专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI305951B 連續電鍍製作線路元件之方法及線路元件結構 METHOD FOR FORMING A DOUBLE EMBOSSING STRUCTURE 有权
简体标题：连续电镀制作线路组件之方法及线路组件结构 METHOD FOR FORMING A DOUBLE EMBOSSING STRUCTURE
公开(公告)号：TWI305951B
公开(公告)日：2009-02-01
申请号：TW095126895
申请日：2006-07-24
申请人：米輯電子股份有限公司 MEGICA CORPORATION
发明人：林茂雄 LIN, MOU-SHUING , 羅心榮 LO, HSIN-JUNG , 周秋明 CHOU, CHIU-MING , 周健康 CHOU, CHIEN-KANG
IPC分类号： H01L , H05K
CPC分类号： H01L24/11 , H01L21/2885 , H01L21/3144 , H01L21/31612 , H01L21/3185 , H01L21/76801 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/02166 , H01L2224/0231 , H01L2224/0347 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04073 , H01L2224/05083 , H01L2224/05556 , H01L2224/05567 , H01L2224/05568 , H01L2224/05571 , H01L2224/05644 , H01L2224/1147 , H01L2224/13021 , H01L2224/13023 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2224/45144 , H01L2224/48463 , H01L2224/48644 , H01L2224/48844 , H01L2924/00011 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/10329 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2924/01004
摘要：本發明提供一種形成覆蓋有聚醯亞胺(polyimide,PI)之連續電鍍結構之方法,其係包括(a)提供一半導體基底;(b)在該半導體基底上形成一黏著/阻障層;(c)在該黏著/阻障層上形成複數金屬線路層(metal trace);(d)在該些金屬線路層中選擇一目標區域做為接墊,並在該接墊上形成一金屬層;(e)去除未被覆蓋之該黏著/阻障層;以及(f)形成一聚醯亞胺在該半導體基底上,並暴露出該金屬層。
简体摘要：本发明提供一种形成覆盖有聚酰亚胺(polyimide,PI)之连续电镀结构之方法,其系包括(a)提供一半导体基底;(b)在该半导体基底上形成一黏着/阻障层;(c)在该黏着/阻障层上形成复数金属线路层(metal trace);(d)在该些金属线路层中选择一目标区域做为接垫,并在该接垫上形成一金属层;(e)去除未被覆盖之该黏着/阻障层;以及(f)形成一聚酰亚胺在该半导体基底上,并暴露出该金属层。

2. 发明专利

TW200725690A 奈米碳管線路元件結構及其製程 CABON ALLOTROPY OF CIRCUIT STRUCTURE AND FABRICATION METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：奈米碳管线路组件结构及其制程 CABON ALLOTROPY OF CIRCUIT STRUCTURE AND FABRICATION METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200725690A
公开(公告)日：2007-07-01
申请号：TW095143682
申请日：2006-11-27
申请人：米輯電子股份有限公司 MEGICA CORPORATION
发明人：林茂雄 LIN, MOU-SHIUNG , 周健康 CHOU, CHIEN-KANG , 羅心榮 LO, HSIN-JUNG , 楊秉榮 YANG, PING-JUNG
IPC分类号： H01L , B82B
CPC分类号： H01L24/05 , H01L2224/48463
摘要：本發明提供一種奈米碳管線路元件結構,包括一半導體基底;一細連線結構,位在該半導體基底上,該細連線結構具有至少一接墊;一保護層,位在該細連線結構上,該接墊暴露在該保護層之一開口內;至少一奈米碳管層,位在該細連線結構及該保護層上,該奈米碳管層電連接該接墊。利用導電性奈米碳管作為半導體元件線路之材質,利用奈米碳管導電特性、可撓曲及高强度,使半導體元件的線路更細、更密集。
简体摘要：本发明提供一种奈米碳管线路组件结构,包括一半导体基底;一细连接结构,位在该半导体基底上,该细连接结构具有至少一接垫;一保护层,位在该细连接结构上,该接垫暴露在该保护层之一开口内;至少一奈米碳管层,位在该细连接结构及该保护层上,该奈米碳管层电连接该接垫。利用导电性奈米碳管作为半导体组件线路之材质,利用奈米碳管导电特性、可挠曲及高强度,使半导体组件的线路更细、更密集。

3. 发明专利

TW200741922A 晶片封裝結構及其製作方法 CHIP PACKAGE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 审中-公开
简体标题：芯片封装结构及其制作方法 CHIP PACKAGE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TW200741922A
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：TW096107214
申请日：2007-03-02
申请人：米輯電子股份有限公司 MEGICA CORPORATION
发明人：周健康 CHOU, CHIEN-KANG , 周秋明 CHOU, CHIU-MING , 林立人 LIN, LI-REN , 羅心榮 LO, HSIN-JUNG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/11 , H01L2224/73204 , H01L2924/00012
摘要：本發明係提供一種晶片封裝結構及其製作方法,其係包括一半導體基底,且位在半導體基底上方之一保護層內的一第一開口與一第二開口分別暴露出一第一接墊與一第二接墊,以及一貼帶與一含錫金屬層、一貼帶與一打線導線或一含錫金屬層與一打線導線分別透過第一開口與第二開口連接至第一接墊與第二接墊,或是利用異方性導電膠使第一接墊與一外部電路電性連接,且一含錫金屬層或一打線導線透過第二開口連接至第二接墊。
简体摘要：本发明系提供一种芯片封装结构及其制作方法,其系包括一半导体基底,且位在半导体基底上方之一保护层内的一第一开口与一第二开口分别暴露出一第一接垫与一第二接垫,以及一贴带与一含锡金属层、一贴带与一打线导线或一含锡金属层与一打线导线分别透过第一开口与第二开口连接至第一接垫与第二接垫,或是利用异方性导电胶使第一接垫与一外部电路电性连接,且一含锡金属层或一打线导线透过第二开口连接至第二接垫。

4. 发明专利

TW200741921A 晶片封裝結構及其製作方法 CHIP PACKAGE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 审中-公开
简体标题：芯片封装结构及其制作方法 CHIP PACKAGE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TW200741921A
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：TW096107211
申请日：2007-03-02
申请人：米輯電子股份有限公司 MEGICA CORPORATION
发明人：周健康 CHOU, CHIEN-KANG , 周秋明 CHOU, CHIU-MING , 林立人 LIN, LI-REN , 羅心榮 LO, HSIN-JUNG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/11 , H01L2224/73204 , H01L2924/00012
摘要：本發明係提供一種晶片封裝結構及其製作方法,其係包括一半導體基底,且位在半導體基底上方之一保護層內的一第一開口與一第二開口分別暴露出一第一接墊與一第二接墊,以及一貼帶與一含錫金屬層、一貼帶與一打線導線或一含錫金屬層與一打線導線分別透過第一開口與第二開口連接至第一接墊與第二接墊,或是利用異方性導電膠使第一接墊與一外部電路電性連接,且一含錫金屬層或一打線導線透過第二開口連接至第二接墊。
简体摘要：本发明系提供一种芯片封装结构及其制作方法,其系包括一半导体基底,且位在半导体基底上方之一保护层内的一第一开口与一第二开口分别暴露出一第一接垫与一第二接垫,以及一贴带与一含锡金属层、一贴带与一打线导线或一含锡金属层与一打线导线分别透过第一开口与第二开口连接至第一接垫与第二接垫,或是利用异方性导电胶使第一接垫与一外部电路电性连接,且一含锡金属层或一打线导线透过第二开口连接至第二接垫。

5. 发明专利

TW200735314A 晶片結構及其製程审中-公开
简体标题：芯片结构及其制程
公开(公告)号：TW200735314A
公开(公告)日：2007-09-16
申请号：TW096100892
申请日：2003-05-27
申请人：米輯電子股份有限公司 MEGICA CORPORATION
发明人：周健康 CHOU, CHIEN-KANG , 周秋明 CHOU, CHIU-MING , 林立人 LIN, LI-REN , 林鉅富 LIN, CHU-FU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/11
摘要：一種晶片結構,其主要係由基材、打線焊接墊,以及焊料焊接墊所構成。其中,基材上具有多個焊墊以及一保護層,焊墊之材質例如為銅、鋁、鋁合金等,而保護層覆蓋於基材表面,且具有多個開口以將焊墊暴露。打線焊接墊係配置於保護層之開口所暴露出的部份焊墊上,而焊料焊接墊則配置於未被打線焊接墊覆蓋之焊墊上。承上述,本發明在打線焊接墊以及焊料焊接墊上包括形成金凸塊以及焊料凸塊。另外,本發明亦提出上述晶圓的製造方法。
简体摘要：一种芯片结构,其主要系由基材、打线焊接垫,以及焊料焊接垫所构成。其中,基材上具有多个焊垫以及一保护层,焊垫之材质例如为铜、铝、铝合金等,而保护层覆盖于基材表面,且具有多个开口以将焊垫暴露。打线焊接垫系配置于保护层之开口所暴露出的部份焊垫上,而焊料焊接垫则配置于未被打线焊接垫覆盖之焊垫上。承上述,本发明在打线焊接垫以及焊料焊接垫上包括形成金凸块以及焊料凸块。另外,本发明亦提出上述晶圆的制造方法。

6. 发明专利

TWI312169B 線路元件之製程及其結構 CHIP STRUCTURE AND PROCESS FOR FORMING THE SAME 失效
简体标题：线路组件之制程及其结构 CHIP STRUCTURE AND PROCESS FOR FORMING THE SAME
公开(公告)号：TWI312169B
公开(公告)日：2009-07-11
申请号：TW095118566
申请日：2006-05-25
申请人：米輯電子股份有限公司 MEGICA CORPORATION
发明人：林茂雄 LIN, MOU-SHIUNG , 周秋明 CHOU, CHIU-MING , 周健康 CHOU, CHIEN-KANG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/5283 , H01L23/5227 , H01L23/5286 , H01L23/53238 , H01L23/53252 , H01L23/5329 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2224/02166 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05556 , H01L2224/13022 , H01L2224/48463 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種線路元件之製程及其結構,在一半導體晶片上設置一層細連線結構及一層(或多層)之圖案化金屬層,此圖案化金屬層藉由選擇性電鍍技術形成在細連線結構上,此線路元件結構係應用在長距離線路、時脈、驅動單元及接地滙流排上,也可應用在高品質係數(Q値)的誘導器(inductors)及分流線路(bypass lines),而此種細連線結構結合多層圖案化金屬層不僅是大幅增加半導體晶片的速度,也大幅降低低電源IC元件之IC金屬連接線路之阻抗及荷載。
简体摘要：本发明提供一种线路组件之制程及其结构,在一半导体芯片上设置一层细连接结构及一层(或多层)之图案化金属层,此图案化金属层借由选择性电镀技术形成在细连接结构上,此线路组件结构系应用在长距脱机路、时脉、驱动单元及接地汇流排上,也可应用在高品质系数(Q値)的诱导器(inductors)及分流线路(bypass lines),而此种细连接结构结合多层图案化金属层不仅是大幅增加半导体芯片的速度,也大幅降低低电源IC组件之IC金属连接线路之阻抗及荷载。

7. 发明专利

TWI308785B 晶片結構及其製作方法 CHIP STRUCTURE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 有权
简体标题：芯片结构及其制作方法 CHIP STRUCTURE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TWI308785B
公开(公告)日：2009-04-11
申请号：TW094133248
申请日：2005-09-23
申请人：米輯電子股份有限公司 MEGICA CORPORATION
发明人：林茂雄 LIN, MOU-SHIUNG , 周健康 CHOU, CHIEN-KANG , 羅心榮 LO, HSIN-JUNG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/16225 , H01L2924/15174 , H01L2924/15311
摘要：本發明針對高性能積體電路提供一後護層(post-passivation)之頂層金屬結構。積體電路包括半導體基底、一薄膜金屬結構、一保護層及一頂層金屬結構。半導體元件係形成在半導體基底內,薄膜金屬結構包括細金屬內連線連接到半導體元件上,且有一保護層形成於其上。保護層內之開孔可以暴露出細金屬內連線之連接墊。頂層金屬結構形成於保護層上,且連接到細金屬內連線,此頂層金屬結構包括頂層金屬線路,其厚度及寬度遠大於保護層下之細金屬內連線。藉由頂層金屬結構可以使保護層下之薄膜金屬結構的多個部份連接。保護層上的頂層金屬結構之電阻電容乘積値比如係遠小於保護層下之薄膜金屬結構之電阻電容乘積値。
简体摘要：本发明针对高性能集成电路提供一后护层(post-passivation)之顶层金属结构。集成电路包括半导体基底、一薄膜金属结构、一保护层及一顶层金属结构。半导体组件系形成在半导体基底内,薄膜金属结构包括细金属内连接连接到半导体组件上,且有一保护层形成于其上。保护层内之开孔可以暴露出细金属内连接之连接垫。顶层金属结构形成于保护层上,且连接到细金属内连接,此顶层金属结构包括顶层金属线路,其厚度及宽度远大于保护层下之细金属内连接。借由顶层金属结构可以使保护层下之薄膜金属结构的多个部份连接。保护层上的顶层金属结构之电阻电容乘积値比如系远小于保护层下之薄膜金属结构之电阻电容乘积値。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式