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1. 发明授权

KR100902119B1 대기압 플라즈마 처리에 의한 합성섬유직물의편면발수처리방법. 有权
标题翻译：通过大气等离子体处理的合成纤维织物的一面防水涂层
公开(公告)号：KR100902119B1
公开(公告)日：2009-06-09
申请号：KR1020070095765
申请日：2007-09-20
申请人： 다이텍연구원 , 주식회사제4기한국
发明人： 박성민 , 김지연 , 권일준 , 송병갑 , 김종원 , 백태일 , 정재준 , 구강 , 최종덕 , 박성동
IPC分类号： D06M10/04 , D06M11/26
摘要： 본 발명은 대기압 플라즈마 처리에 의한 합성섬유직물의 편면발수처리방법에 관한 것으로서, 본 발명에 의해 발수 처리된 합성섬유 직물에 대기압 플라즈마를 처리함으로써 내구성 있는 편면발수 가공을 함과 동시에 후가공인 코팅작업을 하는 경우에 코팅접착성 개선을 할 수 있다.
편면발수, 대기압플라즈마, 코팅접착성

2. 发明公开

KR1020090030448A 대기압 플라즈마 처리에 의한 합성섬유직물의편면발수처리방법. 有权
标题翻译：大气等离子体处理合成纤维织物的单面水喷涂
公开(公告)号：KR1020090030448A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：KR1020070095765
申请日：2007-09-20
申请人： 다이텍연구원 , 주식회사제4기한국
发明人： 박성민 , 김지연 , 권일준 , 송병갑 , 김종원 , 백태일 , 정재준 , 구강 , 최종덕 , 박성동
IPC分类号： D06M10/04 , D06M11/26
CPC分类号： D06M10/04 , D06M11/26 , D10B2331/02 , D10B2331/04 , D10B2401/021
摘要： A method for one-sided water repellent process of synthetic fiber fabric with atmospheric pressure plasma treatment is provided to improve coating adhesiveness in case that a coating process is performed on the synthetic fiber fabric. A method for one-sided water repellent process of synthetic fiber fabric with atmospheric pressure plasma treatment comprises the following steps of: performing a water repellent process on the synthetic fiber fabric; processing a surface of the fabric by passing through the fabric into an atmospheric pressure plasma device; and performing a curing process in 170~190°C with a pick up rate of 68~80% by using a fluorine based water repellent agent.
摘要翻译：提供了一种用于大气压等离子体处理的合成纤维织物的单面防水处理方法，以在对合成纤维织物进行涂布处理的情况下提高涂层粘附性。一种用于大气压等离子体处理的合成纤维织物单面防水方法，包括以下步骤：对合成纤维织物进行防水处理; 通过将织物穿过大气压等离子体装置来处理织物的表面; 并通过使用氟基防水剂在170〜190℃下进行固化处理，拾取速度为68〜80％。

3. 发明公开

KR1020090113492A ＩＣＰ 방식의 고밀도 반도체 몰드 금형 세정장치 有权
标题翻译：用于高密度半导体电感耦合等离子体类型的模具清洁装置
公开(公告)号：KR1020090113492A
公开(公告)日：2009-11-02
申请号：KR1020080039235
申请日：2008-04-28
申请人： 주식회사제4기한국
发明人： 정재준
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/56
CPC分类号： H01L21/67017 , B29C2033/725 , H01L21/565
摘要： PURPOSE: A mold cleaning apparatus for a high density semiconductor inductive coupled plasma type are provided to improve the efficiency of etching without physical damage to a mold by using an electrodeless type instead of an opposite electrode. CONSTITUTION: In a mold cleaning apparatus for a high density semiconductor inductive coupled plasma type, a ceramic dielectric(400) is equipped on a mold die(100). A sealing agent(200) hermetically forms a reaction chamber(C) by sealing the mold die and the ceramic dielectric gap. A power supply(600) supplies the power, and an induction coil(500) is arranged on the ceramic dielectric. An exhaust pipe(320) is arranged one side of the sealing agent and discharges air inside the reaction chamber. A vacuum pump(330) is installed at the exhaust pipe.
摘要翻译：目的：提供用于高密度半导体感应耦合等离子体型的模具清洁装置，以通过使用无电极型而不是相对电极来提高蚀刻效率，而不会对模具造成物理损坏。构成：在用于高密度半导体感应耦合等离子体型的模具清洁装置中，陶瓷电介质（400）装配在模具（100）上。密封剂（200）通过密封模具和陶瓷电介质间隙而气密地形成反应室（C）。电源（600）供电，并且感应线圈（500）布置在陶瓷电介质上。排气管320设置在密封剂的一侧，排出反应室内的空气。真空泵（330）安装在排气管上。

4. 发明授权

KR100946385B1 ＩＣＰ 방식의 고밀도 반도체 몰드 금형 세정장치 有权
标题翻译：用于高密度半导体电感耦合等离子体类型的模具清洁装置
公开(公告)号：KR100946385B1
公开(公告)日：2010-03-08
申请号：KR1020080039235
申请日：2008-04-28
申请人： 주식회사제4기한국
发明人： 정재준
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/56
摘要： 본 발명은 ＩＣＰ 방식의 고밀도 반도체 몰드 금형 세정장치에 관한 것으로, 몰드 금형의 상부에 구비되는 세라믹유전체와; 상기 몰드 금형과 세라믹유전체 사이를 밀봉하여 반응실을 형성하는 밀봉부재와; 전원을 인가하는 파워서플라이와; 상기 세라믹유전체의 상면에 배열되고, 일단은 접지되며, 타단은 상기 파워서플라이에 연결된 후 접지되는 유도코일과; 상기 밀봉부재의 일측에 관통배관되어 반응실 내부의 공기를 배기하는 배기관과; 상기 배기관의 길이 일부에 설치된 진공펌프를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 ＩＣＰ 방식의 고밀도 반도체 몰드 금형 세정장치를 제공한다.
본 발명에 따르면, 고밀도로 균질한 플라즈마 처리가 가능하여 세정효율이 높고, 특히 대면전극이 아닌 무전극 방식을 사용함으로써 금형에 물리적 손상을 주지 않아 에칭 효율의 증대도 꾀하는 효과를 얻을 수 있다.
ＩＣＰ, 고밀도, 플라즈마, 반도체, 몰드 금형, 세정, 수지찌꺼기

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