专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI643699B 滾揉設備和用於分離粒狀多晶矽與多晶矽粉末的方法有权
简体标题：滚揉设备和用于分离粒状多晶硅与多晶硅粉末的方法
公开(公告)号：TWI643699B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：TW103143255
申请日：2014-12-11
申请人：美商REC多晶矽公司 , REC SILICON INC
发明人：吉爾森羅伯特J , GEERTSEN, ROBERT J.
IPC分类号： B24B31/02 , B24B31/12

2. 发明专利

TW201837249A 控制氧化矽的廢氣以防止粒狀矽退火系統的結垢审中-公开
简体标题：控制氧化硅的废气以防止粒状硅退火系统的结垢
公开(公告)号：TW201837249A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW107100650
申请日：2018-01-08
申请人：美商REC多晶矽公司 , REC SILICON INC
发明人：吉爾森羅伯特J , GEERTSEN, ROBERT J. , 米勒馬修J , MILLER, MATTHEW J. , 強森史登賈斯汀 , JOHNSTON, JUSTIN , 耶爾馬茲塞法 , YILMAZ, SEFA , 賈斯魯史坦 , JULSRUD, STEIN
IPC分类号： C30B33/02 , C30B29/06 , C01B33/027
摘要：本揭示內容係關於用於退火粒狀矽以降低該粒狀矽之氫含量的退火裝置及方法之實施例。該退火裝置包含至少一個管，粒狀矽向下流動穿過該至少一個管。該管包括加熱區及(i)在該加熱區下方的駐留區、(ii)在該加熱區下方的冷卻區、或(iii)在該加熱區下方的駐留區及在該駐留區下方的冷卻區。惰性氣體向上流動穿過該管。該管可由兩個或兩個以上管段構造。該退火裝置可包括平行地佈置並容納在殼體內的複數個管。該退火裝置及方法係適用於連續製程。
简体摘要：本揭示内容系关于用于退火粒状硅以降低该粒状硅之氢含量的退火设备及方法之实施例。该退火设备包含至少一个管，粒状硅向下流动穿过该至少一个管。该管包括加热区及(i)在该加热区下方的驻留区、(ii)在该加热区下方的冷却区、或(iii)在该加热区下方的驻留区及在该驻留区下方的冷却区。惰性气体向上流动穿过该管。该管可由两个或两个以上管段构造。该退火设备可包括平行地布置并容纳在壳体内的复数个管。该退火设备及方法系适用于连续制程。

3. 发明专利

TW201815648A 給料機审中-公开
简体标题：给料机
公开(公告)号：TW201815648A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106136349
申请日：2017-10-23
申请人：美商REC多晶矽公司 , REC SILICON INC
发明人：吉爾森羅伯特J , GEERTSEN, ROBERT J.
IPC分类号： B65G47/74 , B65G53/58
摘要：一種可操作來運送分裂固體材料之給料機，其包含導管及致動器。該導管具有中空主體，其具有長度、第一端部、與該第一端部相反的第二端部及沿該長度之至少一部分界定的可位移主體節段。該可位移主體節段具有至少可定位在第一固定位置處的第一可固定位置。該致動器經定位以施加力至該導管且可控制來引起分裂固體材料在大體上自該第一端部至該第二端部延伸的給料方向上之選定流動。亦揭示方法。
简体摘要：一种可操作来运送分裂固体材料之给料机，其包含导管及致动器。该导管具有中空主体，其具有长度、第一端部、与该第一端部相反的第二端部及沿该长度之至少一部分界定的可位移主体节段。该可位移主体节段具有至少可定位在第一固定位置处的第一可固定位置。该致动器经定位以施加力至该导管且可控制来引起分裂固体材料在大体上自该第一端部至该第二端部延伸的给料方向上之选定流动。亦揭示方法。

4. 发明专利

TW201838918A 用於高純度矽顆粒退火的分段管审中-公开
简体标题：用于高纯度硅颗粒退火的分段管
公开(公告)号：TW201838918A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW107101075
申请日：2018-01-11
申请人：美商REC多晶矽公司 , REC SILICON INC
发明人：米勒馬修J , MILLER, MATTHEW J. , 吉爾森羅伯特J , GEERTSEN, ROBERT J. , 賈斯魯史坦 , JULSRUD, STEIN , 耶爾馬茲塞法 , YILMAZ, SEFA , 迪斯柏德雷蒙 , DESBORDES, RAYMOND
IPC分类号： C01B33/037 , C30B29/06 , C30B33/02
摘要：本發明係關於用於退火粒狀矽以降低該粒狀矽之氫含量的退火裝置及方法之具體實例。該退火裝置包含至少一個管，粒狀矽向下流動穿過該至少一個管。該管包括加熱區及(i)在該加熱區下方的駐留區、(ii)在該加熱區下方的冷卻區、或(iii)在該加熱區下方的駐留區及在該駐留區下方的冷卻區。惰性氣體向上流動穿過該管。該管可由兩個或兩個以上管段構造。該退火裝置可包括平行地佈置並容納在殼體內的複數個管。該退火裝置及方法係適用於連續製程。
简体摘要：本发明系关于用于退火粒状硅以降低该粒状硅之氢含量的退火设备及方法之具体实例。该退火设备包含至少一个管，粒状硅向下流动穿过该至少一个管。该管包括加热区及(i)在该加热区下方的驻留区、(ii)在该加热区下方的冷却区、或(iii)在该加热区下方的驻留区及在该驻留区下方的冷却区。惰性气体向上流动穿过该管。该管可由两个或两个以上管段构造。该退火设备可包括平行地布置并容纳在壳体内的复数个管。该退火设备及方法系适用于连续制程。

5. 发明专利

TW201836016A 用於在退火可流動的，精細分離的固體時降低黏聚的系統审中-公开
简体标题：用于在退火可流动的，精细分离的固体时降低黏聚的系统
公开(公告)号：TW201836016A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW107100649
申请日：2018-01-08
申请人：美商REC多晶矽公司 , REC SILICON INC
发明人：吉爾森羅伯特J , GEERTSEN, ROBERT J. , 米勒馬修J , MILLER, MATTHEW J. , 強森史登賈斯汀 , JOHNSTON, JUSTIN , 賈斯魯史坦 , JULSRUD, STEIN , 耶爾馬茲塞法 , YILMAZ, SEFA
IPC分类号： H01L21/324
摘要：本揭示內容係關於用於退火可流動的、精細分離的固體，諸如退火粒狀矽以降低該粒狀矽之氫含量的退火裝置及方法之實施例。該退火裝置包含至少一個管，可流動的，精細分離的固體向下流動穿過該至少一個管。該管包括加熱區及(i)在該加熱區下方的駐留區、(ii)在該加熱區下方的冷卻區、或(iii)在該加熱區下方的駐留區及在該駐留區下方的冷卻區。惰性氣體向上流動穿過該管。該管可由兩個或兩個以上管段構造。該退火裝置可包括佈置並容納在殼體內的複數個管。該退火裝置及方法係適用於連續製程。
简体摘要：本揭示内容系关于用于退火可流动的、精细分离的固体，诸如退火粒状硅以降低该粒状硅之氢含量的退火设备及方法之实施例。该退火设备包含至少一个管，可流动的，精细分离的固体向下流动穿过该至少一个管。该管包括加热区及(i)在该加热区下方的驻留区、(ii)在该加热区下方的冷却区、或(iii)在该加热区下方的驻留区及在该驻留区下方的冷却区。惰性气体向上流动穿过该管。该管可由两个或两个以上管段构造。该退火设备可包括布置并容纳在壳体内的复数个管。该退火设备及方法系适用于连续制程。

6. 发明专利

TW201840477A 具黏聚控制的用於粒狀矽退火的方法审中-公开
简体标题：具黏聚控制的用于粒状硅退火的方法
公开(公告)号：TW201840477A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107100648
申请日：2018-01-08
申请人：美商REC多晶矽公司 , REC SILICON INC
发明人：米勒馬修J , MILLER, MATTHEW J. , 吉爾森羅伯特J , GEERTSEN, ROBERT J. , 強森史登賈斯汀 , JOHNSTON, JUSTIN , 賈斯魯史坦 , JULSRUD, STEIN , 耶爾馬茲塞法 , YILMAZ, SEFA
IPC分类号： C01B33/037 , C30B33/02 , C30B29/06
摘要：本發明係關於用於可流動細粉狀固體退火之退火裝置及方法的具體實例，諸如粒狀矽退火以減少該粒狀矽之氫含量。該退火裝置包含至少一個管，可流動細粉狀固體穿過該管向下流動。該管包括加熱區及(i)該加熱區下方之滯留區，(ii)該加熱區下方之冷卻區，或(iii)該加熱區下方之滯留區及該滯留區下方之冷卻區。惰性氣體穿過該管向上流動。該管可由兩個或多於兩個管段建構。該退火裝置可包括複數個配置及容納於殼內的管。該退火裝置及方法適用於連續製程。
简体摘要：本发明系关于用于可流动细粉状固体退火之退火设备及方法的具体实例，诸如粒状硅退火以减少该粒状硅之氢含量。该退火设备包含至少一个管，可流动细粉状固体穿过该管向下流动。该管包括加热区及(i)该加热区下方之滞留区，(ii)该加热区下方之冷却区，或(iii)该加热区下方之滞留区及该滞留区下方之冷却区。惰性气体穿过该管向上流动。该管可由两个或多于两个管段建构。该退火设备可包括复数个配置及容纳于壳内的管。该退火设备及方法适用于连续制程。

7. 发明专利

TW201800147A 用於除塵方法的加濕吹掃氣體审中-公开
简体标题：用于除尘方法的加湿吹扫气体
公开(公告)号：TW201800147A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106113767
申请日：2017-04-25
申请人： REC多晶矽公司 , REC SILICON INC
发明人：吉爾森羅伯特J , GEERTSEN, ROBERT J.
IPC分类号： B01J8/18 , B01J8/24 , C01B33/027
CPC分类号： C01B33/02 , B07B1/22 , B07B4/06 , B07B4/08 , B07B7/02 , C01P2004/32 , C01P2004/60 , C01P2006/80
摘要：本發明揭示自粒狀多晶矽及多晶矽粉末的混合物分離多晶矽粉末的方法及設備。該方法包括在滾動裝置中滾動多晶矽材料，同時使加濕吹掃氣體流動通過滾動裝置。本發明亦揭示包括粒狀多晶矽或多晶矽的組成物，其在一些實施例中包括基本上由水組成的塗層。
简体摘要：本发明揭示自粒状多晶硅及多晶硅粉末的混合物分离多晶硅粉末的方法及设备。该方法包括在滚动设备中滚动多晶硅材料，同时使加湿吹扫气体流动通过滚动设备。本发明亦揭示包括粒状多晶硅或多晶硅的组成物，其在一些实施例中包括基本上由水组成的涂层。

8. 发明专利

TW201437114A 減輕多晶矽的金屬接觸污染的容器及方法审中-公开
简体标题：减轻多晶硅的金属接触污染的容器及方法
公开(公告)号：TW201437114A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW102140450
申请日：2013-11-07
申请人： REC多晶矽公司 , REC SILICON INC
发明人：吉爾森羅伯特J , GEERTSEN, ROBERT J. , 大衛森羅伯特M , DAVIDSON, ROBERT M.
IPC分类号： B65D85/00 , B65D25/14
CPC分类号： B65D25/14
摘要：本發明係關於減少或減輕多晶矽在容納或儲存於至少部分由金屬構造及/或具有至少部分由金屬構造之多晶矽接觸表面的容器中時的金屬污染。詳言之，本發明係關於一種減輕多晶矽與容器金屬表面接觸之金屬污染的方法，該方法藉由使該表面具備包含微孔彈性體聚胺基甲酸乙酯之保護層來達成。
简体摘要：本发明系关于减少或减轻多晶硅在容纳或存储于至少部分由金属构造及/或具有至少部分由金属构造之多晶硅接触表面的容器中时的金属污染。详言之，本发明系关于一种减轻多晶硅与容器金属表面接触之金属污染的方法，该方法借由使该表面具备包含微孔弹性体聚胺基甲酸乙酯之保护层来达成。

9. 发明专利

TWI513506B 流體床反應器有权
简体标题：流体床反应器
公开(公告)号：TWI513506B
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：TW099139683
申请日：2010-11-18
申请人： REC多晶矽公司 , REC SILICON INC
发明人：歐斯朋 E 偉恩 , OSBORNE, E. WAYNE , 史潘格勒麥可V , SPANGLER, MICHAEL V. , 艾倫李維C , ALLEN, LEVI C. , 吉爾森羅伯特J , GEERTSEN, ROBERT J. , 艾居保羅E , EGE, PAUL E. , 史都平瓦特J , STUPIN, WALTER J. , 欽尼格葛拉 , ZEININGER, GERALD
IPC分类号： B01J19/26 , C01B33/027 , H01L21/20
CPC分类号： C23C16/442 , C23C16/24 , C23C16/4404 , C23C16/4417 , C23C16/45576 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , Y10S118/05

10. 发明专利

TW201514081A 多晶矽運送裝置及反應系統，以及用以生產多晶矽的方法审中-公开
简体标题：多晶硅运送设备及反应系统，以及用以生产多晶硅的方法
公开(公告)号：TW201514081A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：TW103112983
申请日：2014-04-09
申请人： REC多晶矽公司 , REC SILICON INC
发明人：吉爾森羅伯特J , GEERTSEN, ROBERT J.
IPC分类号： B65G53/54 , B01J8/24 , C30B28/14
CPC分类号： C01B33/027 , Y10T137/0318
摘要：本發明揭示一種用於減少或降低多晶矽之金屬污染之方法及系統。本發明揭示一種包含內表面至少部分塗佈有包含彈性體微孔聚胺基甲酸酯之內層之可撓性合成樹脂管的傳輸裝置，其用於與超純粒狀多晶矽之製造及產品處理程序相關之流體化床反應器操作中。使用管道實現該多晶矽之穿過會減輕來自原本典型地存在於此類製造單元中之來源的雜質金屬接觸污染。
简体摘要：本发明揭示一种用于减少或降低多晶硅之金属污染之方法及系统。本发明揭示一种包含内表面至少部分涂布有包含弹性体微孔聚胺基甲酸酯之内层之可挠性合成树脂管的传输设备，其用于与超纯粒状多晶硅之制造及产品处理进程相关之流体化床反应器操作中。使用管道实现该多晶硅之穿过会减轻来自原本典型地存在于此类制造单元中之来源的杂质金属接触污染。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式