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1. 发明专利

KR20210034451A KR20210034451A - Solid state drive apparatus and data storage apparatus including the same 审中-公开
公开(公告)号：KR20210034451A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：KR1020190175496A
申请日：2019-12-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 허성철 , 박재홍 , 김범준 , 유수프 시나르 , 이한홍 , 홍영석 , 공도일 , 마재헌
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/29 , H01L23/373
CPC分类号： H01L23/3672 , H01L23/293 , H01L23/3731
摘要： 본 발명의 기술적 사상은 내부 판과 상부 벽 사이에 제공된 에어 터널 및 상기 내부 판과 하부 벽 사이에 제공된 수용 공간을 포함하고, 상기 에어 터널은 제1 방향으로 연장되고 상기 에어 터널의 양 단부는 외부에 노출된, 케이스; 상기 수용 공간 내의 기판; 및 상기 기판 상의 적어도 하나의 반도체 칩;을 포함하는 솔리드 스테이트 드라이브 장치를 제공한다.

2. 发明授权

KR101956353B1 영상 처리 장치 및 3D 영상 생성 방법 有权
公开(公告)号：KR101956353B1
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：KR1020120140571
申请日：2012-12-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 안원석 , 김범준 , 정진우
IPC分类号： H04N13/20

3. 发明公开

KR1020140072724A 영상 처리 장치 및 3D 영상 생성 방법 审中-实审
标题翻译：图像处理设备及其生成3D图像的方法
公开(公告)号：KR1020140072724A
公开(公告)日：2014-06-13
申请号：KR1020120140571
申请日：2012-12-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 안원석 , 김범준 , 정진우
IPC分类号： H04N13/02
CPC分类号： G06T15/00 , H04N13/122 , H04N13/133
摘要： Disclosed are an image processing device and a method of generating a 3D image. A method of generating a 3D image according to the present invention includes steps of obtaining a source image and depth information of the source image; determining an overlap area where some of pixels configuring the source image are shifted according to the depth information and a plurality of pixels overlap; calculating a weight value for the overlapped area on the basis of distance information from a foreground area and a background area; generating a foreground depth image where the foreground area is enlarged and a background depth image where the background area is enlarged on the basis of the depth image and the overlapped area; generating a foreground image by using the source area and the foreground depth image and generating a background image by using the source area and the background depth image; and generating one of a left-eye image and a right-eye image for the source image by synthesizing the foreground image and the background image according to a weight value for the overlapped area.
摘要翻译：公开了一种图像处理装置和产生3D图像的方法。根据本发明的生成3D图像的方法包括获得源图像的源图像和深度信息的步骤; 确定构成所述源图像的一些像素根据所述深度信息而偏移并且多个像素重叠的重叠区域; 基于来自前景区域和背景区域的距离信息计算重叠区域的权重值; 产生前景区域被放大的前景深度图像和基于深度图像和重叠区域放大背景区域的背景深度图像; 通过使用源区域和前景深度图像生成前景图像，并通过使用源区域和背景深度图像生成背景图像; 并根据重叠区域的权重值合成前景图像和背景图像，生成源图像的左眼图像和右眼图像之一。

4. 发明公开

KR1020140014597A 반도체 발광소자 审中-实审
标题翻译：发光装置
公开(公告)号：KR1020140014597A
公开(公告)日：2014-02-06
申请号：KR1020120081004
申请日：2012-07-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이호철 , 김기성 , 김범준 , 김영선 , 류현석 , 윤석호
IPC分类号： H01L33/04 , H01L33/06
CPC分类号： H01L33/06 , H01L2924/12041
摘要： According to one side of the present invention, provided is a semiconductor light emitting device which includes a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer which is arranged on the first conductive semiconductor layer, an active layer which is arranged between the first and second conductive semiconductor layers and includes at least one pair of quantum well layers and quantum barrier layers, and a diffusion preventing layer which is arranged between the second conductive semiconductor layer and the active layer; wherein the bandgap energy of the diffusion preventing layer is greater than the bandgap energy of the quantum well layer. The diffusion preventing layer is thinner than the quantum well layer.
摘要翻译：根据本发明的一方面，提供了一种半导体发光器件，其包括第一导电半导体层，布置在第一导电半导体层上的第二导电半导体层，布置在第一和第二导电半导体层之间的有源层导电半导体层，并且包括至少一对量子阱层和量子势垒层，以及布置在第二导电半导体层和有源层之间的扩散防止层; 其中所述扩散防止层的带隙能量大于所述量子阱层的带隙能量。扩散防止层比量子阱层薄。

5. 发明公开

KR1020130111030A 반도체 발광소자의 제조방법 无效
标题翻译：半导体发光器件的制造方法
公开(公告)号：KR1020130111030A
公开(公告)日：2013-10-10
申请号：KR1020120033490
申请日：2012-03-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정재덕 , 김기성 , 윤석호 , 김영선 , 김범준 , 신동철
IPC分类号： H01L33/22 , H01L21/20
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L21/268 , H01L33/007
摘要： PURPOSE: A method of manufacturing a semiconductor light emitting device improves light extraction efficiency by reducing defects within a semiconductor layer. CONSTITUTION: A base layer (120a) is formed on a substrate (110). A damaged crystalline region (121) is formed by irradiating a laser to some region of the upper surface of the base layer. The damaged crystalline region is formed by forming a pattern on the upper surface of the base layer. The width (da) of the damaged crystalline region is 100 nm to 10 um. A light emitting structure is formed by regrowing a semiconductor layer from a region except for the damaged crystalline region. The light emitting structure includes a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer. [Reference numerals] (AA) Laser
摘要翻译：目的：制造半导体发光器件的方法通过减少半导体层内的缺陷来提高光提取效率。构成：在基底（110）上形成基底层（120a）。通过在基底层的上表面的一些区域照射激光来形成损伤的结晶区域（121）。损伤的结晶区域通过在基底层的上表面上形成图案而形成。受损结晶区域的宽度（da）为100nm〜10μm。通过从损伤的结晶区域以外的区域重新生长半导体层来形成发光结构。发光结构包括第一导电半导体层，有源层和第二导电半导体层。（标号）（AA）激光

6. 发明公开

KR1020130049894A 반도체 발광소자 및 그 제조방법 无效
标题翻译：半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020130049894A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：KR1020110114927
申请日：2011-11-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김태훈 , 김기범 , 송상엽 , 김범준 , 채승완 , 조수현
IPC分类号： H01L33/22 , H01L33/46
CPC分类号： H01L33/10 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/405
摘要： PURPOSE: A semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to improve luminous efficiency by including a reflection structure with high reflectivity and a reflective metal layer. CONSTITUTION: An active layer(102) is formed on an n-type semiconductor layer(101). A first p-type semiconductor layer(103a) is formed on the active layer and includes an uneven structure. A reflective metal layer(104) is formed on a second p-type semiconductor layer.
摘要翻译：目的：提供半导体发光器件及其制造方法，以通过包括具有高反射率的反射结构和反射金属层来提高发光效率。构成：在n型半导体层（101）上形成有源层（102）。第一p型半导体层（103a）形成在有源层上并且包括不均匀结构。反射金属层（104）形成在第二p型半导体层上。

7. 发明公开

KR1020120079307A 화학 기상 증착 장치 및 이를 이용한 반도체 초격자 구조의 제조 방법 有权
标题翻译：化学蒸气沉积装置及其形成半导体超导结构的方法
公开(公告)号：KR1020120079307A
公开(公告)日：2012-07-12
申请号：KR1020110000535
申请日：2011-01-04
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 맹종선 , 김기성 , 김범준 , 윤석호 , 류현석 , 김성태
IPC分类号： H01L21/02 , C23C16/30 , C23C16/455 , H01L33/00 , H01L21/205 , H01L21/67
CPC分类号： C23C16/303 , C23C16/45574 , C23C16/45578 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L21/0228 , H01L21/205 , H01L21/67098
摘要： PURPOSE: A chemical vapor deposition apparatus and a manufacturing method of a semiconductor superlattice structure using the same are provided to improve mechanical stability by unifying a gas supply unit. CONSTITUTION: A wafer holder(20) is formed in the inner pipe of a reaction chamber(10). A gas supply unit(30) includes a stem pipe(31), a branch pipe(32) and a spray nozzle(33). The stem pipe is formed on the outer side of the reaction chamber. Each branch pipe is connected to the stem pipe. The spray nozzle sprays a reaction gas to a plurality of wafers.
摘要翻译：目的：提供化学气相沉积装置和使用其的半导体超晶格结构的制造方法，以通过统一气体供应单元来提高机械稳定性。构成：在反应室（10）的内管中形成有晶片保持架（20）。气体供给单元（30）包括杆管（31），支管（32）和喷嘴（33）。杆管形成在反应室的外侧。每个分支管连接到杆管。喷雾喷嘴将反应气体喷射到多个晶片。

8. 发明授权

KR101115026B1 게이트 드라이버와 이를 구비한 박막 트랜지스터 기판 및액정 표시 장치 有权
标题翻译：栅极驱动器，薄膜晶体管基板和具有相同的液晶显示器
公开(公告)号：KR101115026B1
公开(公告)日：2012-03-06
申请号：KR1020060002843
申请日：2006-01-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 강신택 , 안병재 , 이종혁 , 김유진 , 김범준
IPC分类号： G02F1/133
CPC分类号： G09G3/3677
摘要： 본발명은콘택불량을방지할수 있는구조를갖는비정질실리콘 TFT를이용한게이트드라이버에관한것으로서, 액정패널상에형성된복수의게이트라인을구동하기위하여, 액정패널의일 측상에내장된게이트드라이버로서, 게이트드라이버는게이트구동신호를출력하는복수의스테이지로이루어진쉬프트레지스터를포함하며, 복수의스테이지각각은, 제1 및제2 클럭신호에따라게이트구동신호를출력단자에제공하기위한풀업회로와, 게이트오프신호를출력단자에제공하기위한풀다운회로와, 제1 제어신호에따라풀업회로를구동시키는풀업구동회로및 제2 제어신호에따라풀다운회로를구동시키는풀다운구동회로를포함하며, 스테이지는복수의스위칭소자를포함하며, 제1 클럭신호, 제2 클럭신호, 제1 제어신호또는제2 제어신호가인가되는신호라인과스위칭소자가전기적으로연결되는노드들중 소정노드는복수의콘택을포함하는것을특징으로하는게이트드라이버와이를구비한박막트랜지스터기판및 액정표시장치가제공된다.

9. 发明授权

KR101090245B1 박막 트랜지스터 표시판 有权
公开(公告)号：KR101090245B1
公开(公告)日：2011-12-06
申请号：KR1020030089490
申请日：2003-12-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김경욱 , 김범준 , 김성만 , 안병재 , 송영구 , 공향식
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： H01L27/124 , G02F1/136209 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F2001/136218 , G02F2001/136222 , H01L27/1214 , H01L27/1288
摘要： A thin film array panel is provided, which includes: a gate line formed on a substrate; a first insulating layer formed on the gate line; a semiconductor layer formed on the gate insulating layer; a data line formed on the gate insulating layer and intersecting the gate line; a drain electrode formed at least on the semiconductor layer; a conductor arranged in parallel to the data line; a second insulating layer formed on the data line, the drain electrode, and the conductor and having a first contact hole exposing a portion of the drain electrode; and a pixel electrode formed on the second insulating layer, connected to the drain electrode through the first contact hole, fully covering the data line.

10. 发明公开

KR1020090054219A 전하발생물질로서 비스아조계 화합물을 전하수송층에포함하는 전자사진 감광체 및 이를 채용한 전자사진화상형성장치 无效
标题翻译：含有BISAZO的化合物的电子照相机作为充电传输层中的电荷产生材料和使用其的电子成像装置
公开(公告)号：KR1020090054219A
公开(公告)日：2009-05-29
申请号：KR1020070120973
申请日：2007-11-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김범준 , 이환구
IPC分类号： G03G5/02
CPC分类号： G03G5/0631 , G03G5/0681 , G03G5/0683
摘要： 도전성 지지체 및 상기 도전성 지지체 상에 형성된 전하발생층 및 전하수송층을 포함하는 적층형 전자사진 감광체로서, 상기 전하수송층이 전하발생물질로서 하기 화학식 1의 비스아조계 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 적층형 전자사진 감광체 및 이를 채용한 전자사진 화상형성장치가 개시된다:
[화학식 1]

여기서, R
1 및 R
2 는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 20의 치환 또는 비치환된 알킬기, 또는 탄소수 1 내지 20의 치환 또는 비치환된 알콕시기를 나타내고, n은 0 내지 6의 정수를 나타낸다.
본 발명의 적층형 전자사진 감광체는 고감도이면서도 반복사용시 고스트 현상 억제능이 우수하다.

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