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1. 发明专利

TWI670725B 記憶體控制方法、記憶體儲存裝置及記憶體控制電路單元有权
简体标题：内存控制方法、内存存储设备及内存控制电路单元
公开(公告)号：TWI670725B
公开(公告)日：2019-09-01
申请号：TW107143775
申请日：2018-12-05
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：林緯 , LIN, WEI , 許祐誠 , HSU, YU-CHENG , 陳思瑋 , CHEN, SZU-WEI , 楊宇翔 , YANG, YU-SIANG
IPC分类号： G11C7/10 , G11C7/12

2. 发明专利

TW201830404A 解碼方法、記憶體儲存裝置及記憶體控制電路單元审中-公开
简体标题：译码方法、内存存储设备及内存控制电路单元
公开(公告)号：TW201830404A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106103993
申请日：2017-02-07
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：林緯 , LIN, WEI , 許祐誠 , HSU, YU-CHENG , 陳思瑋 , CHEN, SZU-WEI
IPC分类号： G11C16/26
摘要：本發明的一範例實施例提供一種用於可複寫式非揮發性記憶體模組的解碼方法，包括：獲得多個第一記憶胞的使用狀態資訊；根據使用狀態資訊使用第一讀取電壓準位讀取多個第二記憶胞以獲得至少一第一位元並使用第二讀取電壓準位讀取第二記憶胞以獲得至少一第二位元，其中第一位元對應於第二記憶胞中第一部分之記憶胞的儲存狀態，第二位元對應於第二記憶胞中第二部分之記憶胞的儲存狀態，且第一讀取電壓準位不同於第二讀取電壓準位；以及解碼包含第一位元與第二位元的多個第三位元。藉此，可提升解碼效率。
简体摘要：本发明的一范例实施例提供一种用于可复写式非挥发性内存模块的译码方法，包括：获得多个第一记忆胞的使用状态信息；根据使用状态信息使用第一读取电压准位读取多个第二记忆胞以获得至少一第一比特并使用第二读取电压准位读取第二记忆胞以获得至少一第二比特，其中第一比特对应于第二记忆胞中第一部分之记忆胞的存储状态，第二比特对应于第二记忆胞中第二部分之记忆胞的存储状态，且第一读取电压准位不同于第二读取电压准位；以及译码包含第一比特与第二比特的多个第三比特。借此，可提升译码效率。

3. 发明专利

TWI605457B 資料寫入方法、記憶體控制電路單元與記憶體儲存裝置有权
简体标题：数据写入方法、内存控制电路单元与内存存储设备
公开(公告)号：TWI605457B
公开(公告)日：2017-11-11
申请号：TW105137457
申请日：2016-11-16
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：林緯 , LIN, WEI , 許祐誠 , HSU, YU-CHENG , 陳思瑋 , CHEN, SZU-WEI
IPC分类号： G11C16/10 , G11C7/12
CPC分类号： G06F3/061 , G06F3/0652 , G06F3/0655 , G06F3/0688

4. 发明专利

TWI668695B 電壓調整方法、記憶體控制電路單元以及記憶體儲存裝置有权
简体标题：电压调整方法、内存控制电路单元以及内存存储设备
公开(公告)号：TWI668695B
公开(公告)日：2019-08-11
申请号：TW107125541
申请日：2018-07-24
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：林緯 , LIN, WEI , 許祐誠 , HSU, YU-CHENG , 郭才豪 , KUO, TSAI-HAO , 陳思瑋 , CHEN, SZU-WEI , 歐瀝元 , OU, LIH YUARN , 林曉宜 , LIN, HSIAO-YI
IPC分类号： G11C16/02

5. 发明专利

TWI628660B 解碼方法、記憶體控制電路單元以及記憶體儲存裝置有权
简体标题：译码方法、内存控制电路单元以及内存存储设备
公开(公告)号：TWI628660B
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106132003
申请日：2017-09-19
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：林緯 , LIN, WEI , 許祐誠 , HSU, YU-CHENG , 陳思瑋 , CHEN, SZU-WEI , 楊宇翔 , YANG, YU-SIANG
IPC分类号： G11C16/08 , G06F12/08

6. 发明专利

TWI614755B 解碼方法、記憶體儲存裝置及記憶體控制電路單元有权
简体标题：译码方法、内存存储设备及内存控制电路单元
公开(公告)号：TWI614755B
公开(公告)日：2018-02-11
申请号：TW106103993
申请日：2017-02-07
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：林緯 , LIN, WEI , 許祐誠 , HSU, YU-CHENG , 陳思瑋 , CHEN, SZU-WEI
IPC分类号： G11C16/26
CPC分类号： G11C11/5642 , G11C16/0466 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/26 , G11C16/28 , G11C16/3418 , G11C16/3495

7. 发明专利

TW202008365A 電壓調整方法、記憶體控制電路單元以及記憶體儲存裝置审中-公开
简体标题：电压调整方法、内存控制电路单元以及内存存储设备
公开(公告)号：TW202008365A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW107125541
申请日：2018-07-24
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：林緯 , LIN, WEI , 許祐誠 , HSU, YU-CHENG , 郭才豪 , KUO, TSAI-HAO , 陳思瑋 , CHEN, SZU-WEI , 歐瀝元 , OU, LIH YUARN , 林曉宜 , LIN, HSIAO-YI
IPC分类号： G11C16/02
摘要：一種電壓調整方法、記憶體控制電路單元以及記憶體儲存裝置。所述方法包括：讀取第一實體程式化單元組中的第一實體程式化單元以獲得第一資料；根據對應第一資料的第一錯誤檢查與校正碼對第一資料進行校正以獲得第一校正後資料；讀取第一實體程式化單元組中的第二實體程式化單元以獲得第二資料；根據第一資料、第一校正後資料以及第二資料將用於讀取第一記憶胞的第一讀取電壓調整為第二讀取電壓。
简体摘要：一种电压调整方法、内存控制电路单元以及内存存储设备。所述方法包括：读取第一实体进程化单元组中的第一实体进程化单元以获得第一数据；根据对应第一数据的第一错误检查与校正码对第一数据进行校正以获得第一校正后数据；读取第一实体进程化单元组中的第二实体进程化单元以获得第二数据；根据第一数据、第一校正后数据以及第二数据将用于读取第一记忆胞的第一读取电压调整为第二读取电压。

8. 发明专利

TWI648676B 資料存取方法、記憶體控制電路單元以及記憶體儲存裝置有权
简体标题：数据存取方法、内存控制电路单元以及内存存储设备
公开(公告)号：TWI648676B
公开(公告)日：2019-01-21
申请号：TW106141792
申请日：2017-11-30
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：林緯 , LIN, WEI , 劉安城 , LIU, AN-CHENG , 歐瀝元 , OU, LIH YUARN , 陳思瑋 , CHEN, SZU-WEI
IPC分类号： G06F3/06 , G11C16/26

9. 发明专利

TWI613660B 記憶體程式化方法、記憶體控制電路單元與記憶體儲存裝置有权
简体标题：内存进程化方法、内存控制电路单元与内存存储设备
公开(公告)号：TWI613660B
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW105132771
申请日：2016-10-11
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：林緯 , LIN, WEI , 許祐誠 , HSU, YU-CHENG , 陳思瑋 , CHEN, SZU-WEI
IPC分类号： G11C16/24 , G11C16/06
CPC分类号： G11C16/04 , G06F3/0619 , G06F3/064 , G06F3/0679 , G06F11/1068 , G11C11/5628 , G11C11/5635 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/3459 , H03M13/2957

10. 发明专利

TWI681396B 解碼方法、記憶體控制電路單元以及記憶體儲存裝置有权
简体标题：译码方法、内存控制电路单元以及内存存储设备
公开(公告)号：TWI681396B
公开(公告)日：2020-01-01
申请号：TW107143921
申请日：2018-12-06
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：林緯 , LIN, WEI , 許祐誠 , HSU, YU-CHENG , 陳思瑋 , CHEN, SZU-WEI
IPC分类号： G11C16/14 , G11C11/56

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