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1. 发明公开

KR1020140145821A 반도체 장치 및 그 구동 방법 审中-实审
标题翻译：半导体器件和操作器件的方法
公开(公告)号：KR1020140145821A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：KR1020130068463
申请日：2013-06-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김정희 , 김민수 , 김지겸 , 에밀,카그라마냔 , 이대성 , 정건옥 , 조욱래
IPC分类号： H03K3/3562
CPC分类号： H03K3/0372 , H03K3/0375
摘要： 반도체 장치 및 그 구동 방법이 제공된다. 반도체 장치는, 기준 클럭을 제공받고, 상기 기준 클럭으로부터 서로 다른 제1 및 제2 클럭을 생성하는 클럭 생성부, 상기 제1 클럭을 기반으로 입력 데이터를 제공받아 이를 제1 출력 데이터로 출력하는 제1 래치, 및 상기 제2 클럭을 기반으로 상기 제1 출력 데이터를 제공받아 이를 제2 출력 데이터로 출력하는 제2 래치를 포함하되, 상기 제1 클럭의 제1 에지(edge)는 상기 제2 클럭의 제1 에지와 오버랩되지 않고(non-overlap), 상기 제1 클럭의 제2 에지는 상기 제2 클럭의 제2 에지와 오버랩(overlap)된다.
摘要翻译：提供一种半导体器件及其操作方法。半导体器件包括时钟产生部分，其接收参考时钟并产生与第一时钟不同于参考时钟的第一时钟和第二时钟;第一锁存器，其基于第一时钟接收输入数据并将其输出到第一时钟输出数据，以及第二锁存器，其基于第二时钟接收第一输出数据并将其输出到第二输出数据。第一个时钟的边缘不与第二个时钟的第一个边缘重叠。第一时钟的第二边缘与第二时钟的第二边缘重叠。

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