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1. 发明专利

TW201444120A 發光二極體晶圓及其製造方法审中-公开
简体标题：发光二极管晶圆及其制造方法
公开(公告)号：TW201444120A
公开(公告)日：2014-11-16
申请号：TW102116428
申请日：2013-05-08
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：許鎭鵬 , HSU, CHEN PENG , 林瑞欽 , LIN, RE CHING , 蔡曜駿 , TSAI, YAO JUN , 古昀生 , KU, YUN SHENG , 溫士逸 , WEN, SHIH YI
IPC分类号： H01L33/48
摘要：一種發光二極體之製造方法係適於製造發光二極體晶圓，製造方法係對應各個發光二極體晶片所產生的晶片的發光特性，而個別形成特定的光學轉換部，此光學轉換部係一對一對應發光二極體晶片與其發光特性，此光學轉換部藉由適當調整轉換參數，如轉換部容積、螢光材料濃度等，而得以使具有不同晶片發光特性的光線經過光學轉換部後所形成之封裝後發光特性得以落在一預定色度座標之規格區間。
简体摘要：一种发光二极管之制造方法系适于制造发光二极管晶圆，制造方法系对应各个发光二极管芯片所产生的芯片的发光特性，而个别形成特定的光学转换部，此光学转换部系一对一对应发光二极管芯片与其发光特性，此光学转换部借由适当调整转换参数，如转换部容积、萤光材料浓度等，而得以使具有不同芯片发光特性的光线经过光学转换部后所形成之封装后发光特性得以落在一预定色度座标之规格区间。

2. 发明专利

TWI513051B 發光二極體晶圓及其製造方法有权
简体标题：发光二极管晶圆及其制造方法
公开(公告)号：TWI513051B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW102116428
申请日：2013-05-08
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：許鎭鵬 , HSU, CHEN PENG , 林瑞欽 , LIN, RE CHING , 蔡曜駿 , TSAI, YAO JUN , 古昀生 , KU, YUN SHENG , 溫士逸 , WEN, SHIH YI
IPC分类号： H01L33/48

3. 发明专利

TW201541023A 光束整形發光裝置审中-公开
简体标题：光束整形发光设备
公开(公告)号：TW201541023A
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW103144140
申请日：2014-12-17
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：高智偉 , KOH, ZHI-WEI , 溫士逸 , WEN, SHIH YI , 蔡曜駿 , TSAI, YAO JUN , 許鎭鵬 , HSU, CHEN PENG
IPC分类号： F21V7/04
摘要：一種光束整形發光裝置，可包括一光源及一光束整形件。光源用以提供一光線。光線經過光束整形件後之視野為68度至90度之範圍內。光束整形件可包括一光束整形反射杯或一光束整形膜。光束整形反射杯具有一入光口、一出光口及一反射面。出光口所圍繞之面積大於入光口所圍繞之面積。光源設置於入光口。反射面位於入光口及出光口之間。反射面之第一區域之第一曲率半徑大於反射面之第二區域之第二曲率半徑。光束整形膜覆蓋於光源上。光束整形膜包括一本體及多個微結構。微結構以一設置圖樣設置於本體上。微結構之間具有沿一方向延伸之多個溝槽。
简体摘要：一种光束整形发光设备，可包括一光源及一光束整形件。光源用以提供一光线。光线经过光束整形件后之视野为68度至90度之范围内。光束整形件可包括一光束整形反射杯或一光束整形膜。光束整形反射杯具有一入光口、一出光口及一反射面。出光口所围绕之面积大于入光口所围绕之面积。光源设置于入光口。反射面位于入光口及出光口之间。反射面之第一区域之第一曲率半径大于反射面之第二区域之第二曲率半径。光束整形膜覆盖于光源上。光束整形膜包括一本体及多个微结构。微结构以一设置图样设置于本体上。微结构之间具有沿一方向延伸之多个沟槽。

4. 发明专利

TW201444122A 發光元件的製造方法审中-公开
简体标题：发光组件的制造方法
公开(公告)号：TW201444122A
公开(公告)日：2014-11-16
申请号：TW103115824
申请日：2014-05-02
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：林瑞欽 , LIN, RE CHING , 溫士逸 , WEN, SHIH YI , 陳信助 , CHEN, HSIN CHU , 許鎭鵬 , HSU, CHEN PENG , 胡鴻烈 , HU, HUNG LIEH
IPC分类号： H01L33/48
摘要：一種發光元件的製造方法包括以下步驟。選擇一發光源，其中發光源具有一第一發光光譜，且第一發光光譜包括具有一第一峰值波長的波峰。由一螢光粉光譜資料庫選出適於被第一峰值波長激發的一螢光粉配方，且螢光粉配方具有一第二發光光譜。疊加第一發光光譜與第二發光光譜，並取得發光元件在不同的螢光粉重量下的多組預備光譜，並將預備光譜轉換為CIE色座標系統上的多個預備色座標。判斷預備色座標的一趨勢線與一目標區的關係。
简体摘要：一种发光组件的制造方法包括以下步骤。选择一发光源，其中发光源具有一第一发光光谱，且第一发光光谱包括具有一第一峰值波长的波峰。由一萤光粉光谱数据库选出适于被第一峰值波长激发的一萤光粉配方，且萤光粉配方具有一第二发光光谱。叠加第一发光光谱与第二发光光谱，并取得发光组件在不同的萤光粉重量下的多组预备光谱，并将预备光谱转换为CIE色座标系统上的多个预备色座标。判断预备色座标的一趋势线与一目标区的关系。

5. 发明专利

TWI557942B 發光二極體有权
简体标题：发光二极管
公开(公告)号：TWI557942B
公开(公告)日：2016-11-11
申请号：TW102104245
申请日：2013-02-04
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：蔡曜駿 , TSAI, YAO JUN , 許鎭鵬 , HSU, CHEN PENG , 溫士逸 , WEN, SHIH YI , 楊季瑾 , YANG, CHI CHIN , 張郁香 , CHANG, YU HSIANG , 林瑞欽 , LIN, RE CHING , 胡鴻烈 , HU, HUNG LIEH
IPC分类号： H01L33/36
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

6. 发明专利

TWI555951B 光束整形發光裝置有权
简体标题：光束整形发光设备
公开(公告)号：TWI555951B
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW103144140
申请日：2014-12-17
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：高智偉 , KOH, ZHI-WEI , 溫士逸 , WEN, SHIH YI , 蔡曜駿 , TSAI, YAO JUN , 許鎭鵬 , HSU, CHEN PENG
IPC分类号： F21V7/04

7. 发明专利

TW201444121A 發光二極體封裝結構审中-公开
简体标题：发光二极管封装结构
公开(公告)号：TW201444121A
公开(公告)日：2014-11-16
申请号：TW103115348
申请日：2014-04-29
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：林瑞欽 , LIN, RE CHING , 溫士逸 , WEN, SHIH YI , 許鎭鵬 , HSU, CHEN PENG , 胡鴻烈 , HU, HUNG LIEH , 余昱辰 , YU, YU CHEN , 謝佳芬 , HSIEH, CHIA FEN
IPC分类号： H01L33/48
摘要：本揭露提出一種發光二極體封裝結構，包括一晶片承載部、一發光二極體晶片以及一封裝材料。發光二極體晶片配置於封裝體的晶片承載部上。封裝材料填充於晶片承載部上並覆蓋發光二極體晶片。封裝材料包括一基質材料、多個第一粉體顆粒以及多個第二粉體顆粒，其中第一粉體顆粒與第二粉體顆粒都分布於基質材料中，各第一粉體顆粒的材質為一波長轉換材料，且各第二粉體材料具有一殼狀結構。
简体摘要：本揭露提出一种发光二极管封装结构，包括一芯片承载部、一发光二极管芯片以及一封装材料。发光二极管芯片配置于封装体的芯片承载部上。封装材料填充于芯片承载部上并覆盖发光二极管芯片。封装材料包括一基质材料、多个第一粉体颗粒以及多个第二粉体颗粒，其中第一粉体颗粒与第二粉体颗粒都分布于基质材料中，各第一粉体颗粒的材质为一波长转换材料，且各第二粉体材料具有一壳状结构。

8. 发明专利

TW201432942A 發光二極體审中-公开
简体标题：发光二极管
公开(公告)号：TW201432942A
公开(公告)日：2014-08-16
申请号：TW102104245
申请日：2013-02-04
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：蔡曜駿 , TSAI, YAO JUN , 許鎭鵬 , HSU, CHEN PENG , 溫士逸 , WEN, SHIH YI , 楊季瑾 , YANG, CHI CHIN , 張郁香 , CHANG, YU HSIANG , 林瑞欽 , LIN, RE CHING , 胡鴻烈 , HU, HUNG LIEH
IPC分类号： H01L33/36
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種發光二極體，其包括半導體堆疊結構、基板、第一電極、第二電極與第三電極。半導體堆疊結構包括第一半導體層、第二半導體層與發光層。第一半導體層具有相對的第一表面與第二表面且具有第一區域以及第二區域。第二半導體層配置於第二表面上且位於第一區域中。發光層位於第一半導體層與第二半導體層之間。基板與半導體堆疊結構相對配置且具有第一線路層與第二線路層。第一電極位於第二半導體層與第一線路層之間。第二電極位於第一表面上。第三電極位於第二區域與第二線路層之間且電性連接第二電極。
简体摘要：一种发光二极管，其包括半导体堆栈结构、基板、第一电极、第二电极与第三电极。半导体堆栈结构包括第一半导体层、第二半导体层与发光层。第一半导体层具有相对的第一表面与第二表面且具有第一区域以及第二区域。第二半导体层配置于第二表面上且位于第一区域中。发光层位于第一半导体层与第二半导体层之间。基板与半导体堆栈结构相对配置且具有第一线路层与第二线路层。第一电极位于第二半导体层与第一线路层之间。第二电极位于第一表面上。第三电极位于第二区域与第二线路层之间且电性连接第二电极。

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