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1. 发明申请

WO2011019222A9 구리 배선의 형성을 위한 식각액 조성물 审中-公开
公开(公告)号：WO2011019222A9
公开(公告)日：2011-02-17
申请号：PCT/KR2010/005310
申请日：2010-08-12
申请人： 동우 화인켐 주식회사 , 양승재 , 임민기 , 권오병 , 이유진 , 유인호 , 박영철 , 신혜라 , 이준우
发明人： 양승재 , 임민기 , 권오병 , 이유진 , 유인호 , 박영철 , 신혜라 , 이준우
IPC分类号： C09K13/08 , C23F1/18
摘要： 본 발명은 구리계 금속막과 티타늄계 금속막을 포함하는 다중막에 대한 습식 식각액 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 식각액 조성물은 상기와 같은 다중막의 식각시에 우수한 식각 프로파일을 제공하며, 유리 기판 및 하부의 절연막에 대한 손상 및 잔사 발생을 최소화함으로써 후속 공정이 안정적으로 수행될 수 있게 한다.

2. 发明申请

WO2011019209A2 금속 배선 형성을 위한 식각액 조성물 审中-公开
标题翻译：用于金属布线形成的蚀刻剂组合物
公开(公告)号：WO2011019209A2
公开(公告)日：2011-02-17
申请号：PCT/KR2010/005277
申请日：2010-08-11
申请人： 동우 화인켐 주식회사 , 양승재 , 이석준 , 장상훈 , 이준우 , 임민기 , 권오병 , 박영철
发明人： 양승재 , 이석준 , 장상훈 , 이준우 , 임민기 , 권오병 , 박영철
IPC分类号： C09K13/08 , C23F1/20
CPC分类号： C23F1/20 , C23F1/26 , H01L21/32134
摘要： 본 발명은 화소전극, 게이트전극, 소스전극 및 드레인 전극의 배선용으로 사용되는, 인듐계 투명전도막, 알루미늄계 금속막 및 티타늄계 금속막 중에서 선택되는 하나 이상의 막으로 구성되는 금속막의 식각액 조성물을 제공한다. 상기 식각액 조성물은 인듐계 투명전도막, 알루미늄계 금속막 및 티타늄계 금속막 각각에 대한 식각특성이 우수하며, 특히, Al-La계 합금막의 식각특성이 우수하다. 또한, 인듐계 투명전도막, Al-La계 합금막 및 티타늄계 금속막으로 이루어진 삼중막을 효율적으로 일괄 식각할 수 있다.
摘要翻译：由
本发明是像素电极，栅电极，源电极和漏电极的布线，铟透明导电用作铝系金属膜和选自以下的至少一个层中的基于钛的金属膜膜由此提供用于待形成金属膜的蚀刻剂组合物。蚀刻剂组合物对铟系透明导电膜，铝系金属膜，钛系金属膜的蚀刻性优异，特别是Al-La系合金膜的蚀刻性优异。此外，可以有效地蚀刻由铟基透明导电膜，Al-La基合金膜和钛基金属膜制成的三层膜。

3. 发明申请

WO2011010877A2 금속 배선 형성을 위한 식각액 조성물 审中-公开
标题翻译：用于形成金属线的蚀刻组合物
公开(公告)号：WO2011010877A2
公开(公告)日：2011-01-27
申请号：PCT/KR2010/004807
申请日：2010-07-22
申请人： 동우 화인켐 주식회사 , 임민기 , 양승재 , 이유진 , 박영철 , 권오병
发明人： 임민기 , 양승재 , 이유진 , 박영철 , 권오병
IPC分类号： C09K13/08 , C23F1/10
CPC分类号： C09K13/08 , C23F1/20 , C23F1/26 , C23F1/44 , H01L21/32134
摘要： 본 발명은 금속 배선 형성을 위한 식각액 조성물에 관한 것이다. 상기 식각액 조성물은 티타늄, 티타늄 합금, 알루미늄 및 알루미늄 합금으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속으로 형성된 단일막 또는 이중막 이상의 다중막을 일괄적으로 습식 식각할 수 있어서 식각 공정의 간소화 및 생산성 향상 효과를 제공한다. 또한, 식각속도가 빠르고, 하부막 및 장비에 대한 손상이 없으며, 균일한 에칭이 가능하여 우수한 식각 특성을 제공하며, 고가의 장비구성이 필요하지 않고 대면적화에 유리하여 매우 경제적인 이점을 제공한다.
摘要翻译：本发明涉及用于形成金属线的蚀刻剂组合物。蚀刻剂组合物可以一次性地湿法蚀刻由选自钛，钛合金，铝和铝合金的一种或多种金属形成的单层膜，或者包括双层的多层膜膜，从而简化了蚀刻工艺并提高了生产率。此外，本发明的蚀刻剂组合物具有高蚀刻速度，防止对下膜和设备的损害，能够均匀蚀刻，提供优异的蚀刻特性，消除对昂贵的设备的需要，在用于大型显示装置时是有利的，以及提供了显着的经济优势。

4. 发明申请

WO2011052987A3 식각액 조성물 审中-公开
公开(公告)号：WO2011052987A3
公开(公告)日：2011-05-05
申请号：PCT/KR2010/007413
申请日：2010-10-27
申请人： 동우 화인켐 주식회사 , 이석준 , 양승재 , 권오병 , 이유진
发明人： 이석준 , 양승재 , 권오병 , 이유진
IPC分类号： C09K13/06
摘要： 본 발명은 조성물 총 중량에 대하여, H 3 PO 4 25 내지 50 중량%; HNO 3 0.1 내지 7 중량%; CH 3 COOH 10 내지 50 중량%; 고리형 아민 화합물 0.1 내지 5 중량%; 및 물 잔량을 포함하는 것을 특징으로 하는, 구리를 포함하는 금속막과 몰리브덴을 포함하는 금속막으로 이루어진 이중막 또는 다중막용 식각액 조성물에 관한 것이다.

5. 发明申请

WO2011052989A2 식각액 조성물 审中-公开
标题翻译：蚀刻溶液组合物
公开(公告)号：WO2011052989A2
公开(公告)日：2011-05-05
申请号：PCT/KR2010/007417
申请日：2010-10-27
申请人： 동우 화인켐 주식회사 , 양승재 , 이석준 , 권오병
发明人： 양승재 , 이석준 , 권오병
IPC分类号： C09K13/08 , C23F1/20 , H05K1/02
CPC分类号： C23F1/16 , C09K13/08 , H05K3/067
摘要： 본 발명은 조성물 총 중량에 대하여, 인산 45 내지 70 중량%; 질산 2 내지 10 중량%; 초산 5 내지 25 중량%; 함불소 화합물 0.01 내지 3 중량%; 인산염 0.1 내지 5 중량%; 및 물 잔량을 포함하는 것을 특징으로 하는 In, Al 및 Mo를 포함하는 삼중막용 식각액 조성물에 관한 것이다.
摘要翻译：本发明涉及用In，Al和Mo形成的三重膜的蚀刻溶液组合物，并且所述组合物相对于组合物的总重量包含：45至70重量％的磷酸; 硝酸2〜10重量％; 乙酸5〜25重量％; 全氟化合物0.01〜3重量％磷酸盐0.1〜5重量％和残余水。

6. 发明授权

KR101621534B1 금속 배선 형성을 위한 식각액 조성물 有权
标题翻译：用于金属布线形成的蚀刻剂组合物
公开(公告)号：KR101621534B1
公开(公告)日：2016-05-17
申请号：KR1020090066917
申请日：2009-07-22
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 임민기 , 양승재 , 이유진 , 박영철
IPC分类号： C09K13/08
摘要： 본발명은금속배선형성을위한식각액조성물에관한것이다. 상기식각액조성물은티타늄, 티타늄합금, 알루미늄및 알루미늄합금으로이루어진군으로부터선택되는 1종이상의금속으로형성된단일막또는이중막이상의다중막을일괄적으로습식식각할수 있어서식각공정의간소화및 생산성향상효과를제공한다. 또한, 식각속도가빠르고, 하부막및 장비에대한손상이없으며, 균일한에칭이가능하여우수한식각특성을제공하며, 고가의장비구성이필요하지않고대면적화에유리하여매우경제적인이점을제공한다.
摘要翻译：本发明涉及用于金属布线形成的蚀刻剂组合物。的蚀刻液体组合物提供了一种钛，钛合金，铝，和简化和改进的单膜或蚀刻工艺的生产率，根据湿蚀刻多层膜在中膜由金属从由铝合金效果的组中选择的一个构件上集中形成的。此外，蚀刻速度快，有到底层膜和设备没有损坏，并提供优良的蚀刻特性可以是均匀的蚀刻，有利的是大面积，而不需要昂贵的设备的配置提供了一个非常经济的优点。

7. 发明授权

KR101406573B1 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성방법 有权
标题翻译：蚀刻剂组成及其制作方法
公开(公告)号：KR101406573B1
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：KR1020080008122
申请日：2008-01-25
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 양승재 , 이현규
IPC分类号： C09K13/08
摘要： 본 발명은 조성물 총 중량에 대하여, 0.5~20중량%의 (NH
4 )
2 S
2 O
8 ; 0.1~5중량%의 인산염; 0.01~1중량%의 함불소 화합물; 0.01~1중량%의 헤테로사이클릭아민
및 아미노카르복실산 화합물 중에서 선택되는 1종 이상의 질소 화합물; 및 73~99.38중량%의 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성 방법을 제공한다.
구리, 몰리브덴, 식각액

8. 发明授权

KR101403251B1 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴 형성방법 有权
公开(公告)号：KR101403251B1
公开(公告)日：2014-06-03
申请号：KR1020070072599
申请日：2007-07-20
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 박영철 , 이석준 , 양승재 , 장상훈 , 이현규
IPC分类号： C09K13/08 , C09K13/06
摘要： 본 발명은 구리를 포함하는 제 1 금속막 및 몰리브데늄을 포함하는 제 2 금속막을 각각 식각할 수 있고, 동시에 상기 제 1 금속막 및 상기 제 2 금속막을 포함하는 다중막을 일괄 습식 식각시키기 위한 식각액 조성물에 관한 것으로서, 조성물 총중량에 대하여, 유기산 0.1 내지 20 중량%; K
2 S
2 O
8
1 내지 20 중량%; 함불소 화합물 0.01 내지 1 중량%; Fe
3
+ 화합물 0.1 내지 10 중량%; 헤테로 사이클릭 아민 화합물 0.01 내지 5중량%; 및 잔량의 물을 조성물 총중량이 100중량%가 되도록 포함하는 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴 형성 방법을 제공한다.
구리, 구리합금, 몰리브데늄, 식각액

9. 发明公开

KR1020110019604A 금속 배선 형성을 위한 식각액 조성물 有权
标题翻译：用于形成金属线的蚀刻溶液组合物
公开(公告)号：KR1020110019604A
公开(公告)日：2011-02-28
申请号：KR1020090077210
申请日：2009-08-20
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 임민기 , 양승재 , 권오병 , 박영철
IPC分类号： C09K13/08
摘要： PURPOSE: An etching solution composition is provided to improve productivity of etching process without damage with respect to the lower layer and equipment. CONSTITUTION: An etching solution composition contains 1-30 weight% of H_2O_2, 0.1-2 weight% of fluorine-containing compound, 1-10 weight% of compound containing amino group and carboxyl group, 0.1-5 weight% of nitrate compound, 0.01-5 weight% of cyclic amine compound and remaining amount of water. The fluorine-containing compound is one or more selected from the group consisting of ammonium fluoride, sodium fluoride, potassium fluoride, sodium bifluoride, and potassium bifluoride.
摘要翻译：目的：提供蚀刻溶液组合物以提高蚀刻工艺的生产率，而不会对下层和设备造成损害。构成：蚀刻溶液组合物含有1-30重量％的H_2O_2，0.1-2重量％的含氟化合物，1-10重量％的含氨基和羧基的化合物，0.1-5重量％的硝酸盐化合物，0.01 -5重量％的环胺化合物和剩余量的水。含氟化合物是选自氟化铵，氟化钠，氟化钾，氟化氢钠和氟化氢钾中的一种以上。

10. 发明公开

KR1020090127997A 저식각율 에천트 및 이를 이용한 표시 기판의 제조 방법 无效
标题翻译：具有低蚀刻速率的蚀刻剂及使用其制造显示基板的方法
公开(公告)号：KR1020090127997A
公开(公告)日：2009-12-15
申请号：KR1020080053964
申请日：2008-06-10
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 동우 화인켐 주식회사
发明人： 이병진 , 박홍식 , 정종현 , 홍선영 , 김봉균 , 최영주 , 이지선 , 서남석 , 김기섭 , 이승용 , 이준우 , 박영철 , 진영준 , 양승재 , 이현규 , 장상훈 , 임민기
IPC分类号： C09K13/06
摘要： PURPOSE: An etchant with low etch rate is provided to remove a factor obstructing the evaporation of a post film in advance and to also remove impurities caused by contacting oxygen with the surface of a buffer layer, a gate metal layer and/or data metal layer. CONSTITUTION: An etchant with low etch rate comprises hydrogen peroxide (H2O2) 1-10 weight% etching a metal layer and/or metal oxide layer; additives 1-10 weight% controlling the reaction with hydrogen peroxide; and solvent 80-95 weight%. The additives comprises at least one compound selected from the group consisting of persulfate-based compound and an azole-based compound'.
摘要翻译：目的：提供具有低蚀刻速率的蚀刻剂，以预先阻止后膜的蒸发的因素，并且还除去由氧与缓冲层，栅极金属层和/或数据金属层的表面接触引起的杂质。构成：具有低蚀刻速率的蚀刻剂包括1-10重量％的过氧化氢（H 2 O 2）蚀刻金属层和/或金属氧化物层; 添加剂1-10重量％控制与过氧化氢的反应; 和80-95重量％的溶剂。添加剂包括至少一种选自过硫酸盐基化合物和唑类化合物的化合物。

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