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1. 发明授权

KR101967345B1 안지오포이에틴-2와 인테그린 간의 결합을 저해하는 펩타이드 및 그 용도 有权
公开(公告)号：KR101967345B1
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：KR1020120116155
申请日：2012-10-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 한상열 , 김충호 , 김경은 , 김형찬 , 이광훈 , 이효선
IPC分类号： A61K38/16 , A61K38/08 , A61K38/10 , A61P35/00

2. 发明公开

KR1020170062098A 에어 스페이서를 포함하는 반도체 소자 审中-实审
标题翻译：一种包括空气间隔物的半导体器件
公开(公告)号：KR1020170062098A
公开(公告)日：2017-06-07
申请号：KR1020150167508
申请日：2015-11-27
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김경은 , 김용관 , 장세명 , 김봉수 , 황유상
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/66 , H01L21/764 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/7682 , G11C11/40615 , G11C11/4082 , G11C11/4087 , G11C11/4091 , H01L21/76816 , H01L21/76877 , H01L21/76897 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/5329 , H01L27/10885 , H01L28/00
摘要： 에어스페이서를포함하는반도체소자를개시한다. 콘택플러그를포함하는반도체소자및 그제조방법을개시한다. 본발명에따른반도체소자는복수의활성영역을가지는기판, 복수의활성영역위에형성되는도전패턴, 및복수의활성영역위에서에어스페이서를사이에두고도전패턴의제1 및제2 측벽에각각대면하고제1 방향으로연장되는제1 및제2 도전라인구조체를포함하되, 제1 및제2 도전라인구조체는각각, 도전라인, 및도전라인의상면및 측벽을덮으며각각제1 폭을가지는하측부분과제1 폭보다좁은제2 폭을가지는상측부분으로이루어지는도전라인마스크층을포함하고, 에어스페이서는기판의주면에대하여수직방향으로도전라인마스크층의하측부분의측벽을따라서연장되어, 도전라인마스크층의상기상측부분의측벽의일부분상까지연장된다.
摘要翻译：公开了一种包括空气间隔物的半导体装置。公开了包括接触插塞的半导体器件及其制造方法。根据本发明，每个面向基底，导电图案，所述多个有源区与要在多个具有多个有源区有源区形成的导电图案之间的空气间隔件的第一mitje两个侧壁的半导体器件，并且包括：第一mitje第二导线结构在第一方向上延伸，所述第一mitje第二导电线结构，每个导电线，以及覆盖上表面和导电线路的侧壁宽度1，下部的项目与每个第一宽度的比包括由具有第二宽度的上部的一个窄的第一导电线掩模层，和空气间隔中的方向垂直于所述衬底的主表面，所述掩模层上的导电线沿导电线掩模层的下部的侧壁延伸并且在上部的一部分侧壁上延伸。

3. 发明授权

KR102025597B1 반도체 소자 有权
公开(公告)号：KR102025597B1
公开(公告)日：2019-09-26
申请号：KR1020130007222
申请日：2013-01-23
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 송현승 , 김경은 , 박재균
IPC分类号： H01L27/02

4. 发明公开

KR1020160010069A 커패시터를 포함하는 반도체 장치 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：包括电容器的半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160010069A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：KR1020140090893
申请日：2014-07-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김경은 , 조영승 , 박소현 , 윤상조
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8242 , H01L21/60 , H01L21/56
CPC分类号： H01L27/10814 , H01L27/10823 , H01L27/10852 , H01L27/10876 , H01L28/60 , H01L28/90
摘要： 반도체장치의제조방법이개시된다. 기판상에순차적으로적층된몰드막과비산화물로이루어진예비지지대막을관통하는복수의하부전극들을형성하고, 예비지지대막의일부와몰드막을제거하여보이드를형성하고, 산화물과식각선택비를가지는희생막으로보이드를채우고, 예비지지대막을제거하고희생막과식각선택비가있는산화물지지대패턴을형성하고, 희생막을제거하고각 하부전극상에유전막과상부전극을순차적으로형성한다.
摘要翻译：公开了一种制造半导体器件的方法。该方法包括以下步骤：形成穿过模制膜的多个下电极和由非氧化物制成的预备支撑膜，其中模膜和预备支撑膜依次层压在基板上; 消除一部分预备支撑膜和模具膜以形成空隙; 用具有氧化物和蚀刻选择性的牺牲膜填充空隙; 消除初步支持电影; 形成具有牺牲膜和蚀刻选择性的氧化物载体图案; 消除牺牲膜; 并且在每个下电极上顺序形成电介质膜和上电极。

5. 发明公开

KR1020150004444A Ang-2 특이적 항체 및 그의 용도 审中-实审
标题翻译： ANG-2特异性抗体及其用途
公开(公告)号：KR1020150004444A
公开(公告)日：2015-01-12
申请号：KR1020130077228
申请日：2013-07-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이윤숙 , 김충호 , 김경은 , 김형찬 , 이광훈 , 이효선 , 한상열
IPC分类号： C07K16/18 , C12N15/12 , A61K39/395 , G01N33/53
CPC分类号： C07K16/22 , C07K2317/34 , C07K2317/76 , C07K2317/92 , G01N33/74 , G01N2333/515 , G01N2800/7014
摘要： In the present invention, provided are an Ang-2 antibody specifically bound to an Angiopoietin-2 (Ang-2) which is an angiogenic growth factor, a hybridoma cell line for producing a monoclonal antibody of the Ang-2 antibody, and a pharmaceutical composition including the Ang-2 antibody as an active ingredient. In the present invention, the provided antibody prevents the an angiogenesis from growing and cancer from transferring.
摘要翻译：在本发明中，提供了与作为血管生成生长因子的血管生成素-2（Ang-2）特异性结合的Ang-2抗体，用于制备Ang-2抗体的单克隆抗体的杂交瘤细胞系和药物组合物，其包含Ang-2抗体作为活性成分。在本发明中，所提供的抗体阻止血管生成生长和癌转移。

6. 发明授权

KR102206029B1 Ang-2에 특이적으로 결합하는 항체 및 그의 용도 有权
公开(公告)号：KR102206029B1
公开(公告)日：2021-01-20
申请号：KR1020140009815
申请日：2014-01-27
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김경은 , 이윤숙 , 한상열 , 김형찬 , 이광훈 , 이효선 , 김석균
IPC分类号： C07K16/22 , A61K39/395
摘要： 신생혈관형성유도인자인앤지오포이에틴-2(Angiopoietin-2; Ang-2)에특이적으로결합하여기능을저해하는항체와관련된것으로, 구체적으로, 앤지오포이에틴-2 특이적항체, 상기항체를유효성분으로포함하는혈관신생저해제및 앤지오포이에틴-2 활성화및/또는과생성과관련된질병의치료용조성물, 및상기항체를포함하는앤지오포이에틴-2 활성화및/또는과생성과관련된질병의진단용조성물이제공된다.

7. 发明授权

KR102106160B1 항 Ang2 항체 有权
公开(公告)号：KR102106160B1
公开(公告)日：2020-05-04
申请号：KR1020130089281
申请日：2013-07-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김경은 , 오승자 , 이효선 , 한상열
IPC分类号： C07K16/22 , C07K16/28 , C12N5/16 , A61K39/395 , A61K38/18 , G01N33/574 , G01N33/68

8. 发明授权

KR102060187B1 VEGF-C, VEGF-D 및/또는 안지오포이에틴-2를 동시에 저해하는 융합 폴리펩타이드 및 이의 용도 有权
公开(公告)号：KR102060187B1
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：KR1020130085515
申请日：2013-07-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이광훈 , 김경은 , 김석균 , 김형찬 , 한상열
IPC分类号： C07K19/00 , C12N15/62 , A61K38/17 , A61P9/00

9. 发明公开

KR1020170082689A 커패시터 审中-实审
标题翻译：电容器
公开(公告)号：KR1020170082689A
公开(公告)日：2017-07-17
申请号：KR1020160001634
申请日：2016-01-06
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박태진 , 김경은 , 김봉수 , 남기형 , 황유상
IPC分类号： H01L27/108 , H01L27/08 , H01L49/02
CPC分类号： H01L27/10811 , H01L27/10814 , H01L27/10847 , H01L29/4238
摘要： 커패시터를제공한다. 커패시터는, 제1 방향으로적층된제1 전극및 제2 전극을각각포함하는하부전극들을포함한다. 제2 전극은제1 방향과수직인제2 및제3 방향들에의해정의되는단면적관점에서, 장축을갖는바 형단면을갖는기둥형상을갖는다.
摘要翻译： Lt。电容器包括下电极，每个下电极包括在第一方向上堆叠的第一电极和第二电极。鉴于由垂直于第一方向的第二和第三方向限定的横截面积，第二电极具有具有长轴的横截面的条形柱状。

10. 发明公开

KR1020170069347A 반도체 장치의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020170069347A
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：KR1020150176056
申请日：2015-12-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김경은 , 김용관 , 안세형 , 장세명 , 최재형 , 김봉수 , 황유상
IPC分类号： H01L27/08 , H01L49/02 , H01L21/265 , H01L21/56 , H01L27/108
CPC分类号： H01L27/1085 , H01L21/283 , H01L21/31155 , H01L28/00 , H01L28/60
摘要： 본발명의실시예에따른반도체장치의제조방법은기판상에차례로적층된하부지지막및 상부지지막을포함하는몰드구조체를형성하는것, 상기상부지지막및 상기하부지지막의일부분들에불순물을도핑하여, 상기상부지지막및 상기하부지지막각각은상기불순물이도핑된제 1 부분들및 상기제 1 부분들을둘러싸는제 2 부분을포함하는것 및상기상부및 상기하부지지막들의상기제 1 부분들을제거하여, 제 1 개구부들을갖는상부지지패턴및 제 2 개구부들을갖는하부지지패턴을형성하는것을포함할수 있다.
摘要翻译：根据本发明实施例的制造半导体器件的方法包括：形成模制结构，该模制结构包括顺序地堆叠在衬底上的下支撑膜和上支撑膜，在上支撑膜和下支撑膜的部分上掺杂杂质，其中，每个上支撑膜和下支撑膜包括掺杂有杂质的第一部分和围绕第一部分并去除上和下支撑膜的第一部分的第二部分，形成具有第一开口的上支撑图案和具有第二开口的下支撑图案。

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