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    • 10. 发明授权
    • 불휘발성 메모리 장치
    • KR101925018B1
    • 2018-12-05
    • KR1020120065610
    • 2012-06-19
    • 삼성전자주식회사
    • 권오석주상현김형준박기태신승환
    • G11C16/34G11C16/26G11C16/24
    • 본 발명은 불휘발성 메모리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 불휘발성 메모리 장치는 복수의 메모리 셀들을 포함하는 메모리 셀 어레이, 복수의 비트 라인들을 통하여 상기 메모리 셀 어레이와 연결되고, 상기 복수의 비트 라인들을 선택적으로 프리차지하는 페이지 버퍼 회로 및 읽기 동작시 제 1 시간 동안 프리차지 전압이 상기 복수의 비트 라인들 중 선택된 비트 라인들에 인가되도록 상기 페이지 버퍼 회로를 제어하고, 검증 읽기 동작시 상기 제 1 시간과 상이한 제 2 시간 동안 프리차지 전압이 상기 복수의 비트 라인들 중 선택된 비트 라인들에 인가되도록 상기 페이지 버퍼 회로를 제어하는 제어 로직을 포함하며, 상기 제 2 시간은 검증 읽기 동작시 상기 복수의 비트 라인들 중 선택된 비트 라인들의 수를 기초로 제공된다. 따라서 본 발명의 불휘발성 메모리 장치는 프로그램 검증 전압의 프리차지 시간을 제어하여 프로그램 시간을 단축할 수 있다.