会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 8. 发明公开
    • 불휘발성 메모리 장치 및 그 소거 방법
    • 非易失性存储器件及其擦除方法
    • KR1020150002292A
    • 2015-01-07
    • KR1020130075938
    • 2013-06-28
    • 삼성전자주식회사
    • 김주형강창석김영석
    • G11C16/14G11C16/30
    • G11C16/14G11C16/0483G11C2216/18
    • 불휘발성 메모리 장치가 개시된다. 상기 불휘발성 메모리 장치는 기판 상에 제공되는 복수의 셀 스트링들을 포함하며, 상기 복수의 셀 스트링들 각각은 상기 기판과 수직한 방향으로 적층된 적어도 하나의 그라운드 선택 트랜지스터 및 복수의 셀 트랜지스터들을 포함하며, 상기 기판과 상기 셀 스트링들의 채널 영역은 동일한 도전형을 가지며, 소거 동작 시, 상기 기판에 소거 전압을 제공하는 기판 바이어스 회로; 및 소거 동작 시, 상기 그라운드 선택 트랜지스터에 그라운드 선택 라인 포화 전압을 제공하는 그라운드 선택 라인 전압 발생부를 포함한다.
    • 公开了一种具有可靠性提高的非易失性存储器件。 非易失性存储器件包括设置在基板上的多个单元串。 每个单元串包括多个单元晶体管和至少一个沿垂直于衬底的垂直方向堆叠的接地选择晶体管。 电池串的衬底和沟道区具有相同的导电类型。 根据本发明的非易失性存储装置包括:衬底偏置电路,其在擦除操作中向衬底提供擦除电压;以及接地选择线电压产生单元,其在擦除中向接地选择晶体管提供接地选择线饱和电压 操作。