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1. 发明公开

KR1020150097022A 결정 품질 평가장치, 및 그것을 포함한 반도체 발광소자의 제조 장치 및 제조 방법 审中-实审
标题翻译：评价用于水晶质量的装置，以及制造包含其中的半导体发光装置的装置和方法
公开(公告)号：KR1020150097022A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：KR1020140018034
申请日：2014-02-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 서종욱 , 김병균 , 윤석호 , 이건훈 , 이기원 , 이도영 , 이상돈
IPC分类号： G01N21/55 , H01L21/66
CPC分类号： C30B25/08 , C30B25/00 , C30B25/16 , C30B29/406 , G01N21/9501 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L22/12 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/06
摘要： 결정 품질 평가장치는 브이-피트가 형성된 웨이퍼의 표면 반사율을 측정할 수 있는 광학 장치와, 상기 광학 장치로부터 측정된 상기 웨이퍼의 표면 반사율 감소분을 수집하여 관통 전위 밀도를 산정하는 데이터 처리부를 포함한다.
摘要翻译：一种用于晶体质量的评估装置包括：能够测量具有V凹坑的晶片的表面反射率的光学装置; 以及数据处理单元，收集从光学装置测量的晶片的表面反射率的降低，以计算穿透位错密度。本发明的目的是提供一种用于晶体质量的评估装置，以及一种用于制造包含该晶体的半导体发光器件的装置和方法，其能够防止氮化物族半导体发光器件的性能的劣化和可靠性恶化。

2. 发明公开

KR1020120138493A 반도체 발광소자 제조방법 有权
标题翻译：制造发光二极管的方法
公开(公告)号：KR1020120138493A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：KR1020110058004
申请日：2011-06-15
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 맹종선 , 박기호 , 김범준 , 류현석 , 이정현 , 김병균 , 김기성 , 윤석호
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/67 , H01L21/687
CPC分类号： H01L33/007 , H01L21/67109 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L21/3065 , H01L2933/0008
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor light emitting device is provided to minimize damage to a wafer surface by removing a semiconductor layer remaining on the wafer surface with etching gas. CONSTITUTION: A reaction chamber(10) includes a chamber body(11) and a chamber cover(12) covering the chamber body. A susceptor(20) is fixed to or rotated in the chamber body. A pocket(21) is depressed in the upper side of the susceptor. A heating unit(22) heats the reaction chamber including the susceptor. A gas supply unit(40) supplies reaction gas to the susceptor.
摘要翻译：目的：提供一种制造半导体发光器件的方法，通过用蚀刻气体去除晶片表面上残留的半导体层来最小化对晶片表面的损伤。构成：反应室（10）包括室主体（11）和覆盖室主体的室盖（12）。基座（20）固定在腔体内或在腔体内旋转。凹穴（21）在基座的上侧被压下。加热单元（22）加热包括基座的反应室。气体供给单元（40）向基座供给反应气体。

3. 发明授权

KR100525001B1 포커스 온 신호 모니터링을 이용한 클로즈 루프 온 시점학습 방법 失效
标题翻译：通过对信号进行监控来学习闭环点的方法
公开(公告)号：KR100525001B1
公开(公告)日：2005-10-31
申请号：KR1020040002931
申请日：2004-01-15
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김병균
IPC分类号： G11B7/004
摘要： 본 발명은 레이어 점프 실패를 최소화하기 위해 포커스 온 신호 모니터링 하여 픽업의 점프 동작을 제어하는 시점인 클로즈 루프 온 시점 학습하는 포커스 온 신호 모니터링을 이용한 클로즈 루프 온 시점 학습 방법에 관한 것이다. 포커스 온 신호 모니터링을 이용한 클로즈 루프 온 시점 학습 방법은 점프할 목표 레이어 및 해당 레이어에서 픽업이 점프할 위치의 조합으로 킥 밸류 테이블 설정하고 목표 레이어로의 점프를 수행하며, DSP가 픽업의 동작을 제어하는 시점인 클로즈 루프 온 시점을 알 수 있는 포커스 온 플래그가 설정되면 포커스 에러 레벨을 디지털로 변환한 후, 레이어 점프의 성공/실패 여부를 판단하여 레이어 점프에 실패한 경우, 디지털 포커스 에러 레벨의 안정/불안정 영역을 판단하여 픽업을 동작시키는 킥 펄스를 조정하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 포커스 온 신호 모니터링을 이용한 클로즈 루프 온 시점 학습하여 레이어 점프 실패를 최소화함으로써 점프 실패로 인한 실시간 듀얼 Readability 저하를 방지할 수 있다.

4. 发明授权

KR102140789B1 결정 품질 평가장치, 및 그것을 포함한 반도체 발광소자의 제조 장치 및 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102140789B1
公开(公告)日：2020-08-03
申请号：KR1020140018034
申请日：2014-02-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 서종욱 , 김병균 , 윤석호 , 이건훈 , 이기원 , 이도영 , 이상돈
IPC分类号： G01N21/55 , H01L21/66

5. 发明公开

KR1020170000045A 반도체 발광소자 审中-实审
标题翻译：半导体发光装置
公开(公告)号：KR1020170000045A
公开(公告)日：2017-01-02
申请号：KR1020150088594
申请日：2015-06-22
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김종학 , 사공탄 , 심은덕 , 이정욱 , 임진영 , 김병균
IPC分类号： H01L33/22
CPC分类号： H01L33/58 , H01L33/007 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L2224/14 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2924/181 , H01L2933/0083 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要： 본발명의일 실시예에따른반도체발광소자는, 기판, 및기판으로부터돌출되며, 기판과다른물질로이루어진제1층과상기제1층상에기판과다른물질로이루어진제2층을포함하는볼록부들을포함한다. 여기서, 제2층의높이는제1층의높이보다높을수 있고, 제1층의높이는 240nm 내지 380nm 일수 있다.
摘要翻译：半导体发光器件包括由第一材料形成的衬底; 以及从所述基板突出的凸部，包括：与所述基板的第一材料形成的第一层; 以及由与第一材料不同的第二材料形成并设置在第一层上的第二层。第二层的第二高度大于第一层的第一高度。

6. 发明公开

KR1020150086689A 반도체 발광소자 审中-实审
标题翻译：发光装置
公开(公告)号：KR1020150086689A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：KR1020140006666
申请日：2014-01-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 사공탄 , 김병균 , 신동익 , 임진영 , 김영선 , 윤석호
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/12
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/10
摘要： 본발명은반도체발광소자에관한것으로서, 기판상에형성되며내부에결함영역을갖는하부반도체층; 상기하부반도체층상에서상기결함영역과대응되는영역에배치되는캐비티; 상기하부반도체층의적어도일 영역및 상기캐비티를덮도록배치되는캡핑층; 및상기캡핑층상에배치되며, 제1 도전형반도체층, 활성층및 제2 도전형반도체층을포함하는발광구조물;을포함하여, 발광구조물에형성된격자결함이감소되어발광효율이향상되는효과가있다.
摘要翻译：本发明涉及一种发光装置。它包括形成在衬底上并具有缺陷区的下半导体层; 空腔，其布置在与所述下半导体层上的所述缺陷区域对应的区域中; 封盖层，其覆盖所述空腔和所述下半导体层的至少一个区域; 以及布置在覆盖层上并包括第一导电类型半导体层，有源层和第二导电类型半导体层的发光结构。通过减少形成发光结构的晶格缺陷可以提高发光效率。

7. 发明公开

KR1020130103069A 질화물계 반도체 발광소자 无效
标题翻译：基于氮化物的半导体发光器件
公开(公告)号：KR1020130103069A
公开(公告)日：2013-09-23
申请号：KR1020120024410
申请日：2012-03-09
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 맹종선 , 김병균 , 윤미정 , 김범준 , 김기성 , 윤석호 , 김영선
IPC分类号： H01L33/22
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/36
摘要： PURPOSE: A nitride-based semiconductor light emitting device is provided to improve light extraction efficiency by forming a first electrode and a second electrode. CONSTITUTION: A light emitting structure (20) includes a first conductivity type nitride semiconductor layer, a second conductivity type nitride semiconductor layer, and an active layer. The active layer is formed between the first conductivity type nitride semiconductor layer and the second conductivity type nitride semiconductor layer. An intermediate layer (30) is formed on at least one surface of the light emitting structure. An undoped GaN layer (40) includes a first region and a second region. The second region is formed on the upper surface of the first region.
摘要翻译：目的：提供一种氮化物基半导体发光器件，以通过形成第一电极和第二电极来提高光提取效率。构成：发光结构（20）包括第一导电型氮化物半导体层，第二导电型氮化物半导体层和有源层。有源层形成在第一导电型氮化物半导体层和第二导电型氮化物半导体层之间。在发光结构的至少一个表面上形成中间层（30）。未掺杂的GaN层（40）包括第一区域和第二区域。第二区域形成在第一区域的上表面上。

8. 发明授权

KR101717670B1 반도체 발광소자 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101717670B1
公开(公告)日：2017-03-17
申请号：KR1020110058004
申请日：2011-06-15
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 맹종선 , 박기호 , 김범준 , 류현석 , 이정현 , 김병균 , 김기성 , 윤석호
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/67 , H01L21/687
CPC分类号： H01L33/007 , H01L21/67109 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L33/0079
摘要： 본발명의실시예에따른반도체발광소자제조방법은, 반도체성장용기판상에제1 도전형반도체층, 활성층및 제2 도전형반도체층을순차적으로성장시켜발광부를형성하는단계; 상기제2 도전형반도체층상에상기발광부와결합되도록지지부를형성하는단계; 상기발광부로부터상기반도체성장용기판을분리하는단계; 및상기분리된반도체성장용기판표면에잔존하는반도체층이제거되도록상기반도체성장용기판에식각가스를적용하는단계;를포함한다.

9. 发明授权

KR100555562B1 인공 오프셋 위치 예측 알고리즘을 이용한 오프셋 조정 방법 失效
标题翻译：用于估计人工偏移位置的算法调整偏移的方法
公开(公告)号：KR100555562B1
公开(公告)日：2006-03-03
申请号：KR1020040016871
申请日：2004-03-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김병균
IPC分类号： G11B7/09
摘要： 본 발명은 인공 오프셋 위치 예측 알고리즘을 이용하여 서보의 오프셋을 조정하는 방법에 관한 것이다. 인공 오프셋 위치 예측 알고리즘을 이용한 오프셋 조정 방법은 (a) 임의의 신호의 오프셋 변동량을 획득하고 제1 및 제2 구간에서 오프셋 변동량의 합을 획득하여 최종 오프셋 변동량을 획득하는 단계, (b) 상기 획득된 최종 오프셋 변동량으로부터 서보에 대한 최적의 오프셋 위치를 예측하는 단계, (c) 상기 서보가 최적의 오프셋에 위치되도록 상기 제1 및 제2 구간 방향으로 오프셋을 연산하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따르면, 인공 오프셋 위치 예측 알고리즘을 이용하여 오프셋을 조정함으로써, 향 후 광 디스크 드라이브에서 개발될 가능성이 있는 새로운 신호에 신속하게 대처할 수 있는 효과를 창출한다.

10. 发明公开

KR1020160058321A 발광 소자 및 그의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：发光装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160058321A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：KR1020140158907
申请日：2014-11-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 임진영 , 사공탄 , 김병균 , 김종학
IPC分类号： H01L33/22
CPC分类号： H01L33/24 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要： 본발명은발광소자및 그의제조방법에관한것으로서, 더욱구체적으로는제1도전형반도체층, 제2도전형반도체층및 상기제1도전형반도체층과상기제2도전형반도체층사이에개재되고다수의 V-피트를갖는활성층을포함하는발광소자가제공된다. 상기제1도전형반도체층과상기제2도전형반도체층사이에상기 V-피트와실질적으로동일한크기와모양의 V-피트를갖는막질개선층이더 포함되고, 상기막질개선층은 Al 또는 In을포함하는 III족-V족반도체층이다. 본발명의발광소자는막질특성이개선되어발광특성이개선되는효과가있다.
摘要翻译：本发明涉及一种发光器件及其制造方法，更具体地涉及一种发光器件，包括：第一导电类型半导体层; 第二导电型半导体层; 以及插入在第一和第二导电类型半导体层之间并具有多个V凹坑的有源层。发光装置还包括在第一和第二导电类型半导体层之间的层质量改进层，并且具有与活性层的V凹点几乎相同的尺寸和形状的V凹坑，其中层质量改进层是包括Al或In的III-V族III族半导体层。根据本发明，随着发光器件的层质量的提高，发光性能得到提高。

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