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1. 发明专利

TWI701935B 用於可攜裝置之折疊裝置架有权
简体标题：用于可携设备之折叠设备架
公开(公告)号：TWI701935B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：TW106108417
申请日：2017-03-14
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：何恩蘇菲亞 , HOEM, SOPHIA , 布威爾衛斯里G , BREWER, WESLEY G.
IPC分类号： H04M1/11 , G06F1/16

2. 发明专利

TW202026937A 記憶體中的單調計數器审中-公开
简体标题：内存中的单调计数器
公开(公告)号：TW202026937A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108136988
申请日：2019-10-15
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：蒙代洛安東尼諾 , MONDELLO, ANTONINO , 托馬約洛方謝可 , TOMAIUOLO, FRANCESCO , 康德米卡蜜蘿 , CONDEMI, CARMELO , 澤里利托馬索 , ZERILLI, TOMMASO
IPC分类号： G06F21/71
摘要：本發明揭示一種裝置(諸如一記憶體(例如一NAND (「反及」)記憶體))，其可具有一控制器、經耦合至該控制器之一揮發性計數器，及經耦合至該控制器之一非揮發性記憶體陣列。該控制器可經組態以每當該計數器之一計數已遞增特定數目個增量時，將除該計數器之該計數之外的資訊寫入該陣列中。計數可為單調、非揮發性及可容許電力損失的。
简体摘要：本发明揭示一种设备(诸如一内存(例如一NAND (“反及”)内存))，其可具有一控制器、经耦合至该控制器之一挥发性计数器，及经耦合至该控制器之一非挥发性内存数组。该控制器可经组态以每当该计数器之一计数已递增特定数目个增量时，将除该计数器之该计数之外的信息写入该数组中。计数可为单调、非挥发性及可容许电力损失的。

3. 发明专利

TWI697911B 裝置、記憶體裝置及電子系統有权
简体标题：设备、内存设备及电子系统
公开(公告)号：TWI697911B
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：TW108114632
申请日：2019-04-26
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：西利士史考特 E , SILLS, SCOTT E. , 貝吉爾科特 D , BEIGEL, KURT D.
IPC分类号： G11C7/08 , G11C7/10 , H01L25/03 , H01L27/02 , G06F12/14

4. 发明专利

TWI696918B 混合式記憶體驅動器，電腦系統，及用於操作多重模式混合式驅動器之相關方法有权
简体标题：混合式内存驱动器，电脑系统，及用于操作多重模式混合式驱动器之相关方法
公开(公告)号：TWI696918B
公开(公告)日：2020-06-21
申请号：TW107130319
申请日：2017-08-03
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：波拉湯瑪士 L , PRATT,THOMAS L.
IPC分类号： G06F12/0831 , G06F13/38

5. 发明专利

TWI696917B 用於共同集用區管理之NAND記憶體裝置、方法及機器可讀媒體有权
简体标题：用于共同集用区管理之NAND内存设备、方法及机器可读媒体
公开(公告)号：TWI696917B
公开(公告)日：2020-06-21
申请号：TW107138635
申请日：2018-10-31
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：譚佩羅吉庫拉齊特 , TANPAIROJ, KULACHET , 珍賽巴斯汀安瑞 , JEAN, SEBASTIEN ANDRE , 黃嘉明 , HUANG, JIANMIN
IPC分类号： G06F12/06

6. 发明专利

TWI695486B 包含不同半導體晶粒之多重堆疊的半導體裝置總成及其製作方法有权
简体标题：包含不同半导体晶粒之多重堆栈的半导体设备总成及其制作方法
公开(公告)号：TWI695486B
公开(公告)日：2020-06-01
申请号：TW107141583
申请日：2018-11-22
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：蘇葛布萊 J , THURGOOD, BLAINE J.
IPC分类号： H01L27/108 , H01L27/11502 , H01L27/11551

7. 发明专利

TWI694453B 各自包括一電容器及一電晶體之記憶單元之陣列及形成此陣列之方法有权
简体标题：各自包括一电容器及一晶体管之记忆单元之数组及形成此数组之方法
公开(公告)号：TWI694453B
公开(公告)日：2020-05-21
申请号：TW108108040
申请日：2019-03-11
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：拉瑪斯瓦米杜來維莎卡尼爾摩 , RAMASWAMY, DURAI VISHAK NIRMAL
IPC分类号： G11C5/02 , H01L23/52 , H01L23/522

8. 发明专利

TWI693697B 包括磷化鎵、氮化鎵及砷化鎵中至少一者之電晶體有权
简体标题：包括磷化镓、氮化镓及砷化镓中至少一者之晶体管
公开(公告)号：TWI693697B
公开(公告)日：2020-05-11
申请号：TW107142159
申请日：2018-11-27
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：拉瑪斯瓦米杜來維莎卡尼爾摩 , RAMASWAMY, DURAI VISHAK NIRMAL
IPC分类号： H01L27/105 , H01L29/78

9. 发明专利

TWI692080B 包含垂直堆疊記憶體單元之整合結構有权
简体标题：包含垂直堆栈内存单元之集成结构
公开(公告)号：TWI692080B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：TW105120814
申请日：2016-06-30
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：劉海濤 , LIU, HAITAO , 毛利錢德拉 , MOULI, CHANDRA , 科維斯尼可夫塞吉 , KOVESHNIKOV, SERGEI , 帕夫洛普洛斯迪米崔歐斯 , PAVLOPOULOS, DIMITRIOS , 黃廣宇 , HUANG, GUANGYU GAVIN
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/02

10. 发明专利

TW202014891A 加強型位元翻轉方案审中-公开
简体标题：加强型比特翻转方案
公开(公告)号：TW202014891A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW108125170
申请日：2019-07-17
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：費肯薩爾李察 E , FACKENTHAL, RICHARD E.
IPC分类号： G06F11/16 , G11C7/24 , G11C29/52
摘要：本發明描述用於使用一加強型位元翻轉方案操作(若干)記憶體胞之方法、系統及裝置。一加強型位元翻轉方案可包含用於以下各者之方法、系統及裝置：在產生指示是否翻轉一對應碼字中之資料位元之一翻轉位元的同時執行一碼字中之資料位元之錯誤校正；抑制執行該碼字中之(若干)反轉位元之錯誤校正；及使用多個反轉位元產生一高可靠性翻轉位元。例如，可藉由判定數個、大多數或全部該等反轉位元是否指示該等資料位元處於一經反轉狀態中而產生更可靠之一翻轉位元。
简体摘要：本发明描述用于使用一加强型比特翻转方案操作(若干)内存胞之方法、系统及设备。一加强型比特翻转方案可包含用于以下各者之方法、系统及设备：在产生指示是否翻转一对应码字中之数据比特之一翻转比特的同时运行一码字中之数据比特之错误校正；抑制运行该码字中之(若干)反转比特之错误校正；及使用多个反转比特产生一高可靠性翻转比特。例如，可借由判定数个、大多数或全部该等反转比特是否指示该等数据比特处于一经反转状态中而产生更可靠之一翻转比特。

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