专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201819039A 襯裡壁內的反應器組件布置审中-公开
简体标题：衬里壁内的反应器组件布置
公开(公告)号：TW201819039A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW106138309
申请日：2017-11-06
申请人：美商REC多晶矽公司 , REC SILICON INC
发明人：米勒馬修J , MILLER, MATTHEW J.
IPC分类号： B01J8/24 , C23C16/24
摘要：本發明揭示了供用於生產多晶矽塗佈粒狀材料之一流體化床反應器中使用的反應腔室襯裡。該等襯裡包括一孔及經組態以容納一反應器組件之一空腔，該反應器組件諸如一探針、一感測器、一噴嘴、一進料管線、一取樣管線、一加熱/冷卻組件等等。在一些具體實例中，該襯裡係由垂直地堆疊或側向地接合之分段組成的一分段式襯裡，其中至少一個分段包括一孔徑及經組態以容納一反應器組件之一空腔。
简体摘要：本发明揭示了供用于生产多晶硅涂布粒状材料之一流体化床反应器中使用的反应腔室衬里。该等衬里包括一孔及经组态以容纳一反应器组件之一空腔，该反应器组件诸如一探针、一传感器、一喷嘴、一进料管线、一采样管线、一加热/冷却组件等等。在一些具体实例中，该衬里系由垂直地堆栈或侧向地接合之分段组成的一分段式衬里，其中至少一个分段包括一孔径及经组态以容纳一反应器组件之一空腔。

2. 发明专利

TWI643699B 滾揉設備和用於分離粒狀多晶矽與多晶矽粉末的方法有权
简体标题：滚揉设备和用于分离粒状多晶硅与多晶硅粉末的方法
公开(公告)号：TWI643699B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：TW103143255
申请日：2014-12-11
申请人：美商REC多晶矽公司 , REC SILICON INC
发明人：吉爾森羅伯特J , GEERTSEN, ROBERT J.
IPC分类号： B24B31/02 , B24B31/12

3. 发明专利

TW201837249A 控制氧化矽的廢氣以防止粒狀矽退火系統的結垢审中-公开
简体标题：控制氧化硅的废气以防止粒状硅退火系统的结垢
公开(公告)号：TW201837249A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW107100650
申请日：2018-01-08
申请人：美商REC多晶矽公司 , REC SILICON INC
发明人：吉爾森羅伯特J , GEERTSEN, ROBERT J. , 米勒馬修J , MILLER, MATTHEW J. , 強森史登賈斯汀 , JOHNSTON, JUSTIN , 耶爾馬茲塞法 , YILMAZ, SEFA , 賈斯魯史坦 , JULSRUD, STEIN
IPC分类号： C30B33/02 , C30B29/06 , C01B33/027
摘要：本揭示內容係關於用於退火粒狀矽以降低該粒狀矽之氫含量的退火裝置及方法之實施例。該退火裝置包含至少一個管，粒狀矽向下流動穿過該至少一個管。該管包括加熱區及(i)在該加熱區下方的駐留區、(ii)在該加熱區下方的冷卻區、或(iii)在該加熱區下方的駐留區及在該駐留區下方的冷卻區。惰性氣體向上流動穿過該管。該管可由兩個或兩個以上管段構造。該退火裝置可包括平行地佈置並容納在殼體內的複數個管。該退火裝置及方法係適用於連續製程。
简体摘要：本揭示内容系关于用于退火粒状硅以降低该粒状硅之氢含量的退火设备及方法之实施例。该退火设备包含至少一个管，粒状硅向下流动穿过该至少一个管。该管包括加热区及(i)在该加热区下方的驻留区、(ii)在该加热区下方的冷却区、或(iii)在该加热区下方的驻留区及在该驻留区下方的冷却区。惰性气体向上流动穿过该管。该管可由两个或两个以上管段构造。该退火设备可包括平行地布置并容纳在壳体内的复数个管。该退火设备及方法系适用于连续制程。

4. 发明专利

TW201838918A 用於高純度矽顆粒退火的分段管审中-公开
简体标题：用于高纯度硅颗粒退火的分段管
公开(公告)号：TW201838918A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW107101075
申请日：2018-01-11
申请人：美商REC多晶矽公司 , REC SILICON INC
发明人：米勒馬修J , MILLER, MATTHEW J. , 吉爾森羅伯特J , GEERTSEN, ROBERT J. , 賈斯魯史坦 , JULSRUD, STEIN , 耶爾馬茲塞法 , YILMAZ, SEFA , 迪斯柏德雷蒙 , DESBORDES, RAYMOND
IPC分类号： C01B33/037 , C30B29/06 , C30B33/02
摘要：本發明係關於用於退火粒狀矽以降低該粒狀矽之氫含量的退火裝置及方法之具體實例。該退火裝置包含至少一個管，粒狀矽向下流動穿過該至少一個管。該管包括加熱區及(i)在該加熱區下方的駐留區、(ii)在該加熱區下方的冷卻區、或(iii)在該加熱區下方的駐留區及在該駐留區下方的冷卻區。惰性氣體向上流動穿過該管。該管可由兩個或兩個以上管段構造。該退火裝置可包括平行地佈置並容納在殼體內的複數個管。該退火裝置及方法係適用於連續製程。
简体摘要：本发明系关于用于退火粒状硅以降低该粒状硅之氢含量的退火设备及方法之具体实例。该退火设备包含至少一个管，粒状硅向下流动穿过该至少一个管。该管包括加热区及(i)在该加热区下方的驻留区、(ii)在该加热区下方的冷却区、或(iii)在该加热区下方的驻留区及在该驻留区下方的冷却区。惰性气体向上流动穿过该管。该管可由两个或两个以上管段构造。该退火设备可包括平行地布置并容纳在壳体内的复数个管。该退火设备及方法系适用于连续制程。

5. 发明专利

TW201836016A 用於在退火可流動的，精細分離的固體時降低黏聚的系統审中-公开
简体标题：用于在退火可流动的，精细分离的固体时降低黏聚的系统
公开(公告)号：TW201836016A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW107100649
申请日：2018-01-08
申请人：美商REC多晶矽公司 , REC SILICON INC
发明人：吉爾森羅伯特J , GEERTSEN, ROBERT J. , 米勒馬修J , MILLER, MATTHEW J. , 強森史登賈斯汀 , JOHNSTON, JUSTIN , 賈斯魯史坦 , JULSRUD, STEIN , 耶爾馬茲塞法 , YILMAZ, SEFA
IPC分类号： H01L21/324
摘要：本揭示內容係關於用於退火可流動的、精細分離的固體，諸如退火粒狀矽以降低該粒狀矽之氫含量的退火裝置及方法之實施例。該退火裝置包含至少一個管，可流動的，精細分離的固體向下流動穿過該至少一個管。該管包括加熱區及(i)在該加熱區下方的駐留區、(ii)在該加熱區下方的冷卻區、或(iii)在該加熱區下方的駐留區及在該駐留區下方的冷卻區。惰性氣體向上流動穿過該管。該管可由兩個或兩個以上管段構造。該退火裝置可包括佈置並容納在殼體內的複數個管。該退火裝置及方法係適用於連續製程。
简体摘要：本揭示内容系关于用于退火可流动的、精细分离的固体，诸如退火粒状硅以降低该粒状硅之氢含量的退火设备及方法之实施例。该退火设备包含至少一个管，可流动的，精细分离的固体向下流动穿过该至少一个管。该管包括加热区及(i)在该加热区下方的驻留区、(ii)在该加热区下方的冷却区、或(iii)在该加热区下方的驻留区及在该驻留区下方的冷却区。惰性气体向上流动穿过该管。该管可由两个或两个以上管段构造。该退火设备可包括布置并容纳在壳体内的复数个管。该退火设备及方法系适用于连续制程。

6. 发明专利

TWI687537B 利用熱分解反應器中的反射能來管理溫度分佈的設備及方法有权
简体标题：利用热分解反应器中的反射能来管理温度分布的设备及方法
公开(公告)号：TWI687537B
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：TW104143347
申请日：2015-12-23
申请人：美商REC多晶矽公司 , REC SILICON INC
发明人：措福門提墨西 , TROUTMAN, TIMOTHY , 盧新布萊恩J , LOUSHIN, BRYAN J. , 路雀堤喬 , RUSCHETTI, JOE
IPC分类号： C23C16/24 , C23C16/44 , C23C16/52 , C01B33/02 , F24V40/00

7. 发明专利

TW201815648A 給料機审中-公开
简体标题：给料机
公开(公告)号：TW201815648A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106136349
申请日：2017-10-23
申请人：美商REC多晶矽公司 , REC SILICON INC
发明人：吉爾森羅伯特J , GEERTSEN, ROBERT J.
IPC分类号： B65G47/74 , B65G53/58
摘要：一種可操作來運送分裂固體材料之給料機，其包含導管及致動器。該導管具有中空主體，其具有長度、第一端部、與該第一端部相反的第二端部及沿該長度之至少一部分界定的可位移主體節段。該可位移主體節段具有至少可定位在第一固定位置處的第一可固定位置。該致動器經定位以施加力至該導管且可控制來引起分裂固體材料在大體上自該第一端部至該第二端部延伸的給料方向上之選定流動。亦揭示方法。
简体摘要：一种可操作来运送分裂固体材料之给料机，其包含导管及致动器。该导管具有中空主体，其具有长度、第一端部、与该第一端部相反的第二端部及沿该长度之至少一部分界定的可位移主体节段。该可位移主体节段具有至少可定位在第一固定位置处的第一可固定位置。该致动器经定位以施加力至该导管且可控制来引起分裂固体材料在大体上自该第一端部至该第二端部延伸的给料方向上之选定流动。亦揭示方法。

8. 发明专利

TW201840477A 具黏聚控制的用於粒狀矽退火的方法审中-公开
简体标题：具黏聚控制的用于粒状硅退火的方法
公开(公告)号：TW201840477A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107100648
申请日：2018-01-08
申请人：美商REC多晶矽公司 , REC SILICON INC
发明人：米勒馬修J , MILLER, MATTHEW J. , 吉爾森羅伯特J , GEERTSEN, ROBERT J. , 強森史登賈斯汀 , JOHNSTON, JUSTIN , 賈斯魯史坦 , JULSRUD, STEIN , 耶爾馬茲塞法 , YILMAZ, SEFA
IPC分类号： C01B33/037 , C30B33/02 , C30B29/06
摘要：本發明係關於用於可流動細粉狀固體退火之退火裝置及方法的具體實例，諸如粒狀矽退火以減少該粒狀矽之氫含量。該退火裝置包含至少一個管，可流動細粉狀固體穿過該管向下流動。該管包括加熱區及(i)該加熱區下方之滯留區，(ii)該加熱區下方之冷卻區，或(iii)該加熱區下方之滯留區及該滯留區下方之冷卻區。惰性氣體穿過該管向上流動。該管可由兩個或多於兩個管段建構。該退火裝置可包括複數個配置及容納於殼內的管。該退火裝置及方法適用於連續製程。
简体摘要：本发明系关于用于可流动细粉状固体退火之退火设备及方法的具体实例，诸如粒状硅退火以减少该粒状硅之氢含量。该退火设备包含至少一个管，可流动细粉状固体穿过该管向下流动。该管包括加热区及(i)该加热区下方之滞留区，(ii)该加热区下方之冷却区，或(iii)该加热区下方之滞留区及该滞留区下方之冷却区。惰性气体穿过该管向上流动。该管可由两个或多于两个管段建构。该退火设备可包括复数个配置及容纳于壳内的管。该退火设备及方法适用于连续制程。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式