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1. 发明授权

KR100648247B1 캐패시터의 금속 하부전극 형성 방법 및 이를 위한선택적인 금속막 식각 방법 失效
标题翻译：形成电容器金属电极的方法及其选择性金属蚀刻方法
公开(公告)号：KR100648247B1
公开(公告)日：2006-11-24
申请号：KR1020040041437
申请日：2004-06-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박영래 , 고영호 , 홍창기
IPC分类号： H01L27/108
CPC分类号： H01L27/10894 , H01L27/10852 , H01L28/91
摘要： 캐패시터 하부전극으로 금속을 사용하는 실린더형 캐패시터 하부전극 형성 방법이 개시된다. 본 발명의 금속 캐패시터 하부전극 형성 방법은 실린더형 금속 하부전극의 내벽을 보호하기 위해 금속 캐핑막을 사용한다. 희생절연막이 패터닝되어 하부전극 형성을 위한 개구부가 형성되고 금속 하부전극막 및 금속 캐핑막이 순차적으로 형성된다. 인접한 금속 하부전극들이 전기적으로 격리하기 위해서, 희생절연막이 노출될 때까지 금속 캐핑막 및 금속 하부전극막이 동시에 평탄화 식각된다. 희생절연막 및 개구부 내에 잔존하는 금속 캐핑막이 제거되어 내외벽을 가지는 실린더형 금속 하부전극이 완성된다. 이 같은 본 발명에 따르면, 금속 캐핑막 및 금속 하부전극막이 희생절연막에 대해서 동시에 평탄화 식각될 수 있어 하부전극 분리를 위한 공정이 단순해진다.

2. 发明授权

KR101602412B1 나노 마스크를 이용한 소자의 표면처리 방법 有权
标题翻译：使用纳米掩模的设备的表面处理方法
公开(公告)号：KR101602412B1
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：KR1020090136218
申请日：2009-12-31
申请人： 삼성전자주식회사 , 한국과학기술원
发明人： 조용훈 , 고영호
IPC分类号： H01L21/027 , H01L31/04
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 나노마스크를이용한소자의표면처리방법에대해개시된다. 개시된표면처리방법은구조체및 나노입자들사이에정전기적인력이작용하도록하여구조체표면에나노입자를용이하게결합하도록하여건식식각공정에의해구조체표면에굴곡형상을형성할수 있다.

3. 发明公开

KR1020050117713A 연마제를 사용하지 않는 화학적기계적 연마를 위한 슬러리및 이를 이용한 화학적기계적 연마 방법 无效
标题翻译：使用相同的CMP和CMP方法不磨损的浆料
公开(公告)号：KR1020050117713A
公开(公告)日：2005-12-15
申请号：KR1020040042897
申请日：2004-06-11
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 고영호 , 박영래 , 홍창기
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： C09G1/04 , H01L21/3212
摘要： 실린더형 캐패시터 하부전극 형성 방법이 개시된다. 절연막을 패터닝하여 하부전극을 한정하는 개구부를 형성한다. 개구부를 따라 하부전극으로 사용되는 도전막을 콘포말하게 형성한다. 도전막을 형성한 직후 연마제를 포함하지 않는 슬러리를 사용하여 평탄화 공정을 진행하여 개구부밖의 도전막을 제거한다.
이 같은 본 발명에 따르면 공정이 단순해지고 연마제 사용에 따른 문제점들을 근본적으로 피할 수 있다.

4. 发明授权

KR100174156B1 이미지 데이타 압축 장치 및 방법 失效
标题翻译：图像数据压缩装置和方法
公开(公告)号：KR100174156B1
公开(公告)日：1999-04-01
申请号：KR1019960019137
申请日：1996-05-31
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 고영호
IPC分类号： H03M7/30
摘要： 본 발명은 하나의 디멘존얼 프리딕티브 코딩 알고리즘(One Dimensional Predictive Coding Algorithm)을 이용한 이미지 데이타 압축 코딩 장치 및 방법에 관한 것이다.
본 발명은 적응적 프리딕티브 코딩의 일종으로 에러의 다이나믹 레인지(Dynamic Range)를 일정한 값으로 고정시키기 위하여 계수의 값을 변화시키는 방법을 선택하고, 엔트로피 코딩(Entropy Coding)의 일종인 후프만 코딩을 결합시켜, 이미지 데이타 특성에 따라 후프만 트리를 구성할 수 있도록 하므로써 압축 효율을 향상시킬 수 있다.

5. 发明公开

KR1020170035649A 반도체 소자 및 그 제조방법 审中-实审
标题翻译：半导体装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170035649A
公开(公告)日：2017-03-31
申请号：KR1020150134814
申请日：2015-09-23
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이양희 , 고영호 , 권병호 , 김영국 , 윤보언 , 황인석
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/423
CPC分类号： H01L21/823475 , H01L27/10814 , H01L27/10823 , H01L27/10852 , H01L27/10876 , H01L27/10897
摘要： 본발명의기술적사상은셀 어레이영역에다이렉트콘택및 비트라인이형성되고주변회로영역에신뢰성있는게이트전극구조체가형성된반도체소자및 그제조방법을제공한다. 그반도체소자는, 제1 활성영역이정의된셀 어레이영역과, 제2 활성영역이정의된주변회로영역을포함하는기판; 상기기판상에형성되고상기제1 활성영역을노출시키는콘택홀들을구비한제1 절연층; 상기제1 활성영역에연결되도록상기콘택홀 내에형성되고상기기판에매몰된다이렉트콘택; 상기다이렉트콘택과연결되고일 방향으로연장하는비트라인; 및상기제2 활성영역상에형성된게이트절연막및 게이트전극구조체;를포함하고, 상기다이렉트콘택과실질적으로동일한물질로형성된더미도전층이상기주변회로영역에존재한다.
摘要翻译：本发明的技术方面提供一种半导体器件及其制造方法，其中在单元阵列区域中形成直接接触和位线并且在外围电路区域中形成可靠的栅电极结构。所述半导体器件包括衬底，所述衬底包括其中限定第一有源区的单元阵列区域和限定第二有源区域的外围电路区域; 第一绝缘层，形成在衬底上并具有暴露第一有源区的接触孔; 直接接触形成在接触孔中以连接到第一有源区并且埋置在衬底中; 位线连接到直接接触并沿一个方向延伸; 以及形成在第二有源区上的栅绝缘膜和栅电极结构，其中哑导电层以与直接接触基本上相同的材料形成。

6. 发明公开

KR1020130131120A 연마 헤드용 가요성 멤브레인 无效
标题翻译：用于抛光头的柔性膜
公开(公告)号：KR1020130131120A
公开(公告)日：2013-12-03
申请号：KR1020120054941
申请日：2012-05-23
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 장영석 , 고영호 , 김재선 , 김큰별 , 이재창 , 허민성 , 홍진석
IPC分类号： B24B37/11 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/30
摘要： A flexible membrane for a polishing head comprises a disc-shaped main unit which includes a first face being in contact with one surface of a substrate and a second face being opposite to the first face; expansion units which limit each independent space by protruding vertically from the second face of the main unit; and an inner ring which is mounted inside the outermost expansion units among the expansion units in order to support the edge part, and has flat upper and lower faces in a combined state. When performing a polishing process using the membrane, the surface flatness of a substrate increases.
摘要翻译：一种用于抛光头的柔性膜包括：盘形主体，其包括与基板的一个表面接触的第一面和与第一面相对的第二面; 膨胀单元，其通过从主单元的第二面垂直突出来限制每个独立空间; 以及安装在膨胀单元中的最外侧膨胀单元内部以便支撑边缘部分的内圈，并且具有处于组合状态的平坦的上表面和下表面。当使用膜进行抛光处理时，基板的表面平坦度增加。

7. 发明公开

KR1020120095693A 평탄화된 절연막들을 구비하는 반도체 소자 및 그 제조방법 无效
标题翻译：具有平面绝缘的半导体器件及其形成方法
公开(公告)号：KR1020120095693A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：KR1020110015165
申请日：2011-02-21
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 배진우 , 황인석 , 한명식 , 박세정 , 조성민 , 고영호 , 홍의관
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/31053 , H01L21/76819
摘要： PURPOSE: A semiconductor device having a planarized insulation layer and a forming method thereof are provided to prevent first and second planarized insulation layers from being damaged by preventing a physical stress from being applied to a stress concentration area of a first insulation layer. CONSTITUTION: A substrate(100) having a first section(A) and a second section(B) adjacent each other. A structure(110) is formed on the top of the substrate within the first section. A first insulation layer is formed on the substrate having the structure. The first insulation layer comprises a first top surface, an inclined side wall(130S), and a second top surface(130TB). A second insulation layer is formed on the first insulation layer.
摘要翻译：目的：提供一种具有平坦化绝缘层及其形成方法的半导体器件，以通过防止物理应力施加到第一绝缘层的应力集中区域来防止第一和第二平坦化绝缘层受损。构成：具有彼此相邻的第一部分（A）和第二部分（B）的基底（100）。在第一部分内的基板的顶部上形成结构（110）。在具有该结构的基板上形成第一绝缘层。第一绝缘层包括第一顶表面，倾斜侧壁（130S）和第二顶表面（130TB）。在第一绝缘层上形成第二绝缘层。

8. 发明公开

KR1020100001560A 화학적 기계적 연마 설비 无效
标题翻译：化学机械抛光设备
公开(公告)号：KR1020100001560A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：KR1020080061514
申请日：2008-06-27
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 홍명기 , 윤보언 , 고영호 , 이종원 , 최재광 , 홍창기
IPC分类号： B24B37/04 , B24B37/24 , H01L21/304 , B24B37/10
CPC分类号： B24B37/04 , B24B37/24 , B24B37/26 , B24B57/02
摘要： PURPOSE: Chemical mechanical polishing equipment is provided to prevent generation of a scratch by forming particle balls within a polyurethane matrix. CONSTITUTION: Chemical mechanical polishing equipment comprises a polishing head, a platen, a slurry supply part, and a polishing pad(800). The polishing head rotates the top part of a wafer. The platen is rotated on the bottom part of the wafer corresponding with the polishing head. The slurry supply part supplies slurry to the platen or the wafer rotated on the top part of the platen. Particle balls(810) are randomly formed on the polishing pad. The surface area contacted with the wafer is uniformly maintained within a matrix(830).
摘要翻译：目的：提供化学机械抛光设备，以防止在聚氨酯基质内形成颗粒球而产生划痕。构成：化学机械抛光设备包括抛光头，压板，浆料供应部分和抛光垫（800）。抛光头旋转晶片的顶部。压板在与抛光头对应的晶片的底部上旋转。浆料供给部件将浆料供给到在压板的顶部上旋转的压板或晶片。颗粒球（810）随机地形成在抛光垫上。与晶片接触的表面积均匀地保持在基体（830）内。

9. 发明公开

KR1019990066460A 변형된 호프만 방식을 이용한 데이터 송수신 장치 无效
标题翻译：使用改进霍夫曼方法的数据传输/接收设备
公开(公告)号：KR1019990066460A
公开(公告)日：1999-08-16
申请号：KR1019980002396
申请日：1998-01-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 고영호
IPC分类号： H04N1/41
摘要： 본 발명은 변형된 호프만 방식을 이용한 데이터 송수신 장치에 관한 것이다. 팩시밀리 등에 사용되는 이 장치는 변형된 호프만 방식을 종래의 소프트웨어적인 방식의 구현과 달리 하드웨어적으로 구현함으로서 보다 빠르게 데이터를 처리할 수 있다.

10. 发明公开

KR1019990066134A 2진 영상 처리를 위한 디지털 이미지 처리기 无效
标题翻译：数字图像处理器用于二值图像处理
公开(公告)号：KR1019990066134A
公开(公告)日：1999-08-16
申请号：KR1019980001785
申请日：1998-01-21
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 고영호
IPC分类号： H04N1/56
摘要： 본 발명의 디지털 이미지 처리기는 명암 보정(Shading Correction)과, 감마 보정(Gamma Correction) 그리고 에러 확산(Error Diffusion) 과정을 통하여 디지털 이미지를 처리한다. 각 픽셀(Pixel)들에 대응된 아날로그-디지털 컨버터(Analog-to-Digital Convertor)의 출력을 가변적인 임계값과 비교하여, 임계값 보다 크면 검은색으로, 작으면 흰색으로 판단한 후, 오차를 주변 픽셀로 분산시킨다. 그 결과 사진 문서의 경우 사람의 시각에 적절한 명함을 부여하게 되는 효과를 가져온다

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