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1. 发明授权

KR101091403B1 발광 소자 有权
标题翻译：发光元件
公开(公告)号：KR101091403B1
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：KR1020100088640
申请日：2010-09-10
申请人： 도요다 고세이 가부시키가이샤
发明人： 야하따고오스께 , 나까죠오나오끼 , 가미야마사오오
IPC分类号： H01L33/36
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/46 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 발광 소자는, 제1 반도체층, 발광층, 및 제2 반도체층을 포함하는 반도체 적층 구조와, 상기 반도체 적층 구조 상에 제공된 절연층과, 상기 절연층, 발광층, 및 제2 반도체층의 내부에서 수직 방향으로 연장되는 제1 수직 도전부와 상기 절연층의 내부에서 평면 방향으로 연장되는 제1 평면 도전부를 포함하며 상기 제1 반도체층에 전기적으로 접속되는 제1 배선과, 상기 절연층의 내부에서 수직 방향으로 연장되는 제2 수직 도전부와 상기 절연층의 내부에서 평면 방향으로 연장되는 제2 평면 도전부를 포함하며 상기 제2 반도체층에 전기적으로 접속되는 제2 배선을 포함한다.
摘要翻译：该发光器件包括：半导体层压结构，其包括第一半导体层，发光层和第二半导体层;设置在半导体层压结构上的绝缘层; 第一布线，电连接到所述第一半导体层并且包括在第一方向上延伸的第一竖直导电部分和在所述绝缘层内部在平面方向上延伸的第一平面导电部分，以及与第二半导体层电连接的第二布线，第二布线包括在绝缘层内沿平面方向延伸的第二平面导电部分。

2. 发明公开

KR1020110031099A 발광 소자 有权
标题翻译：发光元件
公开(公告)号：KR1020110031099A
公开(公告)日：2011-03-24
申请号：KR1020100088640
申请日：2010-09-10
申请人： 도요다 고세이 가부시키가이샤
发明人： 야하따고오스께 , 나까죠오나오끼 , 가미야마사오오
IPC分类号： H01L33/36
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/46 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： PURPOSE: A light emitting device is provided to uniformize the dispersion of currents from a light emitting layer by dispersedly arranging a plurality of n electrodes on the surface of an n side contact layer. CONSTITUTION: A semiconductor stack structure includes a first semiconductor layer, a light emitting layer, and a second semiconductor layer. An insulation layer is formed on the semiconductor stack structure. A first wiring(72) includes a first vertical conductive unit and a first planar conductive unit and is electrically connected to the first semiconductor layer. The first vertical conductive unit is vertically extended in the insulation layer, the light emitting layer, and the second semiconductor layer. The first planar conductive unit is extended in the insulation layer in a planar direction. A second wiring(70) includes a second vertical conductive unit and a second planar conductive unit and is electrically connected to the second semiconductor layer.
摘要翻译：目的：提供一种发光器件，用于通过在n侧接触层的表面上分散布置多个n个电极来均匀化来自发光层的电流的分散。构成：半导体堆叠结构包括第一半导体层，发光层和第二半导体层。在半导体堆叠结构上形成绝缘层。第一布线（72）包括第一垂直导电单元和第一平面导电单元，并且电连接到第一半导体层。第一垂直导电单元在绝缘层，发光层和第二半导体层中垂直延伸。第一平面导电单元在平坦方向上在绝缘层中延伸。第二布线（70）包括第二垂直导电单元和第二平面导电单元，并且电连接到第二半导体层。

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