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1. 发明专利

TWI525773B 配線構造、薄膜電晶體基板及其製造方法以及顯示裝置有权
简体标题：配线构造、薄膜晶体管基板及其制造方法以及显示设备
公开(公告)号：TWI525773B
公开(公告)日：2016-03-11
申请号：TW098122648
申请日：2009-07-03
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
发明人：川上信之 , KAWAKAMI, NOBUYUKI , 福間信也 , FUKUMA, SHINYA , 三木綾 , MIKI, AYA , 越智元隆 , OCHI, MOTOTAKA , 森田晉也 , MORITA, SHINYA , 橫田嘉宏 , YOKOTA, YOSHIHIRO , 後藤裕史 , GOTO, HIROSHI
IPC分类号： H01L23/52 , H01L21/786
CPC分类号： H01L23/53238 , G02F1/136286 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , H01L21/28525 , H01L21/76843 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

2. 发明专利

TWI513982B 電氣接點構件及檢查用連接裝置有权
简体标题：电气接点构件及检查用连接设备
公开(公告)号：TWI513982B
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：TW102146066
申请日：2013-12-13
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
发明人：平野貴之 , HIRANO, TAKAYUKI , 川上信之 , KAWAKAMI, NOBUYUKI
IPC分类号： G01R1/067 , H01H1/06 , C23C14/06
CPC分类号： G01R1/06755 , C23C14/06 , G01R1/0416 , G01R1/06738 , G01R3/00 , G01R31/2886 , H01H1/027 , H01H1/06 , H01H2300/036 , H01R13/03

3. 发明专利

TWI478349B 薄膜電晶體基板及顯示裝置有权
简体标题：薄膜晶体管基板及显示设备
公开(公告)号：TWI478349B
公开(公告)日：2015-03-21
申请号：TW098101860
申请日：2009-01-16
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
发明人：越智元隆 , OCHI, MOTOTAKA , 川上信之 , KAWAKAMI, NOBUYUKI , 富久勝文 , TOMIHISA, KATSUFUMI , 後藤裕史 , GOTO, HIROSHI
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/43 , G02F1/1368
CPC分类号： H01L29/458

4. 发明专利

TW201534892A 氧化物半導體薄膜之評估方法及氧化物半導體薄膜之品質管理方法以及上述評估方法所使用的評估元件及評估裝置审中-公开
简体标题：氧化物半导体薄膜之评估方法及氧化物半导体薄膜之品质管理方法以及上述评估方法所使用的评估组件及评估设备
公开(公告)号：TW201534892A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW103141979
申请日：2014-12-03
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
发明人：林和志 , HAYASHI, KAZUSHI , 川上信之 , KAWAKAMI, NOBUYUKI , 三木綾 , MIKI, AYA , 釘宮敏洋 , KUGIMIYA, TOSHIHIRO
IPC分类号： G01N21/62 , G01N21/63 , G01N22/00 , G01R31/26
CPC分类号： G01N22/00 , G01N21/63 , G01N21/8422 , G01N27/04 , H01L22/12 , H01L22/14 , H01L29/7869
摘要：本發明係提供正確且簡便地測量氧化物半導體薄膜之電阻率，並予以評估‧預測‧推算之方法，及氧化物半導體之品質管理方法。與本發明有關之氧化物半導體薄膜之評估方法包含：第1工程，其係對形成有氧化物半導體薄膜之試料照射激發光及微波，測量藉由照射上述激發光而變化的上述微波從上述氧化物半導體薄膜而來的反射波之最大值之後，停止照射上述激發光，並測量停止照射上述激發光之後的上述微波從上述氧化物半導體薄膜而來的反射波之反射率之變化；和第2工程，其係從上述反射率之變化算出與停止照射激發光之後可見的緩慢衰減對應的參數，並評估上述氧化物半導體薄膜之電阻率。
简体摘要：本发明系提供正确且简便地测量氧化物半导体薄膜之电阻率，并予以评估‧预测‧推算之方法，及氧化物半导体之品质管理方法。与本发明有关之氧化物半导体薄膜之评估方法包含：第1工程，其系对形成有氧化物半导体薄膜之试料照射激发光及微波，测量借由照射上述激发光而变化的上述微波从上述氧化物半导体薄膜而来的反射波之最大值之后，停止照射上述激发光，并测量停止照射上述激发光之后的上述微波从上述氧化物半导体薄膜而来的反射波之反射率之变化；和第2工程，其系从上述反射率之变化算出与停止照射激发光之后可见的缓慢衰减对应的参数，并评估上述氧化物半导体薄膜之电阻率。

5. 发明专利

TWI413252B 配線構造、薄膜電晶體基板及其製造方法、以及顯示裝置有权
简体标题：配线构造、薄膜晶体管基板及其制造方法、以及显示设备
公开(公告)号：TWI413252B
公开(公告)日：2013-10-21
申请号：TW098113003
申请日：2009-04-20
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
发明人：福間信也 , FUKUMA, SHINYA , 川上信之 , KAWAKAMI, NOBUYUKI , 越智元隆 , OCHI, MOTOTAKA , 森田晉也 , MORITA, SHINYA , 三木綾 , MIKI, AYA , 後藤裕史 , GOTO, HIROSHI , 橫田嘉宏 , YOKOTA, YOSHIHIRO
IPC分类号： H01L29/40 , H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/26506 , H01L21/2236 , H01L21/76829 , H01L21/76838 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/66575 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

6. 发明专利

TWI652749B 薄膜電晶體評價用的積層體的品質評價方法、及氧化物半導體薄膜的品質管理方法有权
简体标题：薄膜晶体管评价用的积层体的品质评价方法、及氧化物半导体薄膜的品质管理方法
公开(公告)号：TWI652749B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：TW104120622
申请日：2015-06-26
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
发明人：林和志 , HAYASHI, KAZUSHI , 三木綾 , MIKI, AYA , 川上信之 , KAWAKAMI, NOBUYUKI
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/786

7. 发明专利

TW201716624A 使用矽原料的成膜裝置审中-公开
简体标题：使用硅原料的成膜设备
公开(公告)号：TW201716624A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW105129015
申请日：2016-09-08
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
发明人：奈良井哲 , NARAI, AKIRA , 川上信之 , KAWAKAMI, NOBUYUKI , 慈幸範洋 , JIKO, NORIHIRO
IPC分类号： C23C16/52 , C23C16/455 , C23C16/42
摘要：本發明提供一種成膜裝置，其在成為試樣的基材上形成薄膜層，成膜裝置的特徵在於：具有具備試樣保持機構及排氣機構的反應室，反應室包括：原料供給部件，將矽原料與氧化性氣體混合；能量供給部件，施加能量使矽原料氧化而形成薄膜層；以及未反應的原料回收部件，使未反應的原料在排氣機構中分解或者吸附於分解物上；並且矽原料為含有矽、氧及碳的至少一種有機化合物，以在將矽原料1分子化學計量性地完全氧化的情況下所生成的全氧化物的合計分子數A與矽原料中所含的矽的原子數B滿足（A-B）/B≦6.75的關係的方式來調整供給量。
简体摘要：本发明提供一种成膜设备，其在成为试样的基材上形成薄膜层，成膜设备的特征在于：具有具备试样保持机构及排气机构的反应室，反应室包括：原料供给部件，将硅原料与氧化性气体混合；能量供给部件，施加能量使硅原料氧化而形成薄膜层；以及未反应的原料回收部件，使未反应的原料在排气机构中分解或者吸附于分解物上；并且硅原料为含有硅、氧及碳的至少一种有机化合物，以在将硅原料1分子化学计量性地完全氧化的情况下所生成的全氧化物的合计分子数A与硅原料中所含的硅的原子数B满足（A-B）/B≦6.75的关系的方式来调整供给量。

8. 发明专利

TWI569003B 氧化物半導體薄膜之評估方法及氧化物半導體薄膜之品質管理方法以及上述評估方法所使用的評估元件及評估裝置有权
简体标题：氧化物半导体薄膜之评估方法及氧化物半导体薄膜之品质管理方法以及上述评估方法所使用的评估组件及评估设备
公开(公告)号：TWI569003B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW103141979
申请日：2014-12-03
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
发明人：林和志 , HAYASHI, KAZUSHI , 川上信之 , KAWAKAMI, NOBUYUKI , 三木綾 , MIKI, AYA , 釘宮敏洋 , KUGIMIYA, TOSHIHIRO
IPC分类号： G01N21/62 , G01N21/63 , G01N22/00 , G01R31/26
CPC分类号： G01N22/00 , G01N21/63 , G01N21/8422 , G01N27/04 , H01L22/12 , H01L22/14 , H01L29/7869

9. 发明专利

TWI552233B 氧化物半導體薄膜、及於前述氧化物半導體薄膜的表面具有保護膜的積層體的品質評價方法、及氧化物半導體薄膜的品質管理方法有权
简体标题：氧化物半导体薄膜、及于前述氧化物半导体薄膜的表面具有保护膜的积层体的品质评价方法、及氧化物半导体薄膜的品质管理方法
公开(公告)号：TWI552233B
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW104122850
申请日：2015-07-15
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
发明人：川上信之 , KAWAKAMI, NOBUYUKI , 林和志 , HAYASHI, KAZUSHI , 釘宮敏洋 , KUGIMIYA, TOSHIHIRO , 越智元隆 , OCHI, MOTOTAKA
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/66 , H01L29/786
CPC分类号： H01L22/12 , G01R31/2656 , H01L22/14 , H01L27/14649 , H01L27/1465 , H01L29/41733 , H01L29/66969 , H01L29/7869

10. 发明专利

TW201614737A 氧化物半導體薄膜、及於前述氧化物半導體薄膜的表面具有保護膜的積層體的品質評價方法、及氧化物半導體薄膜的品質管理方法审中-公开
简体标题：氧化物半导体薄膜、及于前述氧化物半导体薄膜的表面具有保护膜的积层体的品质评价方法、及氧化物半导体薄膜的品质管理方法
公开(公告)号：TW201614737A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW104122850
申请日：2015-07-15
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
发明人：川上信之 , KAWAKAMI, NOBUYUKI , 林和志 , HAYASHI, KAZUSHI , 釘宮敏洋 , KUGIMIYA, TOSHIHIRO , 越智元隆 , OCHI, MOTOTAKA
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/66 , H01L29/786
CPC分类号： H01L22/12 , G01R31/2656 , H01L22/14 , H01L27/14649 , H01L27/1465 , H01L29/41733 , H01L29/66969 , H01L29/7869
摘要：本發明提供一種可準確且簡便地對氧化物半導體薄膜、及於該氧化物半導體薄膜的表面具有保護膜的積層體的品質以及氧化物半導體薄膜的品質管理方法進行評價的方法。本發明是一種氧化物半導體薄膜、及於所述氧化物半導體薄膜的表面具有保護膜的積層體的品質評價方法，包括：第1步驟，於基板上形成氧化物半導體薄膜之後，藉由接觸式方法或非接觸式方法來測定所述氧化物半導體薄膜的電子狀態，藉此來評價因所述氧化物半導體薄膜的膜中缺陷引起的不良；以及第2步驟，在根據基於所述評價所決定的條件而經處理的氧化物半導體薄膜的表面形成保護膜之後，藉由接觸式方法或非接觸式方法來測定所述氧化物半導體薄膜的電子狀態，藉此來評價因所述氧化物半導體薄膜與所述保護膜的界面缺陷引起的不良。
简体摘要：本发明提供一种可准确且简便地对氧化物半导体薄膜、及于该氧化物半导体薄膜的表面具有保护膜的积层体的品质以及氧化物半导体薄膜的品质管理方法进行评价的方法。本发明是一种氧化物半导体薄膜、及于所述氧化物半导体薄膜的表面具有保护膜的积层体的品质评价方法，包括：第1步骤，于基板上形成氧化物半导体薄膜之后，借由接触式方法或非接触式方法来测定所述氧化物半导体薄膜的电子状态，借此来评价因所述氧化物半导体薄膜的膜中缺陷引起的不良；以及第2步骤，在根据基于所述评价所决定的条件而经处理的氧化物半导体薄膜的表面形成保护膜之后，借由接触式方法或非接触式方法来测定所述氧化物半导体薄膜的电子状态，借此来评价因所述氧化物半导体薄膜与所述保护膜的界面缺陷引起的不良。

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