会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 6. 发明公开
    • 반도체소자의 제조방법, 이를 위한 반도체소자 제조용 식각액조성물 및 반도체소자
    • 制造半导体器件的方法,蚀刻其解决方案组件及其半导体器件
    • KR1020000004840A
    • 2000-01-25
    • KR1019980031544
    • 1998-08-03
    • 삼성전자주식회사
    • 곽규환고세종황경석길준잉박상오김대훈전상문정호균
    • H01L21/306
    • H01L21/7684C09K13/04H01L21/3212
    • PURPOSE: A method of manufacturing semiconductor device, an etching solution components therefor, and a semiconductor device thereof are provided to simplify the manufacturing process, to improve reliability of the semiconductor device, and to reduce manufacturing cost. CONSTITUTION: According to the method, a tungsten film(122) and a poly-silicon film(262) re formed in an implanted contact hole(226). And then, a spin etching is performed to the tungsten film(122) and a poly-silicon film(262), so that a tungsten plug or a poly-silicon plug are manufactured. Here, the components of etching solution are an oxidation solution, a builder, and a buffer. The oxidation solution is at least one of H2O2, O2, IO-4, BrO3, CIO3, S2O-8, KIO3, H5IO6, KOH and HNO3. The builder is at least one of HF, NH4OH, H3PO4, H2SO4 and HCL.
    • 目的:提供一种制造半导体器件的方法,其蚀刻溶液组分及其半导体器件,以简化制造工艺,提高半导体器件的可靠性并降低制造成本。 构成:根据该方法,在植入的接触孔(226)中形成钨膜(122)和多晶硅膜(262)。 然后,对钨膜(122)和多晶硅膜(262)进行旋转蚀刻,从而制造钨插塞或多硅插头。 这里,蚀刻溶液的成分是氧化溶液,助洗剂和缓冲剂。 氧化溶液是H 2 O 2,O 2,IO-4,BrO 3,CIO 3,S 2 -8,KIO 3,H 5 O 6,KOH和HNO 3中的至少一种。 助洗剂是HF,NH 4 OH,H 3 PO 4,H 2 SO 4和HCL中的至少一种。
    • 7. 发明公开
    • 세정액 및 이를 사용한 세라믹 부품의 세정 방법
    • 清洁方法和使用该方法清洁陶瓷组件
    • KR1020040000230A
    • 2004-01-03
    • KR1020020035422
    • 2002-06-24
    • 삼성전자주식회사
    • 김대훈전상문김진성전필권박동진김정주류재준
    • H01L21/304
    • B08B7/0071B08B3/12C11D7/10C11D7/265C11D7/5013C11D11/0047C11D11/007
    • PURPOSE: A cleaning solution and a method for cleaning ceramic components by using the same are provided to clean effectively the ceramic components including byproducts generated from a plasma process by changing ingredients of the cleaning solution. CONSTITUTION: A cleaning solution includes fluoride salt of 5 to 10 weight percent, organic acid of 10 to 20 weight percent, organic solvent of 30 to 50 weight percent, and water of 20 to 50 weight percent. The fluoride salt includes ammonium fluoride. The organic acid includes acetic acid. The organic solvent includes dimethyl acetamide. The cleaning solution further includes (NH3OH)2SO4 of 0 to 10 weight percent on the basis of the cleaning solution of 100 weight percent. A method for cleaning ceramic components by using the cleaning solution includes a soaking process(S12) for soaking the ceramic components into the cleaning solution, a rinsing process(S14) for rinsing the ceramic components, and a heat treatment process(S16) for heating the ceramic components.
    • 目的:提供清洁溶液和通过使用其来清洁陶瓷组分的方法,以通过改变清洁溶液的成分来有效地清洁包括由等离子体工艺产生的副产物的陶瓷组分。 构成:清洗液含有5〜10重量%的氟化物盐,10〜20重量%的有机酸,30〜50重量%的有机溶剂,20〜50重量%的水。 氟化物盐包括氟化铵。 有机酸包括乙酸。 有机溶剂包括二甲基乙酰胺。 基于100重量%的清洁溶液,清洗溶液还包含0-10重量%的(NH 3 OH)2 SO 4。 通过使用清洗液清洗陶瓷部件的方法包括将陶瓷成分浸渍到清洗液中的均热处理(S12),对陶瓷成分进行漂洗的漂洗工序(S14)和加热用热处理工序(S16) 陶瓷组件。
    • 8. 发明授权
    • 반도체소자의 제조방법, 이를 위한 반도체소자 제조용 식각액조성물 및 반도체소자
    • 制造半导体器件的方法,制造半导体器件的方法,
    • KR100271769B1
    • 2001-02-01
    • KR1019980031544
    • 1998-08-03
    • 삼성전자주식회사
    • 곽규환고세종황경석길준잉박상오김대훈전상문정호균
    • H01L21/306
    • 본 발명은 소정의 콘택홀 상에 상기 콘택홀을 매몰시키며, 소정 두께로 텅스텐막 또는 폴리실리콘막을 형성한 후, 상기 콘택홀내에 상기 텅스텐막 또는 폴리실리콘막이 존재하도록 특정의 식각액 조성물을 이용하여 스핀식각방법을 수행하여 상기 콘택홀 상부의 텅스텐막 또는 폴리실리콘막을 식각함으로서 텅스텐 플러그 또는 폴리실리콘 플러그를 제조하며, 층간절연막의 단차를 최소화할 수 있는 반도체소자의 제조방법, 이를 위한 반도체소자 제조용 식각액 조성물 및 반도체소자에 관한 것이다.
      상기 식각액 조성물은 H
      2 O
      2 , O
      2 , IO
      4
      - , BrO
      3 , ClO
      3 , S
      2 O
      8
      - , KIO
      3 , H
      5 IO
      6 , KOH 및 HNO
      3 로 이루어진 그룹 중에서 선택되어진 적어도 하나 이상의 산화제 및 HF, NH
      4 OH, H
      3 PO
      4 , H
      2 SO
      4 , HCl로 이루어진 그룹중에서 선택되어진 적어도 하나 이상의 증강제, 완충액을 소정의 비율로 혼합되어 이루어진다. 상기 완충액은 상기 식각액 조성물의 농도, 온도 및 콘택앵글을 제어하는 것으로 탈이온수가 바람직하다.
      따라서, 반도체소자 제조시 제조공정의 단순화, 소자의 신뢰성 향상 및 제조공정의 원가를 절감시킬 수 있는 효과가 있다.
    • 9. 发明公开
    • 반도체용 과산화수소수내 파티클 측정방법
    • 如何测量半导体中的过氧化氢颗粒
    • KR1019980038789A
    • 1998-08-17
    • KR1019960057717
    • 1996-11-26
    • 삼성전자주식회사
    • 김대훈
    • H01L21/304
    • 본 발명은 측정하고자 하는 과산화수소수의 샘플내에 기포가 발생하지 않도록 함으로써 재현성이 높은 파티클측정이 가능한 반도체용 과산화수소수내 파티클 측정방법에 관한 것이다.
      본 발명에 따른 반도체용 과산화수소수내 파티클 측정방법은, 과산화수소수내의 파티클수를 측정함에 있어서, 과산화수소수로부터 샘플을 취하여 샘플병에 투입하는 단계, 투입단계 후 즉시로 30 내지 60초간에 걸쳐 측정기에 주입하는 단계 및 측정기에서 10 내지 30초간 진공배기시켜 샘플병에의 투입시 및 주입시에 발생한 기포를 제거하는 단계로 이루어진다.
      따라서, 본 발명에 의하면 샘플링시간을 연장하여 기포를 충분히 제거할 수 있도록 함으로써 반도체용 과산화수소수내의 파티클수를 보다 정확하게 측정하는 효과가 있다.
    • 10. 发明公开
    • 오디오 처리 장치 및 오디오 처리 방법
    • 音频处理设备和音频处理方法
    • KR1020170093508A
    • 2017-08-16
    • KR1020160014997
    • 2016-02-05
    • 삼성전자주식회사
    • 김평윤김대훈
    • H04S3/00H04S7/00
    • H04N21/43635H04N21/4307H04N21/4432H04N21/8106
    • 오디오표시장치및 오디오표시방법이개시된다. 개시된실시예에따른오디오표시장치는, 오디오처리장치의초기화과정을수행하는제1 제어부, 및제1 제어부에서초기화과정이수행되는동안, 오디오처리장치와오디오출력장치의연결동작을수행하고, 오디오처리장치와오디오출력장치의연결완료를나타내는메시지를제1 제어부로전송하는제2 제어부를포함하고, 제1 제어부는제2 제어부로부터의연결완료를나타내는메시지에응답하여오디오출력장치로오디오출력동작을시작할수 있다.
    • 公开了一种音频显示设备和音频显示方法。 根据该实施例的音频显示所公开的,而初始化过程在所述第一控制单元中执行,mitje第一控制单元,用于执行音频处理装置的初始化,执行音频处理单元的连接操作和音频输出装置和音频处理 设备和用于发送一条消息,表明一个连接已完成的音频输出装置与所述第一控制器和第一控制器,所述第二控制器通过robuteoui响应消息,指示一个连接已完成到开始音频输出操作的音频输出装置的第二控制单元 你可以。