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1. 发明授权

KR100512179B1 반도체 소자를 제조하기 위한 화학적 기계적 연마장치 失效
标题翻译：用于制造半导体的化学和机械抛光装置
公开(公告)号：KR100512179B1
公开(公告)日：2005-09-02
申请号：KR1020030039855
申请日：2003-06-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 유진수 , 이현성
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 본 발명은 반도체 소자를 제조하기 위한 화학적 기계적 연마장치에 관한 것으로, 반도체 소자를 제조하기 위한 연마장치에 있어서, 상부면 상에 연마패드가 부착된 복수의 플레이튼을 갖는 연마스테이션과, 상기 연마스테이션 상부에 위치하며 웨이퍼를 흡착하는 멤브레인이 장착된 복수의 폴리싱 헤드와, 상기 폴리싱 헤드를 회전시키는 구동부와 그리고, 상기 연마스테이션에 배치되며 웨이퍼를 상기 폴리싱 헤드로/로부터 로딩/언로딩하는 전달스테이지부를 구비하되, 상기 전달스테이지부는 복수개의 회전이송부를 구비한다.
이로인해, 본 발명은 연마공정의 전공정과 후속공정으로 웨이퍼가 이동되는 공정을 동시에 진행할 수 있으므로 공정의 진행속도를 절반정도 줄일 수 있는 효과가 있다.

2. 发明公开

KR1020090002780A 슬러리 공급 암 无效
标题翻译：浆液运输ARM
公开(公告)号：KR1020090002780A
公开(公告)日：2009-01-09
申请号：KR1020070067016
申请日：2007-07-04
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 유진수 , 이선웅 , 김종복 , 윤현주 , 김진국 , 차성호
IPC分类号： H01L21/304
摘要： A slurry supply arm is provided to prevent the solidification phenomenon of slurry during the chemical mechanical polishing process. A slurry supply arm(20) comprises a body, a variable location type slurry supply nozzle(23) a first rinse fluid spray hole(24), and a rinse fluid supply nozzle(26). The variable location type slurry supply nozzle supplies the slurry to the grinding pad. The variable location type slurry supply nozzle is installed at the central part of the body and moves along the longitudinal direction of the body. First rinse fluid spray holes spray the first rinse fluid onto the grinding pad. The rinse fluid supply nozzle is installed between the edges of the body and the variable location type slurry supply nozzle. The rinse fluid supply nozzle can spray the second rinse fluid through a second rinse fluid spray hole(27) onto the grinding pad and body.
摘要翻译：提供浆料供给臂以防止在化学机械抛光过程中浆料的凝固现象。浆料供给臂（20）包括主体，可变位置型浆料供给喷嘴（23），第一冲洗流体喷射孔（24）和冲洗液供给喷嘴（26）。可变位置型浆料供应喷嘴将浆料供应到研磨垫。可变位置型浆料供应喷嘴安装在主体的中心部分并沿着主体的纵向方向移动。首先冲洗流体喷孔将第一个冲洗液喷到研磨垫上。冲洗流体供应喷嘴安装在主体的边缘和可变位置型浆料供应喷嘴之间。冲洗流体供应喷嘴可以将第二冲洗流体通过第二冲洗流体喷射孔（27）喷洒到研磨垫和主体上。

3. 发明公开

KR1020040110511A 반도체 소자를 제조하기 위한 화학적 기계적 연마장치 失效
标题翻译：化学机械抛光装置在制造半导体器件的同时进行抛光和抛光
公开(公告)号：KR1020040110511A
公开(公告)日：2004-12-31
申请号：KR1020030039855
申请日：2003-06-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 유진수 , 이현성
IPC分类号： H01L21/304
摘要： PURPOSE: A chemical mechanical polishing apparatus for manufacturing semiconductor devices is provided to accelerate a process time by simultaneously performing a polishing process and a wafer transferring process. CONSTITUTION: A chemical mechanical polishing apparatus includes a polishing station(100), a plurality of polishing heads(300a,300b,300c,300d), a driver(242), and a transferring stage(120). The polishing station includes a plurality of flattens having polishing pads attached thereon. The plurality of polishing heads are implemented on an upper portion of the polishing station and include membranes for adsorbing wafers. The driver rotates the polishing head. The transferring stage is implemented on the polishing station to load/unload the wafer to/from the polishing head. The transferring stage includes a plurality of rotational transferring members(130).
摘要翻译：目的：提供一种用于制造半导体器件的化学机械抛光装置，以通过同时进行抛光处理和晶片转印处理来加速处理时间。构成：化学机械抛光装置包括抛光台（100），多个抛光头（300a，300b，300c，300d），驱动器（242）和转印台（120）。抛光台包括多个平板，其上安装有抛光垫。多个抛光头实现在抛光台的上部，并且包括用于吸附晶片的膜。驱动器旋转抛光头。在抛光台上实施转印阶段以将晶片装载/从抛光头卸载。传送台包括多个旋转传递部件（130）。

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