가 실장되는 회로 보드와, 회로 보드를 지지하는 케이스, 및 케이스의 적어도 일부를 감싸며, 외부의 충격으로부터 케이스를 보호하는 댐퍼를 포함한다.

3. 发明授权

KR102170856B1 반도체 장치 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102170856B1
公开(公告)日：2020-10-29
申请号：KR1020140019114
申请日：2014-02-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정영종 , 이정윤 , 김동현 , 이복영
IPC分类号： H01L21/336

4. 发明授权

KR102064914B1 식각 공정 장치 및 식각 공정 방법 有权
公开(公告)号：KR102064914B1
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：KR1020130023761
申请日：2013-03-06
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 전경엽 , 이정윤 , 김경선 , 김태곤
IPC分类号： H01L21/3065

5. 发明公开

KR1020170097322A 반도체 장치 审中-实审
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020170097322A
公开(公告)日：2017-08-28
申请号：KR1020160018929
申请日：2016-02-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김현지 , 박기관 , 이정윤 , 오영묵 , 이용석
IPC分类号： H01L29/423 , H01L21/8234 , H01L29/66
摘要： 게이트올 어라운드구조를갖는트랜지스터의문턱전압을다양하게조절함으로써, 소자성능을개선할수 있는반도체장치를제공하는것이다. 상기반도체장치는제1 영역및 제2 영역을포함하는기판; 상기제1 영역의상기기판상에, 상기기판과이격되는제1 와이어패턴; 상기제2 영역의상기기판상에, 상기기판및 상기제1 와이어패턴과이격되는제2 와이어패턴; 상기제1 와이어패턴과교차하고, 상기제1 와이어패턴과제1 폭만큼중첩되는제1 게이트전극; 및상기제2 와이어패턴과교차하고, 상기제2 와이어패턴과제1 폭과다른제2 폭만큼중첩되는제2 게이트전극을포함한다.
摘要翻译：一种半导体器件，能够通过不同地调整具有全栅结构的晶体管的阈值电压来改善器件性能。该半导体器件包括：衬底，包括第一区域和第二区域; 第一导线图案，与上部外围装置板的第一区域上的衬底间隔开; 与所述衬底和所述上器具板的第二区域上的所述第一线图案间隔开的第二线图案; 第一栅电极与第一线图案相交并与第一线图案重叠一个宽度; 并且第二栅电极与第二线图案相交并且与第一线图案任务宽度重叠第二宽度，该第二宽度不同于第一宽度。

6. 发明授权

KR101691038B1 무선 통신 시스템에서 기지국의 자원 운용 방법 및 장치 有权
标题翻译：在无线通信系统中管理基站资源的装置和方法
公开(公告)号：KR101691038B1
公开(公告)日：2016-12-30
申请号：KR1020100126212
申请日：2010-12-10
申请人： 삼성전자주식회사 , 포항공과대학교 산학협력단
发明人： 임채권 , 서영주 , 배범식 , 조성연 , 김동욱 , 백주영 , 이정윤 , 정재필
IPC分类号： H04W28/26 , H04W16/10 , H04W52/14 , H04W52/24 , H04W52/34 , H04B7/02 , H04J11/00 , H04W28/04 , H04W72/08 , H04W88/08
CPC分类号： H04W52/143 , H04B7/022 , H04J11/0056 , H04L5/0032 , H04L5/0073 , H04W16/10 , H04W28/04 , H04W28/26 , H04W52/243 , H04W52/343 , H04W72/082 , H04W88/08
摘要： 본발명은무선통신시스템에서기지국의자원운용방법및 장치에관한것으로, 서빙기지국에서다수개의통신단말기들에대응하여다운링크로사용되는서빙자원들의평균자원사용량을산출하고, 산출된평균자원사용량이미리설정된임계치를초과하면, 통신단말기들에서인접기지국의간섭이최대인어느하나를선택하고, 인접기지국에서다운링크로사용되는인접자원들에서선택된통신단말기를위한서빙자원에대응하는적어도어느하나를인접기지국에서전송파워를감소시키도록예약하는구성을갖는다. 본발명에따르면, 기지국에서인접기지국에인접자원들중 적어도어느하나에서전송파워를감소시키도록예약함으로써, 기지국에접속된통신단말기들중 어느하나를위한서빙자원에서인접기지국에의한간섭을억제시킬수 있다. 이를통해, 무선통신시스템에서기지국이자원을효율적으로운용할수 있다.
摘要翻译：提供了一种用于管理无线通信系统中的基站的资源的方法和设备。该方法包括：计算作为从服务基站到多个通信终端的下行链路的服务资源的平均资源使用; 如果所计算的平均资源使用超过预设阈值，则选择具有来自相邻基站的最大干扰的通信终端之一; 对来自所述相邻基站的所述下行链路中使用的邻居资源中的至少一个进行预约，所述至少一个相邻资源对应于所选择的通信终端的服务资源，使得所述邻近基站可以降低所述通信终端的发射功率最少一个邻居资源。

7. 发明公开

KR1020160011126A 반도체 장치의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020160011126A
公开(公告)日：2016-01-29
申请号：KR1020140149483
申请日：2014-10-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 유정균 , 김응관 , 이정윤
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/823821 , H01L21/823828 , H01L27/0924 , H01L29/66545 , H01L29/7853
摘要： 반도체장치의제조방법이제공된다. 상기반도체장치의제조방법은, 기판상에제1 방향으로연장되는제1 핀및 제2 핀을형성하고, 상기제1 및제2 핀의상부가노출되도록상기기판상에소자분리막을형성하고, 상기소자분리막상에상기제1 방향과교차하는제2 방향으로게이트전극을형성하고, 상기게이트전극양측중 적어도일측에에피텍셜성장을이용하여소오스또는드레인을형성하고, 상기소오스또는드레인을형성한뒤, 상기제1 핀및 상기제2 핀사이에위치하는상기게이트전극을식각하여상기소자분리막을노출시키는것을포함한다.
摘要翻译：提供一种制造半导体器件的方法。制造半导体器件的方法包括以下步骤：在基板上沿第一方向形成待膨胀的第一和第二散热片; 在所述基板上形成元件隔离膜以暴露所述第一和第二散热片的上部; 在与所述第一方向交叉的第二方向上在所述元件隔离膜上形成栅电极; 通过外延生长在栅电极的两侧的至少一侧上形成源极或漏极; 并且蚀刻位于第一和第二鳍片之间的栅电极，以在形成源极或漏极之后暴露元件隔离膜。

8. 发明公开

KR1020150121907A 반도체 장치 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150121907A
公开(公告)日：2015-10-30
申请号：KR1020140048087
申请日：2014-04-22
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이복영 , 이정윤 , 김동현 , 김명철 , 한동우
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/823821 , H01L21/30604 , H01L21/823828 , H01L27/0207 , H01L27/0886 , H01L29/6656 , H01L29/66795 , H01L29/785
摘要： 반도체장치및 그제조방법이제공된다. 반도체장치는, 기판으로부터돌출되어제1 방향으로연장되어배치된제1 액티브핀 및제2 액티브핀; 상기제1 액티브핀 상에상기제1 방향과교차하는제2 방향으로연장되어배치된제1 게이트구조체; 상기제1 게이트구조체와상기제2 방향으로인접하고, 상기제2 액티브핀 상에상기제2 방향으로연장되어배치된제2 게이트구조체; 및상기제1 게이트구조체와상기제2 게이트구조체사이의공간에형성된더미구조체를포함한다.
摘要翻译：提供半导体器件及其制造方法。半导体器件包括从基板突出并沿第一方向延伸的第一有源引脚和第二有源引脚，第一栅极结构，沿着第一方向在第二方向上延伸在第一有源引脚上，第二栅极结构，其在第二方向上布置在第一栅极结构附近并且在第二方向上在第二有源销上延伸，以及虚设结构，其形成在第一栅极结构和第二栅极结构之间的空间中。

9. 发明公开

KR1020150051720A 반도체 장치 및 이의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150051720A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：KR1020130133573
申请日：2013-11-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정영종 , 이정윤 , 권세력
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66545 , H01L29/6653 , H01L29/6656 , H01L29/66628 , H01L29/66636 , H01L29/66795 , H01L29/7848
摘要： 보조캡핑막(auxiliary capping layer)를도입하여에피막(epitaxial layer)의비정상적인성장(abnormal growth)을억제함으로써, 반도체장치의동작성능을향상시킬수 있는반도체장치제조방법을제공하는것이다. 상기반도체장치제조방법은기판상에폴리실리콘게이트및 하드마스크가적층되고, 상부와하부를포함하는게이트구조체를형성하고, 상기게이트구조체의측면에게이트스페이서를형성하고, 상기기판상에상기게이트스페이서의일부와상기게이트구조체의하부를감싸는희생막을형성하고, 상기희생막위로돌출된상기게이트구조체의상부측면에캡핑스페이서를형성하고, 상기캡핑스페이서를형성한후, 상기희생막을제거하는것을포함한다.
摘要翻译：本发明提供一种制造半导体器件的方法，该半导体器件可以通过引入辅助覆盖层来抑制外延层的异常生长来提高半导体器件的操作性能。制造半导体器件的方法包括：在基底上堆叠多晶硅的命运和硬掩模，并形成包括上部和下部的栅极结构; 在所述栅极结构的侧表面上形成栅极间隔物; 在所述基板上形成包围所述栅极间隔物的一部分和所述栅极结构的下部的牺牲层; 在所述牺牲层上突出的所述栅极结构的上部的侧表面上形成封盖间隔物; 以及在形成封盖间隔物之后去除牺牲层。

10. 发明公开

KR1020120055851A 무선 통신 시스템에서 기지국의 송신 파워 제어 방법 및 장치 有权
标题翻译：用于控制无线通信系统中基站传输功率的方法和装置
公开(公告)号：KR1020120055851A
公开(公告)日：2012-06-01
申请号：KR1020100117276
申请日：2010-11-24
申请人： 삼성전자주식회사 , 포항공과대학교 산학협력단
发明人： 임채권 , 서영주 , 최성호 , 배범식 , 조성연 , 김동욱 , 이정윤 , 임완선 , 정경학
IPC分类号： H04W52/14 , H04W52/24 , H04W52/40 , H04W52/22
CPC分类号： H04W52/24 , H04W52/143 , H04W52/223 , H04W52/241 , H04W52/242 , H04W52/243 , H04W52/245 , H04W52/40 , Y02D70/00
摘要： PURPOSE: A transmission power control method of a base station in a wireless communication system is provided to increase channel utilization rates by controlling the transmission power of an adjacent base station. CONSTITUTION: An control unit responds to a serving transmission power reduction request when an adjacent base station requests the reduction of the serving transmission power(711, 713). When the adjacent base station orders the reduction of the serving transmission power, the control unit reduces the serving transmission power(715, 717). When the adjacent base station gives notification for an increase of adjacent transmission power, the control unit transmits power increase values to the adjacent base station(721, 723).
摘要翻译：目的：提供无线通信系统中的基站的发射功率控制方法，通过控制相邻基站的发射功率来提高信道利用率。构成：当相邻基站请求降低服务发送功率时，控制单元响应服务发送功率降低请求（711,713）。当相邻基站命令降低服务发送功率时，控制单元降低服务发送功率（715,717）。当相邻基站给出相邻发送功率增加的通知时，控制单元向相邻的基站发送功率增加值（721,723）。

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