专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明公开

KR1020060120288A 전자잡음 억제 박막 有权
标题翻译：电磁噪声抑制薄膜
公开(公告)号：KR1020060120288A
公开(公告)日：2006-11-24
申请号：KR1020067020783
申请日：2005-03-08
申请人： 가부시키가이샤 토킨 , 시마다, 유타카
发明人： 시마다,유타카 , 요시다,시게요시 , 오노,히로시 , 이토,테츠오
IPC分类号： H01F10/16
CPC分类号： H05K9/0083 , B82Y25/00 , H01F1/28 , H01F10/007 , H05K1/0233
摘要： An electromagnetic noise suppressing thin film has a structure wherein a column-shaped structure composed of a pure metal of Fe or Co or Ni or an alloy containing such metals at least 20 wt% is buried in an inorganic insulating base material composed of an oxide or a nitride or a fluoride or a mixed material of them.
摘要翻译：电磁噪声抑制薄膜具有这样的结构，其中由纯Fe或Co或Ni的纯金属构成的柱状结构或含有至少20重量％的金属的合金被掩埋在由氧化物或无机绝缘基材组成的无机绝缘基材中氮化物或氟化物或它们的混合材料。

2. 发明授权

KR100845370B1 전자잡음 억제 박막 有权
标题翻译：电磁噪声抑制薄膜
公开(公告)号：KR100845370B1
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：KR1020067020783
申请日：2005-03-08
申请人： 가부시키가이샤 토킨 , 시마다, 유타카
发明人： 시마다,유타카 , 요시다,시게요시 , 오노,히로시 , 이토,테츠오
IPC分类号： H01F10/16
CPC分类号： H05K9/0083 , B82Y25/00 , H01F1/28 , H01F10/007 , H05K1/0233
摘要： 전자잡음 억제 박막은, Fe, Co, 또는 Ni 각각의 순금속 내지는 이들을 적어도 20중량% 함유하는 합금으로 이루어지는 기둥 형상 구조체가, 산화물, 질화물 또는 플루오르화물 내지는 이들의 혼합물인 무기질의 절연성 모체 중에 매립된 구조를 가진다.

3. 发明授权

KR100749679B1 준마이크로파 대역에서 최대의 복합 투자율을 가진자성체와 그 제조방법 有权
标题翻译：准微波带中具有最大复合渗透性的磁性物质及其生产方法
公开(公告)号：KR100749679B1
公开(公告)日：2007-08-16
申请号：KR1020017012043
申请日：2001-01-24
申请人： 가부시키가이샤 토킨
发明人： 요시다,시게요시 , 오노,히로시 , 안도,신스케 , 리,웨이-동 , 시마다,유타카
IPC分类号： H01F1/00
摘要： 준-마이크로파 범위 내에서 최대값의 복합 투자율을 가지는 자성체가 소형의 전자기기 내에서 고주파 노이즈를 억제하기 위하여 제공된다. 상기 자성체는 M, X 및 Y를 구비하는 자기복합물로 되어 있고, 여기서 M은 Fe, Co 및/또는 Ni 로 이루어지는 금속제 자성재료이며, X는 M과 Y 이외의 성분이나 성분들이며, Y는 F, N 및 또는 O이다. MXY 자기복합물은 상기 MXY 자기복합물이 M만을 구비하는 금속제의 자성재료의 35% - 80%의 포화자기화를 가지도록 복합물 내에 M농도를 가진다. 자기복합물은 0.1 -10 기가헤르쯔(GHz)의 주파수 범위 내에서 복합 투자율(μ")의 최대값(μ"
max )을 가진다.

4. 发明公开

KR1020080005476A 전자기 노이즈 억제체 및 그것을 이용한 전자기 노이즈 억제방법 有权
标题翻译：半导体器件和电磁噪声抑制体
公开(公告)号：KR1020080005476A
公开(公告)日：2008-01-14
申请号：KR1020070137439
申请日：2007-12-26
申请人： 가부시키가이샤 토킨
发明人： 요시다,시게요시 , 오노,히로시 , 아와쿠라,요시오 , 네모토,미치오 , 야마나카,에이지 , 야마구치,마사히로 , 시마다,유타카
IPC分类号： H05K9/00 , H01L21/00 , H01L21/02
CPC分类号： H01L23/552 , H01L23/66 , H01L2223/6627 , H01L2224/274 , H01L2924/01019 , H01L2924/19032 , H01L2924/3011
摘要： A semiconductor device and an electromagnetic noise suppression member are provided to suppress a conductive electromagnetic noise at a micro region by decreasing a thickness of a soft magnetic film to 2 um. An electromagnetic noise suppression member contains a conductive soft magnetic film. The soft magnetic film is divided into micro configuration units which are smaller than a wavelength of an electromagnetic noise. The electromagnetic noise suppression member has a structure to prevent a DC current from flowing between the configuration units. The soft magnetic film has an aspect ratio which is at least 10. The soft magnetic film contains M-X-Y compositions, where M is selected from the group consisting of Fe, Co, Ni or a combination thereof, X is an element except for M and Y or a combination thereof, and Y is selected from the group consisting of F, N, O, and a combination thereof. The soft magnetic film has a granular structure.
摘要翻译：提供半导体装置和电磁噪声抑制构件，通过将软磁膜的厚度减小到2微米来抑制微区域的导电电磁噪声。电磁噪声抑制构件包含导电软磁膜。软磁膜被分成比电磁噪声的波长小的微型配置单元。电磁噪声抑制构件具有防止直流电流在构成单元之间流动的结构。软磁性膜的纵横比至少为10.软磁性膜含有MXY组合物，其中M选自Fe，Co，Ni或其组合，X是M和Y以外的元素或它们的组合，Y选自F，N，O及其组合。软磁性膜具有粒状结构。

5. 发明公开

KR1020020033602A 준마이크로파 대역에서 최대의 복합 투자율을 가진자성체와 그 제조방법 有权
标题翻译：在半微波频带中具有最大复合磁导率的磁性材料及其制造方法
公开(公告)号：KR1020020033602A
公开(公告)日：2002-05-07
申请号：KR1020017012043
申请日：2001-01-24
申请人： 가부시키가이샤 토킨
发明人： 요시다,시게요시 , 오노,히로시 , 안도,신스케 , 리,웨이-동 , 시마다,유타카
IPC分类号： H01F1/00
摘要： 준-마이크로파 범위 내에서 최대값의 복합 투자율을 가지는 자성체가 소형의 전자기기 내에서 고주파 노이즈를 억제하기 위하여 제공된다. 상기 자성체는 M, X 및 Y를 구비하는 자기복합물로 되어 있고, 여기서 M은 Fe, Co 및/또는 Ni 로 이루어지는 금속제 자성재료이며, X는 M과 Y 이외의 성분이나 성분들이며, Y는 F, N 및 또는 O이다. MXY 자기복합물은 상기 MXY 자기복합물이 M만을 구비하는 금속제의 자성재료의 35% - 80%의 포화자기화를 가지도록 복합물 내에 M농도를 가진다. 자기복합물은 0.1 -10 기가헤르쯔(GHz)의 주파수 범위 내에서 복합 투자율(μ")의 최대값(μ"
max )을 가진다.

6. 发明授权

KR100908356B1 전자기 노이즈 억제체 및 그것을 이용한 전자기 노이즈 억제방법 有权
标题翻译： 전자기노이즈억제체및그것을이용한전자기노이즈억제방
公开(公告)号：KR100908356B1
公开(公告)日：2009-07-20
申请号：KR1020070137439
申请日：2007-12-26
申请人： 가부시키가이샤 토킨
发明人： 요시다,시게요시 , 오노,히로시 , 아와쿠라,요시오 , 네모토,미치오 , 야마나카,에이지 , 야마구치,마사히로 , 시마다,유타카
IPC分类号： H05K9/00 , H01L21/00 , H01L21/02
CPC分类号： H01L23/552 , H01L23/66 , H01L2223/6627 , H01L2224/274 , H01L2924/01019 , H01L2924/19032 , H01L2924/3011
摘要： 그 앞면 상에 집적 회로가 형성되는 반도체 베어칩(17)에서, 자기 손실막(15)이 상기 반도체 베어칩의 후면 상에 형성된다.
摘要翻译：在其前表面形成集成电路的半导体裸芯片（57）中，在该半导体裸芯片的后表面上形成磁损耗膜55。＆lt;图像＆GT; ＆lt;图像＆GT;

7. 发明授权

KR100844612B1 반도체 소자와 전자기 노이즈 억제체 失效
标题翻译：半导体器件和电磁噪声抑制体
公开(公告)号：KR100844612B1
公开(公告)日：2008-07-07
申请号：KR1020010017977
申请日：2001-04-04
申请人： 가부시키가이샤 토킨
发明人： 요시다,시게요시 , 오노,히로시 , 아와쿠라,요시오 , 네모토,미치오 , 야마나카,에이지 , 야마구치,마사히로 , 시마다,유타카
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L23/552 , H01L23/66 , H01L2223/6627 , H01L2224/274 , H01L2924/01019 , H01L2924/19032 , H01L2924/3011
摘要： 그 앞면 상에 집적 회로가 형성되는 반도체 베어칩(17)에서, 자기 손실막(15)이 상기 반도체 베어칩의 후면 상에 형성된다.

8. 发明公开

KR1020010095323A 반도체 소자와 전자기 노이즈 억제체 失效
标题翻译：电磁噪声抑制器，使用其的半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020010095323A
公开(公告)日：2001-11-03
申请号：KR1020010017977
申请日：2001-04-04
申请人： 가부시키가이샤 토킨
发明人： 요시다,시게요시 , 오노,히로시 , 아와쿠라,요시오 , 네모토,미치오 , 야마나카,에이지 , 야마구치,마사히로 , 시마다,유타카
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L23/552 , H01L23/66 , H01L2223/6627 , H01L2224/274 , H01L2924/01019 , H01L2924/19032 , H01L2924/3011
摘要： PURPOSE: An electromagnetic noise suppressor, a semiconductor device using the same, and a method of manufacturing the same are provided to be capable of efficiently absorbing interfering electromagnetic waves from the MHz bands to the GHz bands, capable of exhibiting an electromagnetic wave absorption effect when divided into individual semiconductor devices, and excelling in the volume production of noise-suppressed semiconductor devices, together with a manufacturing method therefore and semiconductor devices wherein those semiconductor substrates are used. CONSTITUTION: A semiconductor wafer(27) has a plurality of chip wafers(29) on the surface of each whereof is formed an integrated circuit, and each whereof has a chip(31) electrode(electrode pad) formed on top thereof. The chip electrodes(31) as diagrammed are formed along the outer circumferential edge of the chip wafers(29), but the chip electrodes(31) may be formed in active areas. An aluminum alloy is commonly used for the metal of which the chip electrodes are formed. The semiconductor wafer 27 also comprises a passivation film(33). More specifically, the entire surface of the semiconductor wafer(27) is covered by the passivation film(33). The passivation film(33) is made of a polyimide, silicon nitride film, or silicon oxide film, for example, using a well known technique such as spin coating. The thickness of the passivation film(33) should be 20 mu m or less. After the passivation film(33) has been formed, the chip electrodes(31) are exposed to atmospheric air by exposing and etching the semiconductor wafer(27). As a result, the passivation film(33) will cover the entire surface of the semiconductor wafer(27) excluding those positions where the chip electrodes(31) are formed. The chip wafers 29 are then mutually separated into individual semiconductor bare chips along scribe lines(35). That separation is done by means of a commonly known dicing technique using a dicing saw. These chip wafers(29) are semiconductor bare chips(37).
摘要翻译：目的：提供一种电磁噪声抑制器，使用该电磁噪声抑制器的半导体器件及其制造方法，能够有效地吸收从MHz频带到GHz频带的干扰电磁波，能够呈现电磁波吸收效果，当分为单独的半导体器件，并且优良的噪声抑制半导体器件的批量生产以及其制造方法以及其中使用那些半导体衬底的半导体器件。构成：半导体晶片（27）在其表面上形成有多个芯片晶片（29），形成集成电路，并且每个具有形成在其顶部的芯片（31）电极（电极焊盘）。如图所示的芯片电极（31）沿着芯片晶片（29）的外周缘形成，但是芯片电极（31）可以形成在有源区域中。铝合金通常用于形成芯片电极的金属。半导体晶片27还包括钝化膜（33）。更具体地，半导体晶片（27）的整个表面被钝化膜（33）覆盖。钝化膜（33）例如使用旋涂法等公知技术由聚酰亚胺，氮化硅膜或氧化硅膜构成。钝化膜（33）的厚度应为20μm以下。在形成钝化膜（33）之后，通过曝光和蚀刻半导体晶片（27）将芯片电极（31）暴露于大气中。结果，除了形成芯片电极（31）的位置之外，钝化膜（33）将覆盖半导体晶片（27）的整个表面。然后，芯片晶片29沿着划线（35）相互分离成单独的半导体裸芯片。该分离通过使用切割锯的公知的切割技术完成。这些芯片晶片（29）是半导体裸芯片（37）。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式