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1. 发明授权

KR100799722B1 메모리 소자 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：存储器件及其制造方法
公开(公告)号：KR100799722B1
公开(公告)日：2008-02-01
申请号：KR1020060126220
申请日：2006-12-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박진준
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L27/115 , B82Y10/00 , H01L21/28273 , H01L21/76897
摘要： A memory device and a manufacturing method thereof are provided to implement a low voltage operation and to reduce power consumption by using contact tips for reducing a separation distance with respect to first and second word lines. A bit line(102) is extended to a first direction on a substrate(100). First word lines(106a) are formed on the bit line to be insulated therewith. The word lines are extended to a second direction perpendicular to the first direction. A bit line contact(120) is arranged between the first word lines. The bit line contact has an upper surface higher than the first word line and is connected to the bit line. Electrode patterns(130a) are respectively connected to the upper surface of the bit line contact. Both ends of the electrode pattern are extended to be faced to the first word line. The electrode pattern is comprised of a material bent by a potential difference induced at the both ends. A second word line(136a) is formed on the electrode pattern to be separated from the electrode pattern. The second word line is extended to the second direction to be faced to the first word line. Contact tips(126a) are formed at the both ends of the electrode pattern. The contact tips are respectively protruded toward the first and second word lines and are separated from the first and second word lines.
摘要翻译：提供了一种存储器件及其制造方法，以实现低电压操作并且通过使用用于减小相对于第一和第二字线的间隔距离的接触尖端来降低功耗。位线（102）在衬底（100）上延伸到第一方向。第一字线（106a）形成在与其绝缘的位线上。字线延伸到垂直于第一方向的第二方向。位线接触件（120）布置在第一字线之间。位线接触件的上表面高于第一字线，并连接到位线。电极图案（130a）分别连接到位线接触件的上表面。电极图案的两端延伸成面对第一字线。电极图案由在两端诱发的电位差弯曲的材料构成。第二字线（136a）形成在电极图案上以与电极图案分离。第二个字线延伸到第二个方向以面对第一个字线。接触尖端（126a）形成在电极图案的两端。接触尖端分别朝向第一和第二字线突出并且与第一和第二字线分离。

2. 发明授权

KR100772844B1 반도체 제조설비의 감광액 공급장치 失效
标题翻译：用于在半导体器件制造设备中分配光敏溶液的设备
公开(公告)号：KR100772844B1
公开(公告)日：2007-11-02
申请号：KR1020050115742
申请日：2005-11-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박진준 , 윤석필
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/67253 , B01D19/0036 , H01L21/67017 , H01L21/6715
摘要： 감광액 코팅 공정에서 감광액에 내포되는 기포들을 최소화 또는 감소시키기 위한 감광액 공급장치가 개시된다. 그러한 감광액 공급장치는, 감광액을 수용하는 적어도 하나이상의 공급용기; 상기 공급용기에 수용된 상기 감광액을 공급받아 일시 저장하는 적어도 하나이상의 탱크; 상기 탱크에 저장된 감광액을 소정의 압력으로 펌핑하는 펌프부; 상기 펌프부에서 펌핑된 감광액을 필터링하여 오염물질을 제거하는 필터부; 상기 탱크 또는 상기 필터부의 상단으로 연결되는 관로를 통해 상기 필터부에서 필터링 되는 상기 감광액, 또는 상기 탱크에 일시 저장된 상기 감광액에 함유된 기포들을 제거하는 적어도 하나이상의 탈기부를 포함함에 의해, 기포 제거의 신뢰성을 향상시킬 수 있기 때문에 생산수율을 향상시킬 수 있다.

감광액(photo-resist), 필터(filter), 탱크(tank), 탈기, 기포

3. 发明公开

KR1020070056726A 반도체 제조설비의 감광액 공급장치 失效
标题翻译：用于在半导体器件制造设备中分配感光性溶液的装置
公开(公告)号：KR1020070056726A
公开(公告)日：2007-06-04
申请号：KR1020050115742
申请日：2005-11-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박진준 , 윤석필
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/67253 , B01D19/0036 , H01L21/67017 , H01L21/6715
摘要： An apparatus for dispensing a photosensitive solution in semiconductor device fabrication equipment is provided to remove air bubbles from the photosensitive solution by using a degassing unit. One or more supply receptacles(100) are used for storing a photosensitive solution. One or more tanks(200) are used for receiving the photosensitive solution from the supply receptacles and storing temporarily the photosensitive solution. A pump unit(300) pumps the photosensitive solution stored in the tanks. A filter unit(400) removes contaminants from the photosensitive solution by filtering the photosensitive solution of the pump unit. One or more degassing units(500,550) remove air bubbles from the filtered photosensitive solution or the stored photosensitive solution.
摘要翻译：提供一种用于在半导体器件制造设备中分配光敏溶液的设备，以通过使用脱气单元从感光溶液中除去气泡。一个或多个供应容器（100）用于存储光敏溶液。一个或多个罐（200）用于从供应容器接收光敏溶液并暂时存储感光溶液。泵单元（300）泵送存储在箱中的感光溶液。过滤器单元（400）通过过滤泵单元的感光溶液来从感光溶液中去除污染物。一个或多个脱气单元（500,550）从过滤的感光溶液或存储的感光溶液中除去气泡。

4. 发明授权

KR100703027B1 리세스 게이트 형성 방법 有权
标题翻译：形成凹槽的方法
公开(公告)号：KR100703027B1
公开(公告)日：2007-04-06
申请号：KR1020050089074
申请日：2005-09-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박진준
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/10876 , H01L29/66621
摘要： 보이드 생성을 억제할 수 있는 리세스 게이트의 형성 방법에 관한 것으로서, 기판 표면 아래에 상부 리세스 및 상부 리세스보다 큰 폭을 갖는 하부 리세스로 이루어진 게이트 리세스를 형성한다. 게이트 리세스의 내측 표면에 게이트 절연막을 형성하고, 게이트 절연막 및 기판 상에 제1 실리콘층을 연속적으로 형성한다. 제1 실리콘층의 표면에 실리콘 산화막을 형성하고, 환원 분위기에서 열처리함으로써 실리콘 산화막 내의 산소 성분을 선택적으로 제거함과 동시에 제1 실리콘층 및 실리콘 산화막 내의 실리콘 원자의 이동을 통해 게이트 리세스를 충분히 채우는 실리콘 매립층을 형성한다. 실리콘 매립층 상에 제2 실리콘층을 형성하고, 실리콘 매립층 및 제2 실리콘층을 패터닝하여 게이트 전극을 형성한다. 따라서, 하부 폭이 확장된 리세스에 매립되는 게이트 전극 내부에 보이드 생성이 억제되어 상기 보이드로 인한 소자의 동작 불량을 감소시킬 수 있다.

5. 发明授权

KR100610010B1 반도체 식각 장치 失效
标题翻译：装置
公开(公告)号：KR100610010B1
公开(公告)日：2006-08-08
申请号：KR1020040056176
申请日：2004-07-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최성석 , 박진준
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/32623 , H01J37/3266 , H01L21/6831
摘要： 본 발명은 반도체 식각 장치에 관한 것으로서, 본 발명은 프로세스 챔버(100)와, 이 프로세스 챔버(100)의 내부에서 웨이퍼(W)가 안착되도록 구비되면서 외주연 상단부는 내측으로 요입시켜 단차지도록 한 링 안치부(111)를 형성하는 정전 척(110)과, 이 정전 척(110)의 에지부 식각을 방지하기 위해 링 안치부(111)에 에지 링이 구비되도록 하는 반도체 식각 장치에서, 정전 척(110)의 링 안치부(111)에 구비되는 에지 링을 크게 에지 링 부재(120)와 스페이서 부재(130)로서 구비하되 외측으로 면적을 더욱 확장되게 한 에지 링 부재는 다시 두께를 달리하는 링형상의 외부(121)와 내부(122)가 일체로 형성되는 구성이고, 상대적으로 두께를 얇게 한 내부(122)의 저면은 스페이서 부재(130)에 의해서 지지되도록 하는 구성으로서, 웨이퍼(W)의 상부에서 형성되는 플라즈마의 형성 범위를 더욱 외측으로 확장되게 함으로써 웨이퍼 에지 부위에서의 플라즈마의 직진성을 향상시켜 웨이퍼 에지부 패턴의 수직 특성이 향상되도록 하는데 특징이 있다.
식각 장치, 에지 링 부재, 스페이서 부재, 전자석 부재

6. 发明授权

KR100452318B1 압력조절시스템 및 이를 이용하는 압력조절방법 失效
标题翻译： 압력조절시스템및이를이용하는압력조절방법
公开(公告)号：KR100452318B1
公开(公告)日：2004-10-12
申请号：KR1020020002715
申请日：2002-01-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박진준 , 홍진석
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/67253 , B01J2219/00162 , B01J2219/00191 , C23C16/45557 , G05D16/2053 , H01J37/32449
摘要： A desired level of pressure is established in at least one chamber that forms part of a closed atmosphere, such as in a semiconductor device processing facility. A pressure control system includes at least one space increase/decrease device that has a partition which is movable to increase and/or decrease the volume of free space within the chamber(s), a pressure sensor for detecting the pressure within the chamber(s), and a controller for controlling the movement of the partition based on the detected pressure. A chamber is provided with positive or negative pressure to increase or decrease the pressure therein while the pressure in the chamber is monitored. As soon as the pressure within the chamber equals a predetermined pressure, the providing of the positive or negative pressure is stopped. The partition is moved to vary the effective volume of free space in the chamber(s) to change the pressure in the chamber from the predetermined pressure to the desired pressure.
摘要翻译：例如在半导体器件处理设施中，在形成封闭气氛的一部分的至少一个室中建立期望水平的压力。压力控制系统包括至少一个空间增大/减小装置，该空间增大/减小装置具有可移动以增加和/或减小室内自由空间体积的隔板，用于检测室内压力的压力传感器）以及用于基于检测到的压力来控制分区的移动的控制器。当监测室内的压力时，室设有正压或负压以增加或减小其中的压力。一旦腔室内的压力等于预定压力，停止提供正压力或负压力。移动隔板以改变腔室中自由空间的有效体积，以将腔室中的压力从预定压力改变为期望压力。

7. 发明公开

KR1020030062500A 압력조절시스템 및 이를 이용하는 압력조절방법 失效
标题翻译：压力控制系统和压力控制方法
公开(公告)号：KR1020030062500A
公开(公告)日：2003-07-28
申请号：KR1020020002715
申请日：2002-01-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박진준 , 홍진석
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/67253 , B01J2219/00162 , B01J2219/00191 , C23C16/45557 , G05D16/2053 , H01J37/32449
摘要： PURPOSE: A pressure control system is provided to prevent process equipment including a wafer from being contaminated by more easily and rapidly forming pressure in a chamber and by accurately and rapidly forming the balance of pressure of chambers connected thereto. CONSTITUTION: At least one space adding/subtracting unit(96a,96b) is installed to change the position of a boundary between the chamber and the space adding and subtracting unit so that the size of the space inside the chamber is added or subtracted. A drive unit(98a,98b) drives to control the position of the boundary of each space adding/subtracting unit according to an applied control signal. A pressure sensor detects the pressure state inside the chamber. A controller(84a,84b) receives a pressure state signal inside the chamber from the pressure sensor and controls the drive unit.
摘要翻译：目的：提供一种压力控制系统，以防止包括晶片在内的工艺设备被更容易且快速地在室中形成的压力而被污染，并且通过精确而快速地形成与其连接的室的压力的平衡。构成：安装至少一个空间加减装置（96a，96b），以改变腔室与空间加减装置之间的边界的位置，使得加入或减去腔室内空间的大小。驱动单元（98a，98b）驱动以根据所施加的控制信号来控制每个空间加减法单元的边界的位置。压力传感器检测室内的压力状态。控制器（84a，84b）从压力传感器接收室内的压力状态信号并控制驱动单元。

8. 发明授权

KR100814408B1 비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조 방법. 有权
标题翻译：非易失性存储器件及其制造方法
公开(公告)号：KR100814408B1
公开(公告)日：2008-03-18
申请号：KR1020070033386
申请日：2007-04-04
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박진준 , 곽희진 , 진범준
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L21/28273 , H01L27/115 , H01L29/66825 , H01L21/76838 , H01L29/42324
摘要： An NVM(non-volatile memory) device is provided to reduce an interference phenomenon between floating gate patterns by preventing a dielectric layer with a high dielectric constant from being interposed between the floating gate patterns. Isolation layer patterns(108) protrude from the surface of a substrate(100). Spacers(114) are formed on the sidewall of a protruding portion from the isolation layer patterns to the surface of the substrate. A tunnel oxide layer pattern(116) is formed on the substrate positioned between the spacers. A floating gate pattern(120a) is formed on the tunnel oxide layer pattern to come in contact with the sidewall of the spacer wherein the width of the floating gate pattern increase as it goes upward. A dielectric layer pattern(122a) is formed on the isolation layer pattern and the floating gate pattern. A control gate pattern(124a) is formed on the dielectric layer pattern. The upper surface of the floating gate pattern can be lower than the upper surface of the isolation layer pattern.
摘要翻译：提供一种NVM（非易失性存储器）器件，用于通过防止介电常数高的介质层插在浮置栅极图案之间来减少浮动栅极图案之间的干扰现象。隔离层图案（108）从基板（100）的表面突出。间隔物（114）形成在从隔离层图案到基底表面的突出部分的侧壁上。隧道氧化物层图案（116）形成在位于间隔物之间的衬底上。在隧道氧化物层图案上形成浮栅图案（120a）以与间隔物的侧壁接触，其中浮栅图案的宽度随着其上升而增加。在隔离层图案和浮栅图案上形成电介质层图案（122a）。在电介质层图案上形成控制栅极图案（124a）。浮栅图案的上表面可以低于隔离层图案的上表面。

9. 发明授权

KR100714280B1 오버레이 계측설비 및 그를 이용한 오버레이 계측방법 有权
标题翻译：覆盖测量设备和使用相同的覆盖测量方法
公开(公告)号：KR100714280B1
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：KR1020060038074
申请日：2006-04-27
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최교형 , 박진준
IPC分类号： H01L21/027

10. 发明公开

KR1020070034651A 리세스 게이트 형성 방법 有权
标题翻译： 리세스게이트형성방법
公开(公告)号：KR1020070034651A
公开(公告)日：2007-03-29
申请号：KR1020050089074
申请日：2005-09-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박진준
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/10876 , H01L29/66621 , H01L27/10823 , H01L29/4236
摘要： A method of forming a recessed gate may include forming a gate recess including an upper recess and a lower recess at an upper portion of a semiconductor substrate, the lower recess may have a width substantially wider than that of the upper recess, forming a gate insulation layer on an inner surface of the gate recess, forming a first silicon layer on the semiconductor substrate including the gate insulation layer to form an open void within the gate recess, forming a stop layer having a high thermal resistance on the first silicon layer to prevent a void from moving around within the gate recess, forming a second silicon layer on the first silicon layer, and patterning the second and the first silicon layers to form a gate electrode.
摘要翻译：形成凹陷栅极的方法可以包括在半导体衬底的上部形成包括上凹陷和下凹陷的栅极凹陷，下凹陷可以具有基本上比上凹陷的宽度更宽的宽度，形成栅绝缘体在所述栅极凹槽的内表面上形成第一硅层，在包括所述栅极绝缘层的所述半导体衬底上形成第一硅层，以在所述栅极凹槽内形成开放空隙，在所述第一硅层上形成具有高热阻的停止层，以防止空隙不会在栅极凹槽内四处移动，在第一硅层上形成第二硅层，以及图案化第二硅层和第一硅层以形成栅电极。

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