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1. 发明专利

TW201526207A 三維記憶體审中-公开
简体标题：三维内存
公开(公告)号：TW201526207A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW104110136
申请日：2014-01-24
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：霍普金斯約翰 , HOPKINS, JOHN , 范達爾文法蘭塞達 , FAN, DARWIN FRANSEDA , 席賽克艾吉費瑪馬雅遜 , SIMSEK-EGE, FATMA ARZUM , 布萊登詹姆士 , BRIGHTEN, JAMES , 莫瑞歐瑞里歐吉安卡羅 , MAURI, AURELIO GIANCARLO , 傑亞提史瑞坎特 , JAYANTI, SRIKANT
IPC分类号： H01L27/115 , H01L29/788
CPC分类号： H01L29/7887 , H01L21/28035 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/11582 , H01L29/401 , H01L29/42324 , H01L29/518 , H01L29/66825 , H01L29/7827 , H01L29/7881 , H01L29/7889
摘要：本文大體上討論三維記憶體單元及製造及使用該等記憶體單元之方法。在一或多個實施例中，一三維垂直記憶體可包含一記憶體堆疊。此一記憶體堆疊可包含記憶體單元及介於鄰近記憶體單元之間之一介電質，各記憶體單元包含一控制閘極及一電荷儲存結構。該記憶體單元可進一步包含介於該電荷儲存結構與該控制閘極之間之一障壁材料，該電荷儲存結構及該障壁材料具有一實質上相等之尺寸。
简体摘要：本文大体上讨论三维内存单元及制造及使用该等内存单元之方法。在一或多个实施例中，一三维垂直内存可包含一内存堆栈。此一内存堆栈可包含内存单元及介于邻近内存单元之间之一介电质，各内存单元包含一控制闸极及一电荷存储结构。该内存单元可进一步包含介于该电荷存储结构与该控制闸极之间之一障壁材料，该电荷存储结构及该障壁材料具有一实质上相等之尺寸。

2. 发明专利

TW201820431A 半導體裝置及製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及制造方法
公开(公告)号：TW201820431A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW106135266
申请日：2017-10-16
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：朱宏斌 , ZHU, HONGBIN , 陸振宇 , LU, ZHENYU , 哈勒高登 , HALLER, GORDON , 孫傑 , SUN, JIE , 柯歐蘭帝 J. , KOVAL, RANDY J. , 霍普金斯約翰 , HOPKINS, JOHN
IPC分类号： H01L21/30 , H01L21/77 , H01L29/788
摘要：本發明之一些實施例包含一種具有一堆疊結構之半導體裝置，其包含包括多晶矽之一源極、該源極上之氧化物之一蝕刻終止、該蝕刻終止上之一選擇性閘極源極、該選擇性閘極源極上方之一電荷儲存結構，及該電荷儲存結構上方之一選擇性閘極汲極。該半導體裝置可進一步包含垂直地延伸至該堆疊結構中至鄰近該源極之一階層之一開口。包括多晶矽之一通道可經形成於該開口之一側表面及一底表面上。該通道可接觸在該開口之一下部分處之該源極，且可藉由一穿隧氧化物而自該電荷儲存結構橫向地分離。鄰近該選擇性閘極源極之該通道之一寬度大於鄰近該選擇性閘極汲極之該通道之一寬度。
简体摘要：本发明之一些实施例包含一种具有一堆栈结构之半导体设备，其包含包括多晶硅之一源极、该源极上之氧化物之一蚀刻终止、该蚀刻终止上之一选择性闸极源极、该选择性闸极源极上方之一电荷存储结构，及该电荷存储结构上方之一选择性闸极汲极。该半导体设备可进一步包含垂直地延伸至该堆栈结构中至邻近该源极之一阶层之一开口。包括多晶硅之一信道可经形成于该开口之一侧表面及一底表面上。该信道可接触在该开口之一下部分处之该源极，且可借由一穿隧氧化物而自该电荷存储结构横向地分离。邻近该选择性闸极源极之该信道之一宽度大于邻近该选择性闸极汲极之该信道之一宽度。

3. 发明专利

TW201507168A 於垂直記憶體中之浮動閘極記憶體單元审中-公开
简体标题：于垂直内存中之浮动闸极内存单元
公开(公告)号：TW201507168A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：TW103109314
申请日：2014-03-14
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：丹尼森查理斯H , DENNISON, CHARLES H. , 合田晃 , GODA, AKIRA , 霍普金斯約翰 , HOPKINS, JOHN , 席賽克艾吉費瑪馬雅遜 , SIMSEK-EGE, FATMA ARZUM , 帕拉特奎許納K , PARAT, KRISHNA K.
IPC分类号： H01L29/788 , H01L27/115
CPC分类号： H01L27/11556 , H01L21/28273 , H01L27/11578 , H01L29/66666 , H01L29/66825 , H01L29/66833
摘要：本發明揭示於垂直記憶體中之浮動閘極記憶體單元。一控制閘極形成於一第一介電材料疊層與一第二介電材料疊層之間。一浮動閘極形成於該第一介電材料疊層與該第二介電材料疊層之間，其中該浮動閘極包含朝向該控制閘極延伸之一突出部。一電荷阻擋結構形成於該浮動閘極與該控制閘極之間，其中該電荷阻擋結構之至少一部分包覆該突出部。
简体摘要：本发明揭示于垂直内存中之浮动闸极内存单元。一控制闸极形成于一第一介电材料叠层与一第二介电材料叠层之间。一浮动闸极形成于该第一介电材料叠层与该第二介电材料叠层之间，其中该浮动闸极包含朝向该控制闸极延伸之一突出部。一电荷阻挡结构形成于该浮动闸极与该控制闸极之间，其中该电荷阻挡结构之至少一部分包覆该突出部。

4. 发明专利

TW201442211A 三維記憶體审中-公开
简体标题：三维内存
公开(公告)号：TW201442211A
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW103102815
申请日：2014-01-24
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：霍普金斯約翰 , HOPKINS, JOHN , 范達爾文法蘭塞達 , FAN, DARWIN FRANSEDA , 席賽克艾吉費瑪馬雅遜 , SIMSEK-EGE, FATMA ARZUM , 布萊登詹姆士 , BRIGHTEN, JAMES , 莫瑞歐瑞里歐吉安卡羅 , MAURI, AURELIO GIANCARLO , 傑亞提史瑞坎特 , JAYANTI, SRIKANT
IPC分类号： H01L27/115 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7887 , H01L21/28035 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/11582 , H01L29/401 , H01L29/42324 , H01L29/518 , H01L29/66825 , H01L29/7827 , H01L29/7881 , H01L29/7889
摘要：本文大體上討論三維記憶體單元及製造及使用該等記憶體單元之方法。在一或多個實施例中，一三維垂直記憶體可包含一記憶體堆疊。此一記憶體堆疊可包含記憶體單元及介於鄰近記憶體單元之間之一介電質，各記憶體單元包含一控制閘極及一電荷儲存結構。該記憶體單元可進一步包含介於該電荷儲存結構與該控制閘極之間之一障壁材料，該電荷儲存結構及該障壁材料具有一實質上相等之尺寸。
简体摘要：本文大体上讨论三维内存单元及制造及使用该等内存单元之方法。在一或多个实施例中，一三维垂直内存可包含一内存堆栈。此一内存堆栈可包含内存单元及介于邻近内存单元之间之一介电质，各内存单元包含一控制闸极及一电荷存储结构。该内存单元可进一步包含介于该电荷存储结构与该控制闸极之间之一障壁材料，该电荷存储结构及该障壁材料具有一实质上相等之尺寸。

5. 发明专利

TW201737472A 三維記憶體审中-公开
简体标题：三维内存
公开(公告)号：TW201737472A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW105119785
申请日：2014-01-24
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：霍普金斯約翰 , HOPKINS, JOHN , 范達爾文法蘭塞達 , FAN, DARWIN FRANSEDA , 席賽克艾吉費瑪馬雅遜 , SIMSEK-EGE, FATMA ARZUM , 布萊登詹姆士 , BRIGHTEN, JAMES , 莫瑞歐瑞里歐吉安卡羅 , MAURI, AURELIO GIANCARLO , 傑亞提史瑞坎特 , JAYANTI, SRIKANT
IPC分类号： H01L27/11551 , H01L29/788
CPC分类号： H01L29/7887 , H01L21/28035 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/11582 , H01L29/401 , H01L29/42324 , H01L29/518 , H01L29/66825 , H01L29/7827 , H01L29/7881 , H01L29/7889
摘要：本文大體上討論三維記憶體單元及製造及使用該等記憶體單元之方法。在一或多個實施例中，一三維垂直記憶體可包含一記憶體堆疊。此一記憶體堆疊可包含記憶體單元及介於鄰近記憶體單元之間之一介電質，各記憶體單元包含一控制閘極及一電荷儲存結構。該記憶體單元可進一步包含介於該電荷儲存結構與該控制閘極之間之一障壁材料，該電荷儲存結構及該障壁材料具有一實質上相等之尺寸。
简体摘要：本文大体上讨论三维内存单元及制造及使用该等内存单元之方法。在一或多个实施例中，一三维垂直内存可包含一内存堆栈。此一内存堆栈可包含内存单元及介于邻近内存单元之间之一介电质，各内存单元包含一控制闸极及一电荷存储结构。该内存单元可进一步包含介于该电荷存储结构与该控制闸极之间之一障壁材料，该电荷存储结构及该障壁材料具有一实质上相等之尺寸。

8. 发明专利

TWI666693B 半導體裝置及製造方法有权
简体标题：半导体设备及制造方法
公开(公告)号：TWI666693B
公开(公告)日：2019-07-21
申请号：TW106135266
申请日：2017-10-16
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：朱宏斌 , ZHU, HONGBIN , 陸振宇 , LU, ZHENYU , 哈勒高登 , HALLER, GORDON , 孫傑 , SUN, JIE , 柯歐蘭帝 J. , KOVAL, RANDY J. , 霍普金斯約翰 , HOPKINS, JOHN
IPC分类号： H01L21/30 , H01L21/77 , H01L29/788

9. 发明专利

TWI624069B 於垂直記憶體中之浮動閘極記憶體單元有权
简体标题：于垂直内存中之浮动闸极内存单元
公开(公告)号：TWI624069B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：TW103109314
申请日：2014-03-14
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：丹尼森查理斯H , DENNISON, CHARLES H. , 合田晃 , GODA, AKIRA , 霍普金斯約翰 , HOPKINS, JOHN , 席賽克艾吉費瑪馬雅遜 , SIMSEK-EGE, FATMA ARZUM , 帕拉特奎許納K , PARAT, KRISHNA K.
IPC分类号： H01L29/788 , H01L27/115

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