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1. 发明授权

KR101324442B1 ⅠⅠⅠ족 질화물 반도체 발광 소자 및 그의 제조 방법, 및 램프 有权
标题翻译： III类氮化物半导体发光元件及其制造方法及灯
公开(公告)号：KR101324442B1
公开(公告)日：2013-10-31
申请号：KR1020117021390
申请日：2010-03-05
申请人： 도요다 고세이 가부시키가이샤
发明人： 히라이와다이스께 , 시노하라히로나오
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/32 , H01L33/38
CPC分类号： H01L33/145 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/42
摘要： 본 발명은, 전극 바로 아래에 있어서의 투광성 전극 및 반도체층에서의 전류 집중이 억제되어 발광 효율이 우수함과 함께, 전극에 의한 광의 흡수나 다중 반사에 의한 손실이 억제되어 광 취출 효율이 우수하고, 높은 외부 양자 효율 및 전기적 특성을 갖는 III족 질화물 반도체 발광 소자를 제공한다. 기판(11) 위에 형성된 단결정의 하지층(3) 위에 n형 반도체층(4), 발광층 (5) 및 p형 반도체층(6)이 순차 적층된 반도체층(20)이 형성되고, p형 반도체층(6) 위에 투광성 전극(7)이 형성되어 이루어지며, p형 반도체층(6) 위의 적어도 일부에 절연층(15)이 구비됨과 함께, 투광성 전극(7)이 절연층(15)을 덮어서 형성되어 있고, 투광성 전극(7)의 표면(7a)에 있어서, p형 반도체층(6) 위에 구비된 절연층(15)에 대응하는 위치(A)에 정극 본딩 패드(8)가 설치되어 있고, n형 반도체층(4)의 시트 저항이 투광성 전극(7)의 시트 저항보다 낮은 구성이다.

2. 发明授权

KR101091403B1 발광 소자 有权
标题翻译：发光元件
公开(公告)号：KR101091403B1
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：KR1020100088640
申请日：2010-09-10
申请人： 도요다 고세이 가부시키가이샤
发明人： 야하따고오스께 , 나까죠오나오끼 , 가미야마사오오
IPC分类号： H01L33/36
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/46 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 발광 소자는, 제1 반도체층, 발광층, 및 제2 반도체층을 포함하는 반도체 적층 구조와, 상기 반도체 적층 구조 상에 제공된 절연층과, 상기 절연층, 발광층, 및 제2 반도체층의 내부에서 수직 방향으로 연장되는 제1 수직 도전부와 상기 절연층의 내부에서 평면 방향으로 연장되는 제1 평면 도전부를 포함하며 상기 제1 반도체층에 전기적으로 접속되는 제1 배선과, 상기 절연층의 내부에서 수직 방향으로 연장되는 제2 수직 도전부와 상기 절연층의 내부에서 평면 방향으로 연장되는 제2 평면 도전부를 포함하며 상기 제2 반도체층에 전기적으로 접속되는 제2 배선을 포함한다.
摘要翻译：该发光器件包括：半导体层压结构，其包括第一半导体层，发光层和第二半导体层;设置在半导体层压结构上的绝缘层; 第一布线，电连接到所述第一半导体层并且包括在第一方向上延伸的第一竖直导电部分和在所述绝缘层内部在平面方向上延伸的第一平面导电部分，以及与第二半导体层电连接的第二布线，第二布线包括在绝缘层内沿平面方向延伸的第二平面导电部分。

3. 发明授权

KR101003914B1 발광 장치 有权
标题翻译： 발광장치
公开(公告)号：KR101003914B1
公开(公告)日：2010-12-30
申请号：KR1020080134661
申请日：2008-12-26
申请人： 도요다 고세이 가부시키가이샤 , 파나소닉 주식회사
发明人： 고꾸부히데끼 , 하야시도시마사 , 이또유우끼 , 미야와끼미찌오
IPC分类号： H01L33/62
CPC分类号： H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： In a side surface light emitting type light emitting device mounted on the surface of a wiring board, the light emitting device comprises: a base body part having a reflecting case and a terminal holding part formed integrally with the reflecting case in the rear part of the reflecting case; and lead members inserted into the base body part, having a pair of connecting parts including base parts of the connecting parts drawn out from the lower surface of the base body part and bent along the lower surface and side bending parts provided in the base parts of the connecting parts and bent along the side surfaces of the terminal holding part and connected to a pattern of the wiring board; and is characterized in that the base parts of the connecting parts are provided with protruding parts protruding toward the center of the lower surface of the terminal holding part and cut-out parts are provided for accommodating the protruding parts in the lower surface of the terminal holding part.
摘要翻译：在安装在布线板表面上的侧面发光型发光装置中，发光装置包括：基体部分，其具有反射壳体和端子保持部分，所述端子保持部分与反射壳体一体形成在所述反射壳体的后部反映案件; 以及引导构件，其插入到基体部中，具有一对连接部，该一对连接部包括从基体部的下表面引出并且沿着下表面弯曲的连接部的基部和设置在基体部的基部中的侧弯曲部所述连接部分沿着所述端子保持部分的侧表面弯曲并且连接到所述布线板的图案; 其特征在于，所述连接部分的基部设置有朝向所述端子保持部分的下表面的中心突出的突出部分，并且设置切口部分用于在所述端子保持部分的下表面中容纳所述突出部分部分。

4. 发明公开

KR1020100109388A Ⅲ족 질화 화합물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 无效
标题翻译： III类氮化物半导体发光元件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020100109388A
公开(公告)日：2010-10-08
申请号：KR1020100024070
申请日：2010-03-18
申请人： 도요다 고세이 가부시키가이샤
发明人： 사이또요시끼 , 우시다야스히사
IPC分类号： H01L33/16
CPC分类号： H01L33/24 , H01L33/08 , H01L33/32
摘要： PURPOSE: An III family nitride compound semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to execute an epitaxial growth without interruption due to a process executed outside an epitaxial growth device. CONSTITUTION: A III family nitride compound semiconductor light emitting device includes a substrate, a buffer layer(20), a first layer(30), a second layer(35), a light-emitting layer(40), a third layer(50), and an emission spectrum. The buffer layer is formed on the substrate. The first layer comprises a penetrating potential and is formed on the buffer layer as the single crystal layer of the III family nitride compound semiconductor. The second layer comprises the III family nitride compound semiconductor having the cross section which is parallel to the substrate. The third layer comprises the III family nitride compound semiconductor formed on the light-emitting layer.
摘要翻译：目的：提供III族氮化物化合物半导体发光器件及其制造方法，用于在外延生长装置外执行的处理而不中断地执行外延生长。构成：III族氮化物化合物半导体发光器件包括衬底，缓冲层（20），第一层（30），第二层（35），发光层（40），第三层（50））和发射光谱。缓冲层形成在基板上。第一层包括穿透电位，并且形成在作为III族氮化物化合物半导体的单晶层的缓冲层上。第二层包括具有平行于衬底的横截面的III族氮化物化合物半导体。第三层包括形成在发光层上的III族氮化物化合物半导体。

5. 外观设计

KR3004998490000S 有权
公开(公告)号：KR3004998490000S
公开(公告)日：2008-07-28
申请号：KR3020070038097
申请日：2007-09-06
申请人： 도요다 고세이 가부시키가이샤 , 파나소닉 주식회사
设计人： 코쿠부 히데키 , 하야시 토시마사 , 미야와키 미치오

6. 发明公开

KR1020080063398A 질화갈륨계 화합물 반도체 발광소자 无效
标题翻译： 질화갈륨계화합물반도체발광소자
公开(公告)号：KR1020080063398A
公开(公告)日：2008-07-03
申请号：KR1020087011286
申请日：2006-11-14
申请人： 도요다 고세이 가부시키가이샤
发明人： 카메이코지
IPC分类号： H01L33/04
CPC分类号： H01L33/42 , H01L33/32 , H01L33/40
摘要： An object of the present invention is to provide a gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device with low driving voltage and high light emission output, which has a positive electrode comprising a transparent electrically conducting layer put into direct contact with a p-type semiconductor layer. The inventive gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device comprises an n-type semiconductor layer, a light-emitting layer and a p-type semiconductor layer which are formed in this order on a substrate, wherein each layer comprises a gallium nitride-based compound semiconductor, the light-emitting device has a negative electrode and a positive electrode provided on the n-type semiconductor layer and on the p-type semiconductor layer, respectively, the positive electrode is at least partially formed of a transparent electrically conducting film, the transparent electrically conducting film is at least partially in contact with the p-type semiconductor layer, a semiconductor metal mixed layer containing a Group III metal component is present on the semiconductor side surface of the transparent electrically conducting film, and the thickness of the semiconductor metal mixed layer is from 0.1 to 10 nm.
摘要翻译：本发明的一个目的是提供具有低驱动电压和高发光输出的氮化镓基化合物半导体发光器件，其具有包括与p型直接接触的透明导电层的正电极半导体层。本发明的氮化镓系化合物半导体发光元件具有在基板上依次形成的n型半导体层，发光层和p型半导体层，各层包含氮化镓系化合物半导体层，所述发光装置具有分别设置在所述n型半导体层和所述p型半导体层上的负极和正极，所述正极至少部分地由透明导电膜透明导电膜至少部分地与p型半导体层接触，在透明导电膜的半导体侧表面上存在包含第III族金属成分的半导体金属混合层，半导体金属混合层的厚度为0.1至10nm。

7. 发明公开

KR1020070118196A 발광 장치 有权
标题翻译：发光装置
公开(公告)号：KR1020070118196A
公开(公告)日：2007-12-13
申请号：KR1020077027069
申请日：2001-12-28
申请人： 도요다 고세이 가부시키가이샤 , 레돈 라이팅 옌네르스도르프 게엠베하 , 리텍 게베에르 , 로이히슈토프베르크 브라이퉁엔 게엠베하
发明人： 오오따고오이찌 , 히라노아쯔오 , 오오따아끼히또 , 타쉬슈테판 , 파흘러페터 , 로쓰군둘라 , 튜즈발터
IPC分类号： H01L33/50
CPC分类号： C09K11/7795 , B82Y20/00 , C09K11/7721 , C09K11/7734 , C09K11/774 , F21Y2105/10 , F21Y2115/10 , G02B6/0036 , G02B6/0073 , H01L25/0753 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/502 , H01L33/507 , H01L2224/16145 , H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00011 , H01L2924/181 , H01L2933/0091 , Y02B20/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/01049 , H01L2924/00012
摘要： A light-emitting device which has a light-emitting element comprising a nitride semiconductor and a phosphor which absorbs a part of a light emitted by the light-emitting element and emits a light having a wavelength different from that of the light having been absorbed, wherein the phosphor comprises an alkaline earth metal silicate activated by europium.
摘要翻译：一种发光装置，其具有包括氮化物半导体的发光元件和吸收由所述发光元件发射的一部分光并发射具有与被吸收的光的波长不同的波长的光的荧光体，其中所述磷光体包括由铕激活的碱土金属硅酸盐。

8. 发明授权

KR100752007B1 3족 질화물계 화합물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：集团？氮化物半导体发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR100752007B1
公开(公告)日：2007-08-28
申请号：KR1020050126528
申请日：2005-12-21
申请人： 도요다 고세이 가부시키가이샤
发明人： 다끼데쯔야 , 나루까와미쯔히사 , 아오끼마사또 , 오꾸노고지 , 도요다유스께 , 니시지마가즈끼 , 야마다슈헤이
IPC分类号： H01L33/04
CPC分类号： H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/06
摘要： 본 발명은 우물층의 상하에 형성되는 층과 우물층과의 접합부 근방에 상기 우물층의 상하에 형성되는 층의 격자 정수가 상기 우물층의 격자 정수에 근접해지도록 변화하여 형성되어 있는 영역을 가진 3족 질화물계 화합물 반도체 발광 소자이다.
또한 본 발명은, 적어도 인듐(In)을 포함하는 우물층을 갖는 단일 또는 중첩 양자 우물 구조의 발광층을 갖는 3족 질화물계 화합물 반도체 발광 소자의 제조 방법에 있어서, 우물층을 기상 성장법에 의해 형성할 때에 In원의 공급량을 최저 공급량으로부터 공급을 개시하고, 그 후 In원의 공급량을 목표 공급량까지 증가시킨 후 일정 공급량으로 하여 그 후 목표 공급량으로부터 최저 공급량까지 멸소시키는 것으로 하고, In원 이외의 3족 원료원에 대해서는 In원 공급의 개시로부터 공급 종료까지의 동안 일정 공급량으로 공급한다.
우물층, 발광층, 반도체 발광 소자, 배리어층, 전극

9. 发明授权

KR100710102B1 발광 장치 失效
标题翻译：发光装置
公开(公告)号：KR100710102B1
公开(公告)日：2007-04-23
申请号：KR1020040010861
申请日：2004-02-19
申请人： 도요다 고세이 가부시키가이샤
发明人： 우에무라도시야
IPC分类号： H01L33/58 , H01L33/50
CPC分类号： H01L33/58 , H01L33/20 , H01L33/504 , H01L33/60 , H01L2224/05001 , H01L2224/05023 , H01L2224/05568 , H01L2224/13 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , H01L2224/05599 , H01L2224/05124 , H01L2924/00012
摘要： 발광 장치는 전극 형성면의 대향측에 제공된 발광면으로부터 광을 방사하는 반도체 발광 소자와, 와이어를 통해 전극 형성면 상에 형성된 전극에 전기적으로 접속되는 리드 프레임과, 발광면에 광학적으로 접속되고 그의 3차원 형상에 기초하는 광 분배 특성을 갖는 투명 구조부와, 반도체 발광 소자 및 투명 구조부를 밀봉하는 투광성 수지부를 갖는다.
발광 장치, 전극 형성면, 발광면, 반도체 발광 소자, 리드 프레임, 투명 구조부, 투광성 수지부

10. 发明授权

KR100645403B1 백색 발광 장치 有权
标题翻译：白光发射装置
公开(公告)号：KR100645403B1
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：KR1020057004392
申请日：2003-09-22
申请人： 도요다 고세이 가부시키가이샤 , 트리도닉 예너스도르프 게엠베하 , 로이히슈토프베르크 브라이퉁엔 게엠베하 , 리텍 게베에르
发明人： 야스까와다께마사 , 시모니시쇼오따 , 오오따고오이찌
IPC分类号： H01L33/50
CPC分类号： C09K11/7735 , C09K11/7731 , C09K11/7734 , C09K11/7737 , C09K11/774 , H01L25/167 , H01L33/502 , H01L33/504 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16145 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , Y02B20/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 프레임(17)의 컵(17a) 내에 있어서의 리드 프레임(14, 15) 상에 마운트(21)로 자색 LED(19)를 고정하고, 이 자색 LED(19)를 컵(17a) 내에 투명 수지에 의한 밀봉재(26)를 충전함으로써 밀봉한다. 또한, 자색 LED(19)에서 발광되는 빛을 흡수하고, 이 흡수한 빛의 파장과 다른 적색, 녹색 및 청색 파장의 빛을 발광하는 적색ㆍ녹색ㆍ청색 형광체(28 내지 30)를 밀봉재(26)에 혼입한다. 이러한 백색 발광 장치에 있어서의 밀봉재(26)에 자색 LED(19)에서 발광되는 빛을 흡수하고, 이 흡수한 빛의 파장과 다른 황색 파장의 빛을 발광하는 황색 형광체(31)를 추가 혼입한다.
프레임, 리드 프레임, 마운트, 밀봉재, 자색 LED, 황색 형광체
摘要翻译：紫色LED 19固定在支架21上的框架17的杯17a中的引线框14和15上，并且紫色LED 19固定到杯17a中的透明树脂上密封构件26被密封。红色，绿色和蓝色荧光体28至30吸收从紫色LED 19发射的光并发射与所吸收的光的波长不同的红色，绿色和蓝色波长的光，＆lt; 吸收从紫色LED 19发射的光并发射与吸收的光的波长不同的黄色波长的光的黄色荧光材料31被进一步添加到白光发光装置的密封材料26。

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