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1. 发明专利

TWI452930B 利用直接注入成三重態之有機發光裝置有权
简体标题：利用直接注入成三重态之有机发光设备
公开(公告)号：TWI452930B
公开(公告)日：2014-09-11
申请号：TW095111245
申请日：2006-03-30
申请人：美國南加州大學 , THE UNIVERSITY OF SOUTHERN CALIFORNIA , 環球展覽公司 , UNIVERSAL DISPLAY CORPORATION , 美國普林斯頓大學信託會 , THE TRUSTEES OF PRINCETON UNIVERSITY
发明人：馬克E 湯普生 , THOMPSON, MARK E. , 史帝芬佛瑞斯 , FORREST, STEPHEN , 珠麗亞J. 布朗 , BROWN, JULIA J.
IPC分类号： H05B33/20
CPC分类号： H01L51/5004 , H01L51/5016 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L2251/552 , Y10T428/24942

2. 发明专利

TWI411147B 堆疊之有機光敏感性裝置有权
简体标题：堆栈之有机光敏感性设备
公开(公告)号：TWI411147B
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW094126538
申请日：2005-08-04
申请人：美國普林斯頓大學信託會 , THE TRUSTEES OF PRINCETON UNIVERSITY
发明人：史帝芬佛瑞斯 , FORREST, STEPHEN , 薛劍耿 , XUE, JIANGENG , 內田聰一 , UCHIDA, SOICHI , 貝利P 蘭德 , RAND, BARRY P.
IPC分类号： H01L51/40
CPC分类号： B82Y10/00 , H01L27/302 , H01L51/0021 , H01L51/0046 , H01L51/0051 , H01L51/0053 , H01L51/0078 , H01L51/424 , H01L51/4246 , H01L51/4253 , H01L2251/308 , Y02E10/549

3. 发明专利

TWI501436B 藉由壓印在非平坦基材上沈積薄層之系統及方法有权
简体标题：借由压印在非平坦基材上沉积薄层之系统及方法
公开(公告)号：TWI501436B
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：TW097106652
申请日：2008-02-26
申请人：美國普林斯頓大學信託會 , THE TRUSTEES OF PRINCETON UNIVERSITY , 美國密西根州立大學 , THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN
发明人：史帝芬佛瑞斯 , FORREST, STEPHEN , 亓向飛 , QI, XIANGFEI , 瑪切蘿達凡可 , DAVANCO, MARCELO , 徐欣 , XU, XIN
IPC分类号： H01L51/00
CPC分类号： H01L51/0004 , B29D11/00807 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , H01L51/0022

4. 发明专利

TWI497789B 用於有效獲取白光有機發光裝置（ＯＬＥＤ）之單重及三重激子的物質及架構有权
简体标题：用于有效获取白光有机发光设备（ＯＬＥＤ）之单重及三重激子的物质及架构
公开(公告)号：TWI497789B
公开(公告)日：2015-08-21
申请号：TW096135993
申请日：2007-09-27
申请人：美國南加州大學 , THE UNIVERSITY OF SOUTHERN CALIFORNIA , 美國密西根州立大學 , THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN
发明人：史帝芬佛瑞斯 , FORREST, STEPHEN , 馬克E 湯普生 , THOMPSON, MARK E.
IPC分类号： H01L51/50
CPC分类号： H01L51/5036 , H01L51/5016 , Y10S428/917 , Y10T428/31504

5. 发明专利

TWI370536B 堆疊之有機光敏性裝置 STACKED ORGANIC PHOTOSENSITIVE DEVICES 有权
简体标题：堆栈之有机光敏性设备 STACKED ORGANIC PHOTOSENSITIVE DEVICES
公开(公告)号：TWI370536B
公开(公告)日：2012-08-11
申请号：TW094126539
申请日：2005-08-04
申请人：美國普林斯頓大學信託會
发明人：史帝芬佛瑞斯 , 薛劍耿 , 內田聰一 , 貝利P 蘭德
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L51/4253 , B82Y10/00 , H01L27/302 , H01L51/0021 , H01L51/0046 , H01L51/0053 , H01L51/0059 , H01L51/0078 , H01L51/4246 , Y02E10/549
摘要：本發明提供一種裝置，其具有一第一電極、一第二電極、一具有一特徵吸收波長λ1之第一光敏性區域及一具有一特徵吸收波長λ2之第二光敏性區域。該等光敏性區域係安置於該第一電極與該第二電極之間，且進一步置於一反射層之相同側上，使得該第一光敏性區域較該第二光敏性區域更靠近該反射層。可選擇組成該等光敏性區域之材料，使得λ1與λ2相差至少約10%。該裝置可進一步包含一激子阻斷層，其經安置成鄰接每一光敏性區域之有機受體材料且與該有機受體材料直接接觸，其中除了最靠近陰極之激子阻斷層外每一激子阻斷層的最低未佔據分子軌域(LUMO)至多大於該受體材料之LUMO約0.3 eV。
简体摘要：本发明提供一种设备，其具有一第一电极、一第二电极、一具有一特征吸收波长λ1之第一光敏性区域及一具有一特征吸收波长λ2之第二光敏性区域。该等光敏性区域系安置于该第一电极与该第二电极之间，且进一步置于一反射层之相同侧上，使得该第一光敏性区域较该第二光敏性区域更靠近该反射层。可选择组成该等光敏性区域之材料，使得λ1与λ2相差至少约10%。该设备可进一步包含一激子阻断层，其经安置成邻接每一光敏性区域之有机受体材料且与该有机受体材料直接接触，其中除了最靠近阴极之激子阻断层外每一激子阻断层的最低未占据分子轨域(LUMO)至多大于该受体材料之LUMO约0.3 eV。

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