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    • 1. 发明专利
    • 堆疊之有機光敏性裝置 STACKED ORGANIC PHOTOSENSITIVE DEVICES
    • 堆栈之有机光敏性设备 STACKED ORGANIC PHOTOSENSITIVE DEVICES
    • TWI370536B
    • 2012-08-11
    • TW094126539
    • 2005-08-04
    • 美國普林斯頓大學信託會
    • 史帝芬 佛瑞斯薛劍耿內田聰一貝利P 蘭德
    • H01L
    • H01L51/4253B82Y10/00H01L27/302H01L51/0021H01L51/0046H01L51/0053H01L51/0059H01L51/0078H01L51/4246Y02E10/549
    • 本發明提供一種裝置,其具有一第一電極、一第二電極、一具有一特徵吸收波長λ1之第一光敏性區域及一具有一特徵吸收波長λ2之第二光敏性區域。該等光敏性區域係安置於該第一電極與該第二電極之間,且進一步置於一反射層之相同側上,使得該第一光敏性區域較該第二光敏性區域更靠近該反射層。可選擇組成該等光敏性區域之材料,使得λ1與λ2相差至少約10%。該裝置可進一步包含一激子阻斷層,其經安置成鄰接每一光敏性區域之有機受體材料且與該有機受體材料直接接觸,其中除了最靠近陰極之激子阻斷層外每一激子阻斷層的最低未佔據分子軌域(LUMO)至多大於該受體材料之LUMO約0.3 eV。
    • 本发明提供一种设备,其具有一第一电极、一第二电极、一具有一特征吸收波长λ1之第一光敏性区域及一具有一特征吸收波长λ2之第二光敏性区域。该等光敏性区域系安置于该第一电极与该第二电极之间,且进一步置于一反射层之相同侧上,使得该第一光敏性区域较该第二光敏性区域更靠近该反射层。可选择组成该等光敏性区域之材料,使得λ1与λ2相差至少约10%。该设备可进一步包含一激子阻断层,其经安置成邻接每一光敏性区域之有机受体材料且与该有机受体材料直接接触,其中除了最靠近阴极之激子阻断层外每一激子阻断层的最低未占据分子轨域(LUMO)至多大于该受体材料之LUMO约0.3 eV。