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1. 发明专利

KR20210025812A KR20210025812A - Electronic apparatus, display apparatus and method for controlling thereof 审中-公开
公开(公告)号：KR20210025812A
公开(公告)日：2021-03-10
申请号：KR1020190105614A
申请日：2019-08-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김한수
IPC分类号： G06F3/16 , G06F3/0481 , G06F11/32 , G10L15/01 , G10L15/22
CPC分类号： G06F3/167 , G06F1/3231 , G06F1/3265 , G06F11/324 , G06F3/0481 , G10L15/01 , G10L15/22 , H04N21/42222 , G10L2015/221
摘要： 본 발명은 전자장치, 디스플레이장치 및 그 제어방법에 관한 것으로서, 전자장치는, 사운드를 출력할 수 있는 스피커와; 사용자음성을 수신할 수 있는 마이크와; 통신을 수행할 수 있는 통신부와; 사용자음성이 수신되는 것에 기초하여, 통신부를 통해 외부장치의 상태를 식별하고, 외부장치가 턴오프 상태로 식별된 것에 기초하여, 수신된 사용자음성을 처리하여, 처리 결과에 대응하는 사운드가 스피커를 통해 출력되도록 하고, 외부장치가 턴온 상태로 식별된 것에 기초하여, 수신된 사용자음성의 정보를 외부장치로 전송하여, 음성의 처리를 요청하도록 통신부를 제어하는 프로세서를 포함한다.

2. 发明申请

WO2019132258A1 디스플레이 장치 및 그 제어 방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2019132258A1
公开(公告)日：2019-07-04
申请号：PCT/KR2018/014398
申请日：2018-11-22
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이은진 , 김한수 , 윤하정 , 전병정 , 박효승 , 정성욱
IPC分类号： H04N21/422 , H04N21/431 , G06F3/01 , G06F3/16 , G06N3/08 , G06N99/00
CPC分类号： G06F3/01 , G06F3/16 , G06N3/08 , G06N99/00 , H04N21/422 , H04N21/431
摘要： 디스플레이 장치가 개시된다. 본 발명에 따른 디스플레이 장치는 센서, 디스플레이, 디스플레이 장치에서 제공된 컨텐츠에 대한 히스토리 정보가 저장된 저장부 및 기설정된 이벤트가 발생하면 센서를 통해 사용자와 디스플레이 장치 사이의 거리에 대한 정보를 획득하고, 획득된 정보에 기초하여, 사용자가 디스플레이 장치를 기준으로 거리에 따라 구분되는 복수의 영역 중 제1 영역에 존재하는 것으로 확인되면, 디스플레이에 배경 화면을 표시하고, 획득된 정보에 기초하여, 사용자가 복수의 영역 중 제2 영역에 존재하는 것으로 확인되면, 제1 히스토리 정보에 기초하여 컨텐츠를 제공하고, 획득된 정보에 기초하여, 사용자가 복수의 영역 중 제3 영역에 존재하는 것으로 확인되면, 제2 히스토리 정보에 기초하여 컨텐츠를 제공하는 프로세서를 포함하고, 제1 히스토리 정보는, 사용자가 제2 영역에 존재하는 동안 디스플레이 장치에서 제공된 컨텐츠에 대한 정보를 포함하고, 제2 히스토리 정보는, 사용자가 제3 영역에 존재하는 동안 디스플레이 장치에서 제공된 컨텐츠에 대한 정보를 포함할 수 있다. 이와 같은 디스플레이 장치는, 컨텐츠를 제공함에 있어서 기계 학습, 신경망 또는 딥러닝 알고리즘 중 적어도 하나에 따라 학습된 인공 지능(AI) 모델을 이용하여 컨텐츠를 제공할 수도 있다.

3. 发明授权

KR101862543B1 깊이정보 생성장치, 깊이정보 생성방법 및 그 저장매체 有权
公开(公告)号：KR101862543B1
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：KR1020110091308
申请日：2011-09-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 권오재 , 문지범 , 김한수 , 손영욱 , 김서영
IPC分类号： H04N13/00
CPC分类号： H04N13/271 , G06T7/50 , G06T2200/24 , G06T2207/20092
摘要： 본발명은깊이정보생성장치, 깊이정보생성방법및 그방법에따라컴퓨터로실행가능한명령으로인코딩된컴퓨터판독가능한기록매체에관한것이다. 본발명에따른깊이정보생성장치는, 복수의프레임을포함하는 2D 영상신호를수신하는수신부와; 사용자입력부와; 깊이정보생성을위한가이드정보를입력할수 있는툴UI를생성하는 UI 생성부와; 상기복수의프레임중 깊이정보를생성하고자하는프레임및 상기생성된툴UI를표시하는디스플레이부와; 상기툴UI를통하여사용자입력부에의하여입력된가이드정보에대응되는깊이정보를생성하는깊이정보생성부를포함한다.

4. 发明授权

KR101840818B1 음극활물질, 이를 포함하는 전극, 이를 채용한 리튬전지 및 이의 제조방법 有权
标题翻译：负极活性物质，包含其的电极，使用其的锂电池及其制造方法
公开(公告)号：KR101840818B1
公开(公告)日：2018-03-22
申请号：KR1020110065135
申请日：2011-06-30
申请人： 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
发明人： 손정국 , 최재만 , 권문석 , 송민상 , 황승식 , 김한수 , 김지만 , 박귀옥
IPC分类号： H01M4/48 , C01G45/02 , H01M10/052 , H01G9/042
CPC分类号： B82Y30/00 , C01G45/02 , C01P2002/72 , C01P2004/51 , C01P2004/53 , C01P2004/64 , C01P2006/14 , C01P2006/16 , C01P2006/40 , H01G11/06 , H01G11/46 , H01G11/50 , H01M4/50 , H01M4/502 , H01M10/0525 , Y02E60/122 , Y02E60/13 , Y02P70/54 , Y02T10/7011 , Y02T10/7022 , Y10T428/249921 , Y10T428/268
摘要： 규칙적인다공성(ordered porous) 망간산화물을포함하며, 상기망간산화물의기공(pore)이이중크기분포(bimodal size distribution)를가지는음극활물질, 이를포함하는전극, 이를채용한리튬전지및 상기음극활물질의제조방법이제시된다.
摘要翻译：包含有序多孔氧化锰且具有氧化锰孔隙的双峰尺寸分布的负极活性材料，包含其的电极，使用其的锂电池，提出了一种制造方法。

5. 发明公开

KR1020170106893A 영상 표시 장치 및 그 동작 방법 审中-实审
标题翻译：图像显示装置及其操作方法
公开(公告)号：KR1020170106893A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：KR1020160096122
申请日：2016-07-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 옥동원 , 박재오 , 김한수 , 변지은
IPC分类号： H04N21/472 , H04N21/482 , H04N21/431
摘要： 채널-업(up) 키또는채널-다운(down) 키를길게누르는제1 입력과상기채널-업(up) 키또는채널-다운(down) 키를릴리즈(release)하는제2 입력을감지하는감지부, 채널스크롤바 및채널지시자를표시하는디스플레이부, 프로세서, 적어도하나의채널에대응하는채널정보를저장하는메모리및 상기메모리에저장되고, 상기프로세서에의해실행되는하나이상의프로그램들을포함하고, 상기하나이상의프로그램들은, 상기제1 입력에응답하여, 상기채널지시자를상기채널스크롤바 상에서제1 방향또는제2 방향으로이동시키며, 상기채널지시자가위치하는지점에대응하는채널에대한채널정보를상기디스플레이부에표시하도록제어하고, 상기제2 입력에응답하여, 현재채널을상기채널지시자가위치하는지점에대응하는채널로전환하여, 전환된채널에대응하는영상을표시하기위한인스트럭션들(instructions)을포함하는영상표시장치가개시된다.
摘要翻译：用于按下频道向上键或频道向下键的第一输入和用于释放频道向上键或频道向下键的第二输入，存储器，用于存储对应于所述至少一个频道的频道信息以及存储在所述存储器中并且由所述处理器执行的一个或多个节目，一个或多个程序，响应于所述第一类型，则移动到在所述第一方向或所述信道的滚动条，对应于所述点的信道的显示的频道信息对所述第二方向上的信道指示在其中信道指示器位置响应于第二输入，将当前频道切换到与频道指示符所处的点对应的频道，并且显示与切换后的频道相对应的图像提供了包含reoksyeon（指令）的视频显示装置。

6. 发明授权

KR101744127B1 반도체 소자 및 그 제조방법 有权
标题翻译：半导体装置及其制造方法
公开(公告)号：KR101744127B1
公开(公告)日：2017-06-08
申请号：KR1020100114544
申请日：2010-11-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박상용 , 박진택 , 김한수 , 정주혁 , 조원석
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L21/823475 , H01L27/11519 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/11565 , H01L27/11575 , H01L27/11582 , H01L29/7926
摘要： 본발명은반도체소자및 그제조방법에관한것이다. 본발명의반도체소자는기판상에수직방향으로직렬연결된복수개의메모리셀들, 및상기복수개의메모리셀들의상부및 하부에각각배치되어상기복수개의메모리셀들과직렬연결된상부및 하부비메모리셀들을포함할수 있다. 상기셀들은계단구조를이루는패드들을포함할수 있다. 상기상부및 하부비메모리셀들중 적어도어느하나는상기수직방향으로인접한복수개의적층비메모리셀들을포함하되, 상기복수개의적층비메모리셀들의패드들의어느하나로부터다른하나로수직연장되어상호연결하는전도체를포함할수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。本发明的半导体器件包括在衬底上沿垂直方向串联连接的多个存储器单元以及分别布置在所述多个存储器单元的上部和下部中的上部和下部非存储器单元，你可以包括它。单元可以包括形成台阶结构的焊盘。上部和下部非存储器单元中的至少一个包括多个垂直相邻堆叠的非存储器单元，其中垂直延伸导体从多个堆叠的非存储器单元的一个焊盘互连，在可以包含。

7. 发明授权

KR101702356B1 전하 트랩형 플래시 메모리 장치 및 그것의 소거 방법 有权
标题翻译：充电跟踪闪存存储器件及其擦除方法
公开(公告)号：KR101702356B1
公开(公告)日：2017-02-03
申请号：KR1020100076536
申请日：2010-08-09
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김주형 , 강창석 , 김한수 , 최병인
IPC分类号： G11C16/14 , G11C16/16 , G11C16/34 , G11C16/08
CPC分类号： G11C16/16 , G11C16/32
摘要： 본발명의전하트랩형플래시메모리장치의소거방법은, 온도감지결과를받아들이는단계, 그리고상기온도감지결과를근거로하여노말소거동작과변형소거동작을선택적으로실행하는단계를포함하며, 상기변형소거동작은소거실행구간동안워드라인들로인가되는워드라인전압의레벨, 상기소거실행구간과소거검증구간사이의지연시간의길이, 및상기지연시간동안상기워드라인들로인가되는상기워드라인전압의레벨중 적어도하나를가변시킬수 있다.
摘要翻译：一种电荷捕捉闪存器件的擦除方法，该方法包括接收温度检测结果，并且基于温度检测结果执行擦除操作，其中擦除操作包括擦除执行间隔，擦除验证间隔和延迟时间在所述擦除执行间隔和所述擦除验证间隔之间，其中所述擦除操作改变在所述擦除执行间隔期间施加到字线的字线电压的电平，所述延迟时间的长度，或施加到所述擦除执行间隔的字线电压的电平延迟时间内的字线。

8. 发明授权

KR101701415B1 음극활물질, 그 제조방법 및 이를 채용한 음극과 리튬전지 有权
标题翻译：阳极活性材料制备相同的阳极和锂电池的材料
公开(公告)号：KR101701415B1
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：KR1020100039498
申请日：2010-04-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최재만 , 김한수 , 권문석 , 황승식 , 송민상
IPC分类号： H01M4/58 , H01M4/485 , H01M4/40 , H01M10/0525 , H01M4/36 , H01M4/02
CPC分类号： H01M4/581 , H01M4/366 , H01M4/38 , H01M4/485 , H01M10/052 , H01M2004/027 , Y02E60/122 , Y02T10/7011
摘要： 몰리브덴계재료를포함하는코어와상기코어표면의적어도일부에형성된코팅층을포함하며, 상기코팅층이몰리브덴질산화물(Molybdenum oxynitride) 및/또는몰리브덴질화물(Molybdenum nitride)을포함하는음극활물질, 그제조방법, 및이를포함하는음극과리튬전지가제시된다.
摘要翻译：一种负极活性材料，包括：具有钼基材料的芯; 以及形成在所述芯的表面的至少一部分上的涂层，其中所述涂层包括选自氮氧化钼和氮化钼中的至少一种材料，其制备方法以及阳极和锂电池。

9. 发明授权

KR101616089B1 3차원 반도체 메모리 소자 有权
标题翻译： 3三维半导体存储器件
公开(公告)号：KR101616089B1
公开(公告)日：2016-04-28
申请号：KR1020090055441
申请日：2009-06-22
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정재훈 , 김한수 , 장재훈 , 심선일
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： H01L27/115 , H01L27/105 , H01L27/11551 , H01L27/11556 , H01L27/11578 , H01L27/11582
摘要： 3차원반도체메모리소자가제공된다. 3차원반도체메모리소자는리세스영역을가지는반도체기판, 리세스영역으로부터멀어지는방향으로연장된활성패턴, 반도체기판상에활성패턴과대향하며수평방향으로연장되는하부선택게이트을포함한다.

10. 发明授权

KR101524830B1 반도체 소자 및 그 형성방법 有权
标题翻译：半导体器件及其形成方法
公开(公告)号：KR101524830B1
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：KR1020090065966
申请日：2009-07-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정재훈 , 임주영 , 김한수 , 장재훈 , 심선일 , 심재주
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L27/11578 , H01L27/11582
摘要： 반도체소자가제공된다. 이반도체소자는반도체기판상에교대로적층된복수의셀 게이트패턴들및 절연패턴들을포함하며제1 방향으로연장되는게이트적층구조물을포함한다. 게이트적층구조물내에는, 게이트적층구조물을관통하며상기제1 방향과교차하는제2 방향으로이격되어배치되는활성패턴들, 및셀 게이트패턴들과상기활성패턴사이에개재되며, 상기셀 게이트패턴들의상부면및 하부면상으로연장되는게이트유전패턴이배치된다. 활성패턴들은게이트적층구조물내의셀 게이트패턴들을공유할수 있다.

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