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1. 发明专利

TWI404923B 發光二極體之ＰＮ接面溫度的測試方法有权
简体标题：发光二极管之ＰＮ接面温度的测试方法
公开(公告)号：TWI404923B
公开(公告)日：2013-08-11
申请号：TW097146811
申请日：2008-12-02
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE , 國立中央大學 , NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY
发明人：林明德 , 戴光佑 , 陳志臣 , 胡凡勳
IPC分类号： G01K7/01
CPC分类号： G01K7/01 , G01K2217/00

2. 发明专利

TW201003050A 發光二極體之ＰＮ接面溫度的測試方法审中-公开
简体标题：发光二极管之ＰＮ接面温度的测试方法
公开(公告)号：TW201003050A
公开(公告)日：2010-01-16
申请号：TW097146811
申请日：2008-12-02
申请人：財團法人工業技術研究院 , 國立中央大學
发明人：林明德 , 戴光佑 , 陳志臣 , 胡凡勳
IPC分类号： G01K
CPC分类号： G01K7/01 , G01K2217/00
摘要：本發明提供一種發光二極體之PN接面溫度的測試方法，其係利用參考電壓建立發光二極體之電流、實功率、功率因數或驅動時間間距對溫度的函數，以測試取得電流、實功率、功率因數或驅動時間間距之起始數值與熱平衡數值，以取得電流、實功率、功率因數或驅動時間間距的變化量，並結合先前對應之函數取得溫度變化量，藉由溫度變化量與起始溫度之運算求得發光二極體之PN接面溫度。
简体摘要：本发明提供一种发光二极管之pn结温度的测试方法，其系利用参考电压创建发光二极管之电流、实功率、功率因子或驱动时间间距对温度的函数，以测试取得电流、实功率、功率因子或驱动时间间距之起始数值与热平衡数值，以取得电流、实功率、功率因子或驱动时间间距的变化量，并结合先前对应之函数取得温度变化量，借由温度变化量与起始温度之运算求得发光二极管之pn结温度。

3. 发明专利

JP4436848B2 Method of manufacturing a periodic domain inversion structure 有权
公开(公告)号：JP4436848B2
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：JP2007101818
申请日：2007-04-09
申请人：國立中央大學
发明人：李有璋 , 江昌鴻 , 簡政尉 , 陳志臣
IPC分类号： G02F1/35
CPC分类号： G03F7/70408

4. 发明专利

TWI418675B 長晶爐之氣流導引裝置有权
简体标题：长晶炉之气流导引设备
公开(公告)号：TWI418675B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：TW099135242
申请日：2010-10-15
申请人：國立中央大學 , NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY
发明人：陳志臣 , CHEN, JYH CHEN , 鄧應揚 , TENG, YING YANG , 呂中偉 , LU, CHUNG WEI , 陳學億 , CHEN, HSUEH I
IPC分类号： C30B35/00 , C30B11/00

5. 发明专利

TWI418674B 長晶爐之供氣裝置有权
简体标题：长晶炉之供气设备
公开(公告)号：TWI418674B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：TW099135239
申请日：2010-10-15
申请人：國立中央大學 , NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY
发明人：陳志臣 , CHEN, JYH CHEN , 鄧應揚 , TENG, YING YANG , 呂中偉 , LU, CHUNG WEI , 陳學億 , CHEN, HSUEH I
IPC分类号： C30B35/00

6. 发明专利

TWI418673B 熱場裝置有权
简体标题：热场设备
公开(公告)号：TWI418673B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：TW099135238
申请日：2010-10-15
申请人：國立中央大學 , NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY
发明人：陳志臣 , CHEN, JYH CHEN , 鄧應揚 , TENG, YING YANG , 呂中偉 , LU, CHUNG WEI , 陳學億 , CHEN, HSUEH I
IPC分类号： C30B35/00 , F27D1/00

7. 发明专利

TWI545224B 用於有機金屬化學氣相沉積設備之進氣系統有权
简体标题：用于有机金属化学气相沉积设备之进气系统
公开(公告)号：TWI545224B
公开(公告)日：2016-08-11
申请号：TW103106593
申请日：2014-02-26
申请人：國立中央大學 , NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY
发明人：陳志臣 , CHEN, JYH CHEN , 張敬信 , CHANG, CHING HSIN
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/54
CPC分类号： C23C16/45574 , C23C16/45565 , Y10T137/87571

8. 发明专利

TW201533262A 用於有機金屬化學氣相沉積設備之進氣系統审中-公开
简体标题：用于有机金属化学气相沉积设备之进气系统
公开(公告)号：TW201533262A
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW103106593
申请日：2014-02-26
申请人：國立中央大學 , NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY
发明人：陳志臣 , CHEN, JYH CHEN , 張敬信 , CHANG, CHING HSIN
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/54
CPC分类号： C23C16/45574 , C23C16/45565 , Y10T137/87571
摘要：本發明為一種用於有機金屬化學氣相沉積設備之進氣系統，其包括：主要進氣模組及輔助進氣模組。主要進氣模組用以通載反應氣體，輔助進氣模組則用以通載載流氣體。輔助進氣模組設置於主要進氣模組之外圍，以減少渦流的產生並阻隔反應氣體對腔壁的污染，同時能集中反應氣體以達到提升反應氣體的反應率及薄膜生長率。
简体摘要：本发明为一种用于有机金属化学气相沉积设备之进气系统，其包括：主要进气模块及辅助进气模块。主要进气模块用以通载反应气体，辅助进气模块则用以通载载流气体。辅助进气模块设置于主要进气模块之外围，以减少涡流的产生并阻隔反应气体对腔壁的污染，同时能集中反应气体以达到提升反应气体的反应率及薄膜生长率。

9. 发明专利

TW201500575A 具有進氣擋板之有機金屬化學氣相沉積進氣擴散系統审中-公开
简体标题：具有进气挡板之有机金属化学气相沉积进气扩散系统
公开(公告)号：TW201500575A
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW102122802
申请日：2013-06-26
申请人：國立中央大學 , NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY
发明人：蕭述三 , HSIAU, SHU SAN , 廖俊忠 , LIAO, CHUN CHUNG , 莊子慶 , CHUANG, TZU CHING , 陳志臣 , CHEN, JYH CHEN
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： C23C16/45502 , C23C16/301 , C23C16/45591 , C30B25/14 , C30B29/40 , C30B29/403 , C30B29/44
摘要：本發明為一種具有進氣擋板之有機金屬化學氣相沉積進氣擴散系統，其係於反應腔體內的有機金屬氣體進氣口與氫化物氣體氣口下方結合複數個可拆卸擋板，簡單、快速的在進行有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)製程時，阻隔有機金屬氣體及氫化物氣體剛進入反應腔體時產生混合，並避免有機金屬氣體及氫化物氣體發生預反應的產生，降低有機金屬氣體及氫化物氣體之預反應，達到有效避免於進氣口附近產生沉積、使半導體結晶薄膜可以均勻的擴散沉積於晶圓載台上之複數個晶圓表面、以及減少有機金屬氣體的使用量等功效。以此種進氣擴散系統進行有機金屬化學氣相沉積製程，在高效能發光二極體磊晶之製造上具有非常大的應用潛力。
简体摘要：本发明为一种具有进气挡板之有机金属化学气相沉积进气扩散系统，其系于反应腔体内的有机金属气体进气口与氢化物气体气口下方结合复数个可拆卸挡板，简单、快速的在进行有机金属化学气相沉积(MOCVD)制程时，阻隔有机金属气体及氢化物气体刚进入反应腔体时产生混合，并避免有机金属气体及氢化物气体发生预反应的产生，降低有机金属气体及氢化物气体之预反应，达到有效避免于进气口附近产生沉积、使半导体结晶薄膜可以均匀的扩散沉积于晶圆载台上之复数个晶圆表面、以及减少有机金属气体的使用量等功效。以此种进气扩散系统进行有机金属化学气相沉积制程，在高性能发光二极管磊晶之制造上具有非常大的应用潜力。

10. 发明专利

TW201833382A 加熱均勻之有機金屬化學氣相沉積系統审中-公开
简体标题：加热均匀之有机金属化学气相沉积系统
公开(公告)号：TW201833382A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106108223
申请日：2017-03-13
申请人：國立中央大學 , NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY
发明人：胡杰 , HU, CHIEH , 陳志臣 , CHEN, JYH-CHEN , 林暐捷 , LIN, WEI-JIE
IPC分类号： C23C16/52 , C23C16/455
摘要：本發明為一種加熱均勻之有機金屬化學氣相沉積系統，其包括：一腔體；一晶圓載盤，側邊設有一驅動單元，使晶圓載盤在低轉速進行旋轉；一加熱單元，均勻設置於晶圓載盤之下方側；以及複數個進氣流道，係分佈於該腔體之中間及週邊區域。藉由本發明之實施，可以使大尺寸之晶圓，避免加熱不均勻之問題。
简体摘要：本发明为一种加热均匀之有机金属化学气相沉积系统，其包括：一腔体；一晶圆载盘，侧边设有一驱动单元，使晶圆载盘在低转速进行旋转；一加热单元，均匀设置于晶圆载盘之下方侧；以及复数个进气流道，系分布于该腔体之中间及周边区域。借由本发明之实施，可以使大尺寸之晶圆，避免加热不均匀之问题。

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