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1. 发明授权

KR100287193B1 반도체장치의 가스 분사기 失效
标题翻译：半导体装置的气体注入器
公开(公告)号：KR100287193B1
公开(公告)日：2001-04-16
申请号：KR1019990018665
申请日：1999-05-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김기상 , 양백화 , 정규찬
IPC分类号： H01L21/306
摘要： 본발명은반도체장치에관한것으로, 특히웨이퍼전체에걸쳐골고루가스를분사할수 있는반도체장치의가스분사기에관한것이다. 본발명에의한반도체장치의가스분사기는, 상부판과, 상기상부판의가장자리를따라돌출된원통모양의외곽벽과, 상기외곽벽내부에형성된분할막으로구성된상부플레이트; 상기상부플레이트의상부판에, 상기분할막에의해분할된공간에대응하도록설치된다수의가스주입구들; 및상기상부플레이트에체결되어, 상기상부판과의사이에공간을만드는다수의홀을갖는가스분할플레이트를구비하는것을특징으로한다.

2. 发明公开

KR1020020011761A 플라즈마를 이용한 반도체 제조장치 无效
标题翻译：使用等离子体制造半导体的装置
公开(公告)号：KR1020020011761A
公开(公告)日：2002-02-09
申请号：KR1020000045278
申请日：2000-08-04
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 양백화 , 김기상
IPC分类号： H01L21/30
摘要： PURPOSE: An apparatus for manufacturing a semiconductor using plasma is provided to improve reliability by increasing uniformity of an etch rate in a radius direction regarding the entire surface of a wafer, and to increase work efficiency by arbitrarily controlling the etch rate in every positions of the wafer according to a process condition and a plasma type. CONSTITUTION: A plasma source supplies plasma to the wafer(44). The first lower electrode(40) is located in the lower center of the wafer, corresponding to the plasma source. The first bias power is applied to the first lower electrode. The second lower electrode(52) is so positioned in the lower portion of the wafer that the second lower electrode radially surrounds the first lower electrode, corresponding to the plasma source. The second bias power is applied to the second lower electrode.
摘要翻译：目的：提供一种使用等离子体制造半导体的装置，通过增加晶圆的整个表面的半径方向上的蚀刻速率的均匀性来提高可靠性，并通过任意地控制晶片的每个位置的蚀刻速率来提高工作效率晶片根据工艺条件和等离子体类型。构成：等离子体源向晶片（44）供应等离子体。第一下电极（40）位于晶片的下部中心，对应于等离子体源。第一偏置功率被施加到第一下电极。第二下电极（52）被定位在晶片的下部，第二下电极径向包围第一下电极，对应于等离子体源。第二偏压功率施加到第二下电极。

3. 发明公开

KR1019980006001A 웨이퍼 고정용 정전척의 전원공급장치 失效
标题翻译：用于晶圆固定的静电吸盘电源
公开(公告)号：KR1019980006001A
公开(公告)日：1998-03-30
申请号：KR1019960020818
申请日：1996-06-11
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김동윤 , 양백화 , 손권
IPC分类号： H01L21/68

4. 发明公开

KR1020000018721A 폴리머를 이용한 반도체 소자의 에칭방법 无效
标题翻译：使用聚合物的半导体器件的蚀刻方法
公开(公告)号：KR1020000018721A
公开(公告)日：2000-04-06
申请号：KR1019980036461
申请日：1998-09-04
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 윤석훈 , 김태룡 , 양백화 , 박용현 , 김동현
IPC分类号： H01L21/306
摘要： PURPOSE: The etching method removes a poly stringer generated in pad etching and minimizes the separation margin reduction due to the process applied to remove the poly stringer, regardless of the etching profile of a gate electrode. CONSTITUTION: The etching method can remove the poly stringer as protecting an adhesion film between an oxide film(22) in a landing pad and a polysilicon layer(24) using a polymer(26). The method includes the steps of: forming the oxide film on a semiconductor substrate(20); stacking the polysilicon layer on the oxide film; etching the polysilicon layer using a photoresist or mask; isotropic-etching with a mixed gas as maximizing the polymer formation; and removing the poly stringer.
摘要翻译：目的：蚀刻方法去除了在衬垫蚀刻中产生的多边形，并且由于用于去除多晶纵梁的工艺而使分离余量减小最小化，而与栅电极的蚀刻轮廓无关。构成：蚀刻方法可以去除聚桁条，以使用聚合物（26）保护着陆焊盘中的氧化物膜（22）和多晶硅层（24）之间的粘附膜。该方法包括以下步骤：在半导体衬底（20）上形成氧化膜; 将多晶硅层堆叠在氧化膜上; 使用光致抗蚀剂或掩模蚀刻多晶硅层; 用混合气体进行各向同性蚀刻，使聚合物形成最大化; 并去除聚桁架。

5. 发明公开

KR1019980016561A 반도체장치 제조방법 无效
公开(公告)号：KR1019980016561A
公开(公告)日：1998-06-05
申请号：KR1019960036162
申请日：1996-08-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이재봉 , 양백화
IPC分类号： H01L21/027
摘要： 두층이상으로 적층되는 막 상에 포토마스크(Photo Mask)의 정렬(Align)위치를 이동시켜 수행되는 포토공정으로 제품의 신뢰도를 향상시킬 수 있도록 개선시킨 반도체장치 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은, 반도체 기판 상에 하부막과 상부막을 순차적으로 적층시키는 단계, 제 1 포토공정 및 식각공정에 의해 상기 상부막의 일부를 오픈시킨 후 상기 반도체 기판의 전면으로 포토레지스트층을 형성하는 단계, 상기 상부막의 오픈영역의 일부가 포함되도록 상기 포토공정에서 이용한 포토마스크를 이동시킨 후 제 2 포토공정을 수행하여 상기 하부막을 노출시키는 단계 및 상기 노출된 하부막을 식각하는 단계를 구비하여 이루어지는 것을 특징한다.
따라서, 본 발명에 의하면 미세패턴의 형성으로 반도체장치의 고집적화 및 고밀도화를 이룩할 수 있어 제품의 신뢰도를 향상시키는 효과가 있다.

6. 发明公开

KR1019980012017A 반도체장치의 식각방법 无效
公开(公告)号：KR1019980012017A
公开(公告)日：1998-04-30
申请号：KR1019960030937
申请日：1996-07-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 문대식 , 양백화
IPC分类号： H01L21/304

7. 发明公开

KR1020010055907A 다중온도제어장치 无效
标题翻译：半导体制造装置的多温度控制装置
公开(公告)号：KR1020010055907A
公开(公告)日：2001-07-04
申请号：KR1019990057242
申请日：1999-12-13
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김진기 , 양백화
IPC分类号： H01L21/02
摘要： PURPOSE: A multiple temperature control apparatus of a semiconductor fabrication apparatus is provided to improve process uniformity by allowing a multiple temperature control of a heating plate according to regions of a wafer. CONSTITUTION: The apparatus is used for the heating plate(100) on which the wafer(WF) is mounted and heated in a reaction chamber. The apparatus includes a plurality of heaters(200,210,220,230) such as coils formed in the heating plate(100) at every regions of the wafer(WF), a plurality of power suppliers each separately connected to the corresponding heater so as to individually supply a heating power with strength adequate for the specific heater, and a temperature controller for controlling the power suppliers. Preferably, the heaters may be arranged concentrically or spirally.
摘要翻译：目的：提供一种半导体制造装置的多温度控制装置，通过根据晶片的区域对加热板进行多重温度控制来提高工艺均匀性。构成：该装置用于其上安装晶片（WF）并在反应室中加热的加热板（100）。该设备包括多个加热器（200,210,220,230），例如在晶片（WF）的每个区域处形成在加热板（100）中的线圈，多个电源供应器分别连接到相应的加热器，以便单独地供应加热具有适用于特定加热器的强度的电力，以及用于控制电力供应商的温度控制器。优选地，加热器可以同心地或螺旋地排列。

8. 发明公开

KR1020000074615A 반도체장치의 가스 분사기 失效
标题翻译：半导体装置的燃气喷射器
公开(公告)号：KR1020000074615A
公开(公告)日：2000-12-15
申请号：KR1019990018665
申请日：1999-05-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김기상 , 양백화 , 정규찬
IPC分类号： H01L21/306
摘要： PURPOSE: A gas injector of a semiconductor apparatus is provided to uniformly inject gas on the entire surface of a wafer for an improved etching uniformity, by controlling an etch process by portions of the wafer. CONSTITUTION: A gas injector of a semiconductor apparatus comprises an upper plate(52), a plurality of gas injection holes(54a,54b) and a gas distribution plate. The upper plate includes an upper board(52a), an external wall(52c) and a distribution curtain(52b). The external wall is a circular shape, projected along an edge of the upper board. The distribution curtain is established inside the external curtain. The plurality of gas injection holes corresponds to a space distributed by the distribution curtain, established on the upper plate. The gas distribution plate has a plurality of holes forming a space between the gas distribution plate and the upper board, coupled to the upper plate.
摘要翻译：目的：提供半导体装置的气体注入器，以通过控制晶片的一部分的蚀刻工艺，将气体均匀地注入到晶片的整个表面上以提高蚀刻均匀性。构成：半导体装置的气体注入器包括上板（52），多个气体注入孔（54a，54b）和气体分配板。上板包括上板（52a），外壁（52c）和分配帘（52b）。外壁是沿着上板的边缘突出的圆形形状。分配窗帘设在外帘内。多个气体注入孔对应于由分配幕分配的空间，建立在上板上。气体分配板具有多个孔，其在气体分配板和上板之间形成有与上板连接的空间。

9. 发明授权

KR100227821B1 웨이퍼 고정용 정전척의 전원공급장치 失效
标题翻译： WAFER静电卡车电源系统
公开(公告)号：KR100227821B1
公开(公告)日：1999-11-01
申请号：KR1019960020818
申请日：1996-06-11
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김동윤 , 양백화 , 손권
IPC分类号： H01L21/68
摘要： 본 발명은 웨이퍼의 종류, 공급전압의 변동에 따라 전압을 보상하는 웨이퍼 고정용 정전척의 전원공급장치에 관한 것으로서, 파워서플라이로부터 공급되는 양전압과 음전압을 필터에서 필터링하여 각각 해당 전극으로 인가하는 웨이퍼 고정용 정전척의 전원공급장치에 있어서, 상기 양전압과 음전압을 필터로 인가하는 라인간의 전압차를 감지하는 감지수단, 상기 감지수단에서 전압차가 감지되면 상기 양전압과 상기 음전압의 절대치의 레벨이 동일하도록 각 전극으로 공급되는 접압을 가변시켜 보상하는 보상수단을 구비하여 이루어지며, 웨이퍼를 정상적으로 척킹할 수 있는 힘이 항상 유지되어서, 웨이퍼 후면 냉각을 위하여 헬륨가스가 분사되더라도 웨이퍼의 무빙이 발생되지 않고 공정을 원활히 수행할 수 있으며, 웨이퍼의 타입에 상관없이 � �킹이 가능한 효과가 있다.

10. 发明公开

KR1019980034188A 반도체 식각설비의 하측전극판 无效
标题翻译：半导体蚀刻设备的下电极板
公开(公告)号：KR1019980034188A
公开(公告)日：1998-08-05
申请号：KR1019960052151
申请日：1996-11-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 양백화 , 한문형
IPC分类号： H01L21/306
摘要： 식각챔버 내부에 웨이퍼의 밑면을 받쳐 지지하며 R·F 파워가 인가되는 반도체 식각설비의 하측전극판에 관한 것이다.
본 발명은 웨이퍼가 놓이는 가장자리 부위를 받쳐 지지하도록 환형 받침대를 갖는 반도체 식각설비의 하측 전극판에 있어서, 상기 환형 받침대의 재질이 실리콘임을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 의하면, 웨이퍼의 가장 자리 부위에 반도체 재질의 실리콘으로 제작된 환형 받침대를 사용함에 따라 하측 전극판의 중심 부위와 가장자리 부위 사이에 R·F 파워의 인가 정도를 조절하게 되어 웨이퍼의 식각 정도를 균일하게 하고, 금속성 오염물이 발생되지 않으며, 웨이퍼 가장자리 부위의 식각 정도를 향상시키는 효과가 있다.

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