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1. 发明专利

TWI672588B 操作一記憶體陣列之方法及記憶體裝置有权
简体标题：操作一内存数组之方法及内存设备
公开(公告)号：TWI672588B
公开(公告)日：2019-09-21
申请号：TW107127044
申请日：2018-08-03
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：費肯薩爾李察 E , FACKENTHAL, RICHARD E. , 米爾斯朵恩 R , MILLS, DUANE R.
IPC分类号： G06F12/06 , G11C8/12

2. 发明专利

TW201921255A 按需求之記憶體頁面大小审中-公开
简体标题：按需求之内存页面大小
公开(公告)号：TW201921255A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107129210
申请日：2018-08-22
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：米爾斯朵恩 R , MILLS, DUANE R. , 費肯薩爾李察 E , FACKENTHAL, RICHARD E.
IPC分类号： G06F12/12 , G06F13/14
摘要：本發明描述有關於按需求之記憶體頁面大小之系統、裝置及方法。一記憶體系統可採用支援按需求之可變記憶體頁面大小之一協定。一記憶體系統可包含一或多個非揮發性記憶體裝置，其等可各包含經組態以支援可變記憶體頁面大小操作之一局部記憶體控制器。該記憶體系統可包含介接於該等非揮發性記憶體裝置與一處理器之間之一系統記憶體控制器。該系統記憶體控制器可(例如)使用促進按需求之記憶體頁面大小之一協定，其中用於一操作中之一特定頁面大小之一判定可基於記憶體命令及記憶體命令所涉及之資料之特性。
简体摘要：本发明描述有关于按需求之内存页面大小之系统、设备及方法。一内存系统可采用支持按需求之可变内存页面大小之一协定。一内存系统可包含一或多个非挥发性内存设备，其等可各包含经组态以支持可变内存页面大小操作之一局部内存控制器。该内存系统可包含介接于该等非挥发性内存设备与一处理器之间之一系统内存控制器。该系统内存控制器可(例如)使用促进按需求之内存页面大小之一协定，其中用于一操作中之一特定页面大小之一判定可基于内存命令及内存命令所涉及之数据之特性。

3. 发明专利

TW201911052A 磨損平整审中-公开
简体标题：磨损平整
公开(公告)号：TW201911052A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW107127044
申请日：2018-08-03
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：費肯薩爾李察 E , FACKENTHAL, RICHARD E. , 米爾斯朵恩 R , MILLS, DUANE R.
IPC分类号： G06F12/06 , G11C8/12
摘要：在一實例中，可基於一記憶體陣列之一部分被存取或待存取之頻率來選擇磨損平整該部分。可磨損平整該部分。
简体摘要：在一实例中，可基于一内存数组之一部分被存取或待存取之频率来选择磨损平整该部分。可磨损平整该部分。

4. 发明专利

TW202014891A 加強型位元翻轉方案审中-公开
简体标题：加强型比特翻转方案
公开(公告)号：TW202014891A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW108125170
申请日：2019-07-17
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：費肯薩爾李察 E , FACKENTHAL, RICHARD E.
IPC分类号： G06F11/16 , G11C7/24 , G11C29/52
摘要：本發明描述用於使用一加強型位元翻轉方案操作(若干)記憶體胞之方法、系統及裝置。一加強型位元翻轉方案可包含用於以下各者之方法、系統及裝置：在產生指示是否翻轉一對應碼字中之資料位元之一翻轉位元的同時執行一碼字中之資料位元之錯誤校正；抑制執行該碼字中之(若干)反轉位元之錯誤校正；及使用多個反轉位元產生一高可靠性翻轉位元。例如，可藉由判定數個、大多數或全部該等反轉位元是否指示該等資料位元處於一經反轉狀態中而產生更可靠之一翻轉位元。
简体摘要：本发明描述用于使用一加强型比特翻转方案操作(若干)内存胞之方法、系统及设备。一加强型比特翻转方案可包含用于以下各者之方法、系统及设备：在产生指示是否翻转一对应码字中之数据比特之一翻转比特的同时运行一码字中之数据比特之错误校正；抑制运行该码字中之(若干)反转比特之错误校正；及使用多个反转比特产生一高可靠性翻转比特。例如，可借由判定数个、大多数或全部该等反转比特是否指示该等数据比特处于一经反转状态中而产生更可靠之一翻转比特。

5. 发明专利

TWI644324B 記憶體區段內經由區段獨立之平行存取技術有权
简体标题：内存区段内经由区段独立之平行存取技术
公开(公告)号：TWI644324B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：TW106108062
申请日：2017-03-10
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：費肯薩爾李察 E , FACKENTHAL, RICHARD E.
IPC分类号： G11C8/16 , G11C16/08

6. 发明专利

TW201742068A 記憶體區段內經由區段獨立之平行存取技術审中-公开
简体标题：内存区段内经由区段独立之平行存取技术
公开(公告)号：TW201742068A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW106108062
申请日：2017-03-10
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：費肯薩爾李察 E , FACKENTHAL, RICHARD E.
IPC分类号： G11C8/16 , G11C16/08
CPC分类号： G11C11/2273 , G11C11/221 , G11C11/2257 , G11C11/2293
摘要：一種具有諸如鐵電記憶體單元(混合式RAM (HRAM)單元)等記憶體單元之複數個區段之記憶體裝置可提供對該記憶體裝置之獨立區段內之記憶體單元之同時存取。可啟動一第一記憶體單元，且可判定一第二記憶體單元獨立於該第一記憶體單元。若該第二記憶體單元獨立於該第一記憶體單元，則該第二記憶體單元可在該第一記憶體單元處之操作結束之前被啟動。記憶體區段處之鎖存硬體可鎖存該等記憶體區段處之位址以便允許將一新位址提供至一不同區段以存取該第二記憶體單元。
简体摘要：一种具有诸如铁电内存单元(混合式RAM (HRAM)单元)等内存单元之复数个区段之内存设备可提供对该内存设备之独立区段内之内存单元之同时存取。可启动一第一内存单元，且可判定一第二内存单元独立于该第一内存单元。若该第二内存单元独立于该第一内存单元，则该第二内存单元可在该第一内存单元处之操作结束之前被启动。内存区段处之锁存硬件可锁存该等内存区段处之位址以便允许将一新位址提供至一不同区段以存取该第二内存单元。

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