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1. 发明专利

TWI670725B 記憶體控制方法、記憶體儲存裝置及記憶體控制電路單元有权
简体标题：内存控制方法、内存存储设备及内存控制电路单元
公开(公告)号：TWI670725B
公开(公告)日：2019-09-01
申请号：TW107143775
申请日：2018-12-05
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：林緯 , LIN, WEI , 許祐誠 , HSU, YU-CHENG , 陳思瑋 , CHEN, SZU-WEI , 楊宇翔 , YANG, YU-SIANG
IPC分类号： G11C7/10 , G11C7/12

2. 发明专利

TW201830404A 解碼方法、記憶體儲存裝置及記憶體控制電路單元审中-公开
简体标题：译码方法、内存存储设备及内存控制电路单元
公开(公告)号：TW201830404A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106103993
申请日：2017-02-07
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：林緯 , LIN, WEI , 許祐誠 , HSU, YU-CHENG , 陳思瑋 , CHEN, SZU-WEI
IPC分类号： G11C16/26
摘要：本發明的一範例實施例提供一種用於可複寫式非揮發性記憶體模組的解碼方法，包括：獲得多個第一記憶胞的使用狀態資訊；根據使用狀態資訊使用第一讀取電壓準位讀取多個第二記憶胞以獲得至少一第一位元並使用第二讀取電壓準位讀取第二記憶胞以獲得至少一第二位元，其中第一位元對應於第二記憶胞中第一部分之記憶胞的儲存狀態，第二位元對應於第二記憶胞中第二部分之記憶胞的儲存狀態，且第一讀取電壓準位不同於第二讀取電壓準位；以及解碼包含第一位元與第二位元的多個第三位元。藉此，可提升解碼效率。
简体摘要：本发明的一范例实施例提供一种用于可复写式非挥发性内存模块的译码方法，包括：获得多个第一记忆胞的使用状态信息；根据使用状态信息使用第一读取电压准位读取多个第二记忆胞以获得至少一第一比特并使用第二读取电压准位读取第二记忆胞以获得至少一第二比特，其中第一比特对应于第二记忆胞中第一部分之记忆胞的存储状态，第二比特对应于第二记忆胞中第二部分之记忆胞的存储状态，且第一读取电压准位不同于第二读取电压准位；以及译码包含第一比特与第二比特的多个第三比特。借此，可提升译码效率。

3. 发明专利

TW201802818A 解碼方法、記憶體儲存裝置及記憶體控制電路單元审中-公开
简体标题：译码方法、内存存储设备及内存控制电路单元
公开(公告)号：TW201802818A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW105121544
申请日：2016-07-07
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：林緯 , LIN, WEI
IPC分类号： G11C16/06 , G11C29/42
CPC分类号： G06F11/1068 , G06F3/0619 , G06F3/064 , G06F3/0679 , G06F11/1048 , G11C7/1006 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/26 , G11C16/349 , G11C29/021 , G11C29/028 , G11C29/52
摘要：本發明提供一種解碼方法、記憶體儲存裝置及記憶體控制電路單元。所述解碼方法包括：基於第一讀取電壓準位來從可複寫式非揮發性記憶體模組中的多個第一記憶胞讀取第一資料並執行第一解碼操作；若所述第一解碼操作失敗，評估所述可複寫式非揮發性記憶體模組的通道狀態並根據所述通道狀態獲得第二讀取電壓準位，其中所述第二讀取電壓準位不同於所述第一讀取電壓準位，且所述第二讀取電壓準位不同於最佳讀取電壓準位；基於所述第二讀取電壓準位來從所述多個第一記憶胞讀取第二資料並執行第二解碼操作。藉此，可提高解碼效率。
简体摘要：本发明提供一种译码方法、内存存储设备及内存控制电路单元。所述译码方法包括：基于第一读取电压准位来从可复写式非挥发性内存模块中的多个第一记忆胞读取第一数据并运行第一译码操作；若所述第一译码操作失败，评估所述可复写式非挥发性内存模块的信道状态并根据所述信道状态获得第二读取电压准位，其中所述第二读取电压准位不同于所述第一读取电压准位，且所述第二读取电压准位不同于最佳读取电压准位；基于所述第二读取电压准位来从所述多个第一记忆胞读取第二数据并运行第二译码操作。借此，可提高译码效率。

4. 发明专利

TWI605575B 三維非揮發性記憶體結構及其製造方法有权
简体标题：三维非挥发性内存结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI605575B
公开(公告)日：2017-11-11
申请号：TW106102237
申请日：2017-01-20
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：張俊彥 , CHANG, CHUN-YEN , 鄭淳護 , CHENG, CHUN-HU , 林緯 , LIN, WEI , 邱于建 , CHIU, YU-CHIEN , 劉謙 , LIU, CHIEN
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L27/11582 , G11C11/22 , H01L21/8221 , H01L27/0688 , H01L27/11502 , H01L27/11551 , H01L27/11568 , H01L27/11578 , H01L29/1037 , H01L29/7926

5. 发明专利

TWI605457B 資料寫入方法、記憶體控制電路單元與記憶體儲存裝置有权
简体标题：数据写入方法、内存控制电路单元与内存存储设备
公开(公告)号：TWI605457B
公开(公告)日：2017-11-11
申请号：TW105137457
申请日：2016-11-16
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：林緯 , LIN, WEI , 許祐誠 , HSU, YU-CHENG , 陳思瑋 , CHEN, SZU-WEI
IPC分类号： G11C16/10 , G11C7/12
CPC分类号： G06F3/061 , G06F3/0652 , G06F3/0655 , G06F3/0688

6. 发明专利

TW201732834A 解碼方法、記憶體控制電路單元及記憶體儲存裝置审中-公开
简体标题：译码方法、内存控制电路单元及内存存储设备
公开(公告)号：TW201732834A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105106303
申请日：2016-03-02
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：林緯 , LIN, WEI , 王天慶 , WANG, TIEN-CHING , 賴國欣 , LAI, KUO-HSIN
IPC分类号： G11C29/44 , G11C29/42
CPC分类号： G06F11/1068 , G06F3/0619 , G06F3/064 , G06F3/0679 , G11C11/5642 , G11C29/52 , G11C2029/0411
摘要：一種用於可複寫式非揮發性記憶體模組的解碼方法。此方法包括根據第一電壓從可複寫式非揮發性記憶體模組的記憶胞中讀取資料，其中該資料包括使用者資料串與錯誤檢查與校正碼組。此方法也包括根據第一解碼演算法對使用者資料串中至少部分的子資料單元進行解碼以獲取已解碼子資料單元。此方法還包括倘若已解碼子資料單元中的已校正位元符合一可靠度條件，將已校正位元的值回復為原始位元值。
简体摘要：一种用于可复写式非挥发性内存模块的译码方法。此方法包括根据第一电压从可复写式非挥发性内存模块的记忆胞中读取数据，其中该数据报括用户数据串与错误检查与校正码组。此方法也包括根据第一译码算法对用户数据串中至少部分的子数据单元进行译码以获取已译码子数据单元。此方法还包括倘若已译码子数据单元中的已校正比特符合一可靠度条件，将已校正比特的值回复为原始比特值。

7. 发明专利

TWI556248B 記憶體程式化方法、記憶體控制電路單元與記憶體儲存裝置有权
简体标题：内存进程化方法、内存控制电路单元与内存存储设备
公开(公告)号：TWI556248B
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW104125604
申请日：2015-08-06
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：林緯 , LIN, WEI
IPC分类号： G11C16/10 , G11C16/24
CPC分类号： G11C16/10 , G11C8/12 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/107 , G11C16/16

8. 发明专利

TW201624492A 記憶體管理方法、記憶體儲存裝置及記憶體控制電路單元审中-公开
简体标题：内存管理方法、内存存储设备及内存控制电路单元
公开(公告)号：TW201624492A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW103145948
申请日：2014-12-27
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：林緯 , LIN, WEI , 許祐誠 , HSU, YU CHENG
IPC分类号： G11C16/22 , G11C16/04
CPC分类号： G11C16/3459 , G11C5/04 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/12 , G11C16/26 , G11C16/3404 , G11C29/52 , G11C2029/0411
摘要：一種記憶體管理方法、記憶體儲存裝置及記憶體控制電路單元。所述記憶體管理方法包括：將資料程式化至可複寫式非揮發性記憶體模組的多個記憶胞；根據一預設偏壓區間以及存有所述資料的所述記憶胞的臨界電壓分佈判斷所述資料的儲存狀態是符合第一條件或第二條件；若所述資料的儲存狀態是符合第一條件，執行第一操作；以及若所述資料的儲存狀態是符合第二條件，則執行第二操作，其中所述第一操作與所述第二操作不同。藉此，可減少將有效資料誤判為無效資料的機率。
简体摘要：一种内存管理方法、内存存储设备及内存控制电路单元。所述内存管理方法包括：将数据进程化至可复写式非挥发性内存模块的多个记忆胞；根据一默认偏压区间以及存有所述数据的所述记忆胞的临界电压分布判断所述数据的存储状态是符合第一条件或第二条件；若所述数据的存储状态是符合第一条件，运行第一操作；以及若所述数据的存储状态是符合第二条件，则运行第二操作，其中所述第一操作与所述第二操作不同。借此，可减少将有效数据误判为无效数据的概率。

9. 发明专利

TW201621911A 記憶胞程式化方法、記憶體控制電路單元與記憶體儲存裝置审中-公开
简体标题：记忆胞进程化方法、内存控制电路单元与内存存储设备
公开(公告)号：TW201621911A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW103143496
申请日：2014-12-12
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：林緯 , LIN, WEI , 許祐誠 , HSU, YU CHENG
IPC分类号： G11C16/06 , G11C16/16 , G06F12/02
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F2212/1024 , G06F2212/1032 , G06F2212/7201 , G06F2212/7203 , G11C8/12 , G11C11/5628 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/16 , G11C16/3495
摘要：一種用於可複寫式非揮發性記憶體模組的記憶胞程式化方法。此方法包括將可複寫式非揮發性記憶體模組的實體抹除單元至少分組為第一區與第二區，其中第一組程式化參數被預先設定用於將第一類資料寫入至屬於第一區的實體抹除單元的下實體程式化單元並且第一區的實體抹除單元的上實體程式化單元不會被用來儲存資料。此方法更包括：調整第一組程式化參數以獲得第二組程式化參數；以及使用第二組程式化參數將第二類資料寫入至屬於第二區的實體抹除單元的下實體程式化單元中，其中第二區的實體抹除單元的上實體程式化單元不會被用來儲存資料。
简体摘要：一种用于可复写式非挥发性内存模块的记忆胞进程化方法。此方法包括将可复写式非挥发性内存模块的实体抹除单元至少分组为第一区与第二区，其中第一组进程化参数被预先设置用于将第一类数据写入至属于第一区的实体抹除单元的下实体进程化单元并且第一区的实体抹除单元的上实体进程化单元不会被用来存储数据。此方法更包括：调整第一组进程化参数以获得第二组进程化参数；以及使用第二组进程化参数将第二类数据写入至属于第二区的实体抹除单元的下实体进程化单元中，其中第二区的实体抹除单元的上实体进程化单元不会被用来存储数据。

10. 发明专利

TW201541459A 資料寫入方法、記憶體控制電路單元與記憶體儲存裝置审中-公开
简体标题：数据写入方法、内存控制电路单元与内存存储设备
公开(公告)号：TW201541459A
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW103119007
申请日：2014-05-30
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：葉志剛 , YEH, CHIH KANG , 林緯 , LIN, WEI
IPC分类号： G11C16/10 , G11C29/52
摘要：本揭露提出一種用於將資料寫入至可複寫式非揮發性記憶體模組的記憶胞的資料寫入方法以及使用此方法的記憶體控制電路單元與記憶體儲存裝置。本資料寫入方法包括記錄此記憶胞的磨損程度值，並且偵測記憶體儲存裝置的溫度。本資料寫入方法更包括，倘若記憶體儲存裝置的溫度大於預先定義溫度時，調整對應可複寫式非揮發性記憶體模組的至少一個預先定義操作參數並且依據至少一個已調整操作參數來寫入資料至此記憶胞。基此，本方法可精確地將資料儲存至可複寫式非揮發性記憶體模組中，由此降低記憶體儲存裝置的溫度。
简体摘要：本揭露提出一种用于将数据写入至可复写式非挥发性内存模块的记忆胞的数据写入方法以及使用此方法的内存控制电路单元与内存存储设备。本数据写入方法包括记录此记忆胞的磨损程度值，并且侦测内存存储设备的温度。本数据写入方法更包括，倘若内存存储设备的温度大于预先定义温度时，调整对应可复写式非挥发性内存模块的至少一个预先定义操作参数并且依据至少一个已调整操作参数来写入数据至此记忆胞。基此，本方法可精确地将数据存储至可复写式非挥发性内存模块中，由此降低内存存储设备的温度。

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