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1. 发明申请

WO2012086979A1 단결정을 이용한 ４－포인트 프로브 홀더의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단결정 ４－포인트 프로브 홀더 审中-公开
标题翻译：使用单晶和单晶四点探针保持器制造四点探头支架的方法
公开(公告)号：WO2012086979A1
公开(公告)日：2012-06-28
申请号：PCT/KR2011/009782
申请日：2011-12-19
申请人： 부산대학교 산학협력단 , 차수영 , 조용찬 , 박상언 , 조채용 , 정세영
发明人： 차수영 , 조용찬 , 박상언 , 조채용 , 정세영
IPC分类号： G01R3/00 , G01R1/067
CPC分类号： G01R33/072
摘要： 본 발명은 4-포인트 프로브 홀더의 제조방법 및 이에 의해 제조된 4-포인트 프로브 홀더에 관한 것으로서, 기판과, 상기 기판에 결합되며 금속 재료로 형성된 전극, 프로브, 고정핀, 배선라인으로 이루어진 금속 부품을 포함하는 4-포인트 프로브 홀더의 제조방법에 있어서, 금, 구리, 은, 알루미늄, 니켈 중 어느 하나를 단결정으로 육성시키는 제1단계와; 상기 육성된 단결정을 원형 플레이트로 가공하는 제2단계와; 상기 원형 플레이트를 가공하여 4-포인트 프로브 홀더의 상기 금속 부품을 단결정 부품으로 형성하는 제3단계와; 상기 단결정 부품을 연마 및 미세가공하는 제4단계와; 상기 기판의 4-포인트부에 대응하여 상기 단결정 부품을 배치하고, 고정시키는 제5단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 단결정을 이용한 4-포인트 프로브 홀더의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단결정을 이용한 4-포인트 프로브 홀더를 기술적 요지로 한다. 이에 의해 비전도성 시편의 경우에도 전기적인 특성인 홀효과의 측정(비저항 측정)이 가능하여, 기존의 4-포인트 프로브 홀더에서 불가능하였던 물질 분석의 정밀도를 향상시킬 수 있어 비저항의 측정 시편의 범위를 확대시켜 다양한 물질의 특성 분석이 가능한 이점이 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种制造使用单晶的4点探头支架的方法，以及由包括基板的单晶体4点探针支架以及耦合到该基板的4点探针支架并且包括金属部件，其还包括由金属材料制成的电极，探针，固定销和布线，本发明的关键技术特征是使用单个的四点式探头保持器的制造方法晶体和由其制造的单晶4点探针架，该方法包括：从金，铜，银，铝和镍的一种金属生长单晶的第一步骤; 处理生长成圆板的单晶的第二步骤; 第三步骤，处理圆板，以便将4点探头支架的金属部分形成为单晶部分; 第四步骤，对单晶部分进行抛光和精加工; 以及将所述单晶部分布置和固定以对应于所述基板的4点部分的第五步骤。因此，即使在非导电性试样中也能够进行电性质的霍尔效应（非电阻测定）的测量，可以实现提高的物质分析精度，这在现有的4点探头支架中是不可能的，从而扩大非导电性样品测量的范围，从而具有能够分析各种物质的性质的优点。

2. 发明授权

KR100606335B1 단결정을 이용한 나노 물질 제조방법 및 이 방법에 의한나노 물질 失效
标题翻译：纳米材料采用单晶及其制造方法
公开(公告)号：KR100606335B1
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：KR1020030050337
申请日：2003-07-22
申请人： 정세영 , 조채용
发明人： 정세영 , 조채용 , 박상언
IPC分类号： B82B3/00 , B82Y40/00
摘要： 본 발명은 단결정을 이용한 나노물질 제조방밥 및 이 방법에 의해 제조되는 나노물질에 관한 것으로, X(X:3족원소)에 NaN
3 를 혼합한 혼합물을 형성시켜 성장도가니에 봉입한 후, 상기 성장도가니측으로 질소가스를 공급시킴에 의해 XN 단결정을 성장시키는 단결정 형성과정과; 상기 단결정 형성과정에서 형성된 XN 단결정을 연마하여 수십 내지 수 마이크로 크기의 XN 미분체로 형성시키는 미분체 형성과정과; 공기분위기에서 상기 미분체 형성과정에서 형성된 XN 미분체를 도가니에 수용하여 열처리 시키는 열처리과정; 그리고, 열처리과정을 거친 후 도가니의 온도를 상온까지 냉각시키는 냉각과정;을 포함하여 구성되어 X
2 O
3 나노 물질이 형성되는 단결정을 이용한 나노 물질 제조방법을 기술적 요지로 한다. 그리고, 본 발명은 질소가스공급에 의한 플럭스법으로 형성된 XN(X:3족원소) 단결정을 미분체로 분쇄하고, 도가니 내에 수용하여 공기분위기에서 열처리 한 후, 상온으로 냉각시킴에 의해 X
2 O
3 나노 물질이 형성되는 단결정을 이용한 나노 물질을 또한 기술적 요지로 한다. 이에 따라, 플럭스로 NaN
3 를 이용하고 질소가스를 공급시킴에 의해 형성된 XN단결정을 이용하여 나노입자를 형성시킴에 의해 나노 입자 크기의 균일하고, 불순물의 영향이 거의 없는 고품위의 X
2 O
3 나노 물질이 형성된다는 이점이 있다.
나노물질 플럭스 단결정 미분체 열처리 냉각

3. 发明授权

KR100524130B1 마그네슘 다이보라이드 단결정 및 그 제조방법 失效
标题翻译：二硼化镁的单晶及其制造方法
公开(公告)号：KR100524130B1
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：KR1020020019132
申请日：2002-04-09
申请人： 정세영 , 조채용 , 주식회사 컴텍스
发明人： 정세영 , 조채용
IPC分类号： C30B1/00
摘要： 본 발명은 마그네슘 다이보라이드(MgB
2 ) 단결정에 관한 것으로, 마그네슘(Mg)에 보론(B)을 첨가하고, 여기에 나트륨(Na), 리튬(Li), 루비듐(Rb), 칼륨(K) 중에서 선택된 하나의 알칼리금속을 첨가하여 원료시약을 제작하여 성장도가니에 수용시켜 외부도가니로 밀봉하고, 외부에서 가열시킴과 동시에 성장도가니 내부를 가압시킨 후, 상온까지 단계적으로 냉각시키고 가압해제 시킴에 의해 형성되는 마그네슘 다이보라이드 단결정 및 최초의 반응물질로 마그네슘(Mg)에 보론(B)을 첨가하고, 촉매제로서 알칼리 원소를 첨가하여 혼합물을 형성시키는 혼합과정과; 상기 혼합물을 성장도가니에 수용시키고, 상측에 압력전달튜브가 형성된 외부도가니 내에 성장도가니를 위치시킨 후, 성장도가니를 외부로 부터 밀봉시키는 밀봉과정과; 상기 외부도가니를 가스 공급이 가능한 수정관이 설치된 가열로의 수정관 내부에 위치시킨후, 수정관측으로 가스를 공급시키면서 성장도가니를 가온,가압시키는 가온가압과정과; 상기 가온가압과정 후, 상기 성장도가니를 상온까지 단계적으로 냉각시키는 냉각과정; 그리고, 내부의 압력을 제거한 후, 성장도가니를 개봉하여 세척 및 건조 시키는 후처리과정;을 포함하여 구성되는 마그네슘 다이보라이드 단결정 제조방법을 기술적 요지로 한다. 이에 따라, 알칼리 원소를 촉매제(catalyst)로 이용한 플럭스 법을 사용하여 비교적 저온 및 저압하에서 마그네슘 다이보라이드 단결정을 제조하게 되어 제작이 용이함과 동시에 제작원가를 절감시키는 이점이 있다.

4. 发明授权

KR100483318B1 상온 강자성 반도체 단결정 및 그 제조방법 失效
标题翻译：铁磁半导体单晶及其制造方法
公开(公告)号：KR100483318B1
公开(公告)日：2005-04-15
申请号：KR1020020014593
申请日：2002-03-18
申请人： 정세영 , 조채용 , 주식회사 컴텍스
发明人： 정세영 , 조채용
IPC分类号： C30B15/14
摘要： 본 발명은 상온 강자성 단결정에 관한 것으로, 갈륨에 NaN
3 , Li
3 N, Ca
3 N
2 , Mg
3 N
2 중에서 선택된 하나의 플럭스를 첨가하고, 여기에 전이금속을 첨가한 원료시약을 제작하여 성장도가니에 수용시켜 밀봉 가열 한 후 상온까지 단계적으로 냉각시킴에 의해 형성되는 상온 강자성 반도체 단결정을 기술적 요지로 한다. 그리고, 최초의 반응물질로 갈륨(Ga)과 플럭스로서 NaN
3 , Li
3 N, Ca
3 N
2 , Mg
3 N
2 중에서 선택된 하나의 물질과 전이금속을 일정량의 혼합비로 칭량하여 혼합물을 형성시키는 혼합과정과; 상기 혼합물을 성장도가니 내부에 수용시킨 후, 성장도가니를 외부로 부터 밀봉시키는 밀봉과정과; 상기 밀봉된 성장도가니를 구역별로 가열되는 수직 열처리로의 중앙부에 수직으로 위치시킨 후 가열시키는 가열과정과; 상기 가열과정 후 수직 열처리로의 전원을 오프시켜 성장도가니를 상온까지 냉각시키는 냉각과정; 그리고, 상기 냉각과정을 거친 성장도가니를 개봉하여 세척 및 건조시키는 후처리과정;을 포함하여 구성되는 상온 강자성 반도체 단결정 제조방법을 또한 기술적 요지로 한다. 이에 따라, 기존의 박막과는 다르게 순수한 단결정 GaN에 전이 금속을 쉽게 첨가하여 상온 강자성 반도체 단결정을 제조 할 수 있고, 저압하에서 판상구조 형태의 DMS 단결정을 얻을 수 있다는 이점이 있다.

5. 发明公开

KR1020030036568A 고품위 지에이엔 단결정 기판의 제조방법 失效
标题翻译：制造高品质单体晶体衬底的方法
公开(公告)号：KR1020030036568A
公开(公告)日：2003-05-09
申请号：KR1020030025096
申请日：2003-04-21
申请人： 정세영 , 조채용 , 주식회사 컴텍스
发明人： 정세영 , 조채용 , 박상언
IPC分类号： C30B29/38
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a high quality GaN single crystalline substrate is provided to grow GaN single crystal without lattice defect by HVPE (hydride vapor phase epitaxy) method using GaN single crystal grown by supply of activated nitrogen gas as a growing substrate. CONSTITUTION: The method for manufacturing a high quality GaN single crystalline substrate comprises a growing substrate forming process of forming GaN single crystal by flowing activated nitrogen gas to the side of the growing crucible, wherein the activated nitrogen gas is generated as NaN3 is being decomposed through a subsidiary crucible which is connected to the growing crucible by a connection pipe and sealed with NaN3 being contained in the subsidiary crucible after sealing a growing crucible with a mixture of gallium (Ga) and NaN3 being formed inside the growing crucible; a single crystalline layer forming process of forming a GaN single crystalline layer(201) on the upper surface of the growing substrate(200) using HVPE (hydride vapor phase epitaxy) method after using a mirror surface of the GaN single crystal formed in the substrate forming process as a growing surface and maintaining temperature of the substrate to 1020 to 1050 deg.C; and a growing substrate removing process of removing the growing substrate(200) formed in the substrate forming process after the single crystalline layer forming process, wherein surface treatment process is proceeded after the growing substrate removing process.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造高质量GaN单晶衬底的方法，通过使用通过提供活性氮气生长的GaN单晶作为生长衬底的HVPE（氢化物气相外延）法，生长GaN单晶而没有晶格缺陷。构成：用于制造高质量GaN单晶衬底的方法包括通过将活性氮气流动到生长的坩埚侧而形成GaN单晶的生长衬底形成工艺，其中当NaN 3正在分解时产生活性氮气附属坩埚通过连接管连接到生长的坩埚上，并且在用生长的坩埚中形成的镓（Ga）和NaN 3的混合物密封生长的坩埚之后，将NaN 3密封在辅助坩埚中; 在使用形成在衬底中的GaN单晶的镜面之后，使用HVPE（氢化物气相外延）法在生长衬底（200）的上表面上形成GaN单晶层（201）的单晶层形成工艺形成工艺作为生长表面并将衬底的温度保持在1020至1050℃; 以及在单晶层形成工艺之后移除在基板形成工艺中形成的生长衬底（200）的生长的衬底去除工艺，其中在生长衬底去除工艺之后进行表面处理工艺。

6. 发明授权

KR100373831B1 소구경 질화물 단결정을 이용한 소자 제조용 대구경 기판및 이의 제조방법 失效
标题翻译： 소구경질화물단결정을이용한소자제조용대구경기판및이의제조방
公开(公告)号：KR100373831B1
公开(公告)日：2003-02-26
申请号：KR1020010004694
申请日：2001-01-31
申请人： 정세영 , 조채용 , 권용범 , 주식회사 컴텍스
发明人： 조채용 , 정세영 , 권용범 , 박상언
IPC分类号： H01L21/02
摘要： PURPOSE: A large aperture substrate for manufacturing devices using a single crystal of a nitride with a small aperture and a method for manufacturing the same are provided to form a substrate with a large aperture by locating a single crystal of a nitride with a small aperture on a substrate. CONSTITUTION: A single crystal(110) is selected according to its size and thickness by using a mesh. A lithography process is performed to pattern a multitude of buried space portion for locating the single crystal(110) on a substrate(100). The single crystal(110) is located on the buried space portion. A thin film(120) is deposited on the substrate(100) and an upper face of the single crystal(110). A surface of the thin film(120) is polished. An active area is formed by etching the remaining thin film(120) of the single crystal(110).
摘要翻译：目的：提供一种用于制造使用具有小孔径的氮化物单晶的大孔径衬底及其制造方法，以通过将具有小孔径的氮化物单晶定位在大孔径上来形成具有大孔径的衬底衬底。构成：单晶（110）根据其尺寸和厚度通过使用网格来选择。执行光刻工艺以图案化用于将单晶（110）定位在衬底（100）上的多个掩埋空间部分。单晶（110）位于掩埋空间部分上。薄膜（120）沉积在衬底（100）和单晶（110）的上表面上。薄膜（120）的表面被抛光。通过蚀刻单晶（110）的剩余薄膜（120）形成有源区。

7. 发明公开

KR1020020042552A 마그네슘 다이보라이드 단결정 및 그 제조방법 失效
标题翻译：二氧化钛的单晶及其制造方法
公开(公告)号：KR1020020042552A
公开(公告)日：2002-06-05
申请号：KR1020020019132
申请日：2002-04-09
申请人： 정세영 , 조채용 , 주식회사 컴텍스
发明人： 정세영 , 조채용
IPC分类号： C30B1/00
摘要： PURPOSE: A single crystal of magnesium diboride is provided to grow a single crystal having a size of 100 microns or more using an alkali element as a reaction catalyst under relatively low temperature and pressure without using high temperature and pressure devices, and a method for manufacturing the same is provided. CONSTITUTION: The single crystal of magnesium diboride is formed by the steps of preparing a raw material reagent by adding boron(N) to magnesium(Mg), and adding a transition metal selected from sodium(Na), lithium(Li), rubidium(Rb) and potassium(K); sealing the growing crucible using an outer crucible after putting the prepared raw material reagent into a growing crucible; and forming a single crystal of magnesium diboride by cooling the growing crucible to an ordinary temperature in stages and then releasing pressurization of the growing crucible after simultaneously heating the outer crucible from the outside and pressurizing the inside of the growing crucible. The method for manufacturing the single crystal of magnesium diboride comprises a mixing process of forming a mixture by adding boron to magnesium as an initial reactant, and then adding am alkali element as a catalyst; a sealing process of sealing the growing crucible from the outside after putting the mixture into a growing crucible and positioning the growing crucible inside an outer crucible at the upper part of which a pressure transmitting tube is formed; a temperature and pressure applying process of applying a temperature and a pressure to the growing crucible as supplying a gas into the side of the quartz tube after positioning the outer crucible inside the quartz tube of a heating furnace at which a quartz tube capable of supplying a gas is installed; a cooling process of cooling the growing crucible to an ordinary temperature in stages after the temperature and pressure applying process; and a post-treatment process of washing and drying the growing crucible by opening the growing crucible after releasing an internal pressure of the growing crucible.
摘要翻译：目的：在不使用高温高压装置的情况下，使用碱金属元素作为反应催化剂，在不使用高温高压装置的情况下，提供二硼化镁的单晶来生长尺寸为100微米以上的单晶，同样提供。构成：通过以下步骤形成二硼化镁的单晶：通过向镁（Mg）中加入硼（N）制备原料试剂，并加入选自钠（Na），锂（Li），铷（ Rb）和钾（K）; 在将准备的原料试剂放入生长的坩埚中之后，使用外坩埚密封生长的坩埚; 并且通过将生长的坩埚分阶段冷却至常温，然后在从外部同时加热外坩埚并对生长的坩埚的内部加压之后，释放生长的坩埚的加压，从而形成二硼化镁的单晶。制造二硼化镁的单晶的方法包括通过将硼添加至镁作为初始反应物，然后加入碱金属元素作为催化剂形成混合物的混合过程; 将混合物放入生长的坩埚中之后将生长的坩埚从外部密封并将生长的坩埚定位在其上部形成有压力传输管的外坩埚内的密封过程; 将外坩埚定位在加热炉的石英管内部，将石英管供给到石英管的能量供给管的石英管的温度和压力施加过程中，向生长的坩埚施加温度和压力，燃气安装; 在温度和压力施加过程之后将生长的坩埚冷却至常温的冷却过程; 以及通过在释放生长的坩埚的内部压力之后打开生长的坩埚来洗涤和干燥生长的坩埚的后处理过程。

8. 发明公开

KR1020010000827A 용융에 의한 지에이엔 단결정 제조방법 无效
标题翻译：通过熔炼制备单晶晶的制备方法
公开(公告)号：KR1020010000827A
公开(公告)日：2001-01-05
申请号：KR1020000062134
申请日：2000-10-21
申请人： 정세영 , 조채용 , 주식회사 컴텍스
发明人： 정세영 , 조채용
IPC分类号： C30B29/38
摘要： PURPOSE: A method for preparing GaN single crystal by melting is provided, to reduce defects such as dislocation due to the lattice mismatch and the difference of thermal expansion coefficients. CONSTITUTION: The method comprises the steps of mixing gallium(Ga) with Na or NaN3 being a catalyst in a furnace placed in an isolated reactor; flowing nitrogen gas into the reactor to increase the pressure and to make the nitrogen atmosphere; and heating the furnace to melt Ga and the catalyst and to grow GaN single crystal. Preferably the mixture of Ga and a catalyst contains further GaN single crystal with the size of 0.3-1.0 mm as a seed; and the mixture is doped with Mg, Na, Sr or Ba. The furnace is formed by using graphite, polycrystalline boron nitride.
摘要翻译：目的：提供通过熔融制备GaN单晶的方法，以减少由于晶格失配和热膨胀系数差引起的位错等缺陷。方法：该方法包括将镓（Ga）与作为催化剂的Na或NaN3在放置在隔离反应器中的炉中混合的步骤; 将氮气流入反应器以增加压力并使氮气氛围; 并加热炉来熔化Ga和催化剂并生长GaN单晶。优选地，Ga和催化剂的混合物含有尺寸为0.3-1.0mm的另外的GaN单晶作为种子; 混合物掺杂有Mg，Na，Sr或Ba。该炉通过使用石墨，多晶氮化硼形成。

9. 发明申请

WO2022250343A1 실리콘이 코팅 된 구리 제조방법, 이를 이용한 실리콘이 코팅된 산화방지용 구리 및 이를 이용한 반도체 장치 审中-公开
公开(公告)号：WO2022250343A1
公开(公告)日：2022-12-01
申请号：PCT/KR2022/006804
申请日：2022-05-12
申请人： 부산대학교 산학협력단
发明人： 정세영 , 김수재
IPC分类号： C23C14/06 , C23C14/58 , H01L23/00
摘要： 본 발명은 실리콘이 코팅 된 구리 제조방법, 이를 이용한 실리콘이 코팅된 산화방지용 구리 및 이를 이용한 반도체 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 실리콘(Si)을 증착하여 실리콘(Si)-산소(O)-구리(Cu) 혼합층 보호막을 형성하여 전기적인 특성을 그대로 유지하면서 산화에 대한 저항성을 갖는 실리콘(Si)이 코팅 된 표면을 포함하는 구리에 관한 것이다. 본 발명인 실리콘이 코팅된 산화방지용 구리는 실리콘(Si)을 증착시켜 실리콘(Si)-산소(O) 혼합층이 형성된 것을 특징으로 한다. 상기 실리콘이 코팅된 구리는 구리층(10); 상기 구리층(10) 상단에 실리콘(Si)-산소(O)-구리(Cu)가 혼합되어 형성된 사이콕스층(20); 상기 사이콕스층(20) 상단에 형성된 제 1 실리콘(Si)-산소(O) 혼합층(30); 상기 제 1 실리콘(Si)-산소(O) 혼합층(30) 상단에 형성된 실리콘(Si)층(40); 및 상기 실리콘(Si)층(40) 상단에 형성된 제 2 실리콘(Si)-산소(O) 혼합층(50);으로 구성되는 것을 특징으로 한다. 본 발명인 실리콘이 코팅 된 구리 제조방법은 실리콘(Si)을 스퍼터링(sputtering) 단일 공정으로 증착시킨 것을 특징으로 한다.

10. 发明申请

WO2014003445A1 수소를 이용한 산화아연계 P 형 반도체 박막 및 그 제조방법 审中-公开
标题翻译：基于氧化锌的P型半导体薄膜使用氢及其制造方法
公开(公告)号：WO2014003445A1
公开(公告)日：2014-01-03
申请号：PCT/KR2013/005673
申请日：2013-06-27
申请人： 부산대학교 산학협력단
发明人： 정세영 , 신종문 , 조용찬 , 박상언 , 조채용 , 이승훈
IPC分类号： H01L21/316
CPC分类号： H01L21/02554 , H01L21/02579 , H01L21/02664 , H01L29/7869
摘要： 본 발명은 수소를 이용한 산화아연계 p 형 반도체 박막 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판 위에 전이금속(M)이 도핑된 Zn 1-X M X O(0.07≤x≤0.2) 산화아연계 박막을 증착시키는 박막 증착단계와; 상기 박막 증착단계를 거친 산화아연계 박막 상면에 금속 박막을 증착시키는 금속층 형성단계와; 상기 금속층 형성단계 후에, 상기 산화아연계 박막 및 금속 박막이 형성된 기판 측으로 수소가 함유된 혼합가스를 흘려서 상기 산화아연계 박막에 수소를 주입시키는 수소 주입단계;를 포함하여 구성되는 수소를 이용한 산화아연계 p 형 반도체 박막의 제조방법을 기술적 요지로 한다. 그리고, 본 발명은, 기판과; 상기 기판 상면에 형성되고 전이금속(M)이 도핑된 Zn 1-X M X O(0.07≤x≤0.2) 산화아연계 박막과; 상기 산화아연계 박막 상면에 형성된 금속 박막; 그리고, 수소가 함유된 혼합가스를 이용하여 상기 산화아연계 박막 내부로 주입된 수소;를 포함하여 구성되는 수소를 이용한 산화아연계 p 형 반도체 박막을 또한 기술적 요지로 한다.
摘要翻译：本发明涉及使用氢的氧化锌系p型半导体薄膜及其制造方法。本发明的技术思想涉及一种使用氢制造基于氧化锌的p型半导体薄膜的方法，该方法包括：沉积Zn1-XMXO（0.07≤x≤0.2）的锌的薄膜沉积步骤在基板上掺杂有过渡金属（M）的氧化物基薄膜; 从所述薄膜沉积步骤在所述氧化锌基薄膜上沉积金属薄膜的金属层形成步骤; 以及氢喷射步骤，将含有氢的混合气体供给到已经形成氧化锌基薄膜和金属薄膜的基板上，以在金属层形成之后将氧气供给到氧化锌基薄膜步。此外，本发明的技术思想涉及使用氢的基于氧化锌的p型半导体薄膜，包括：基板; 形成在衬底上并掺杂有过渡金属（M）的Zn1-XMXO（0.07 <= x <= 0.2）氧化锌基薄膜; 形成在氧化锌基薄膜上的金属薄膜; 以及使用含氢气的混合气体供给至氧化锌系薄膜的氢。

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