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1. 发明专利

TW443017B 背靠背式雙波長半導體雷射元件失效
简体标题：背靠背式双波长半导体激光组件
公开(公告)号：TW443017B
公开(公告)日：2001-06-23
申请号：TW089100443
申请日：2000-01-12
申请人：洪儒菘 , 林浩雄
发明人：洪儒菘 , 林浩雄
IPC分类号： H01S
摘要：一種背靠背式雙波長半導體雷射元件，依序包括有:基底、第一包覆層、第一波導層、第一活性層、第二波導層、第二包覆層、第一接觸層、位於第一接觸層上方並覆蓋部份該第一接觸層之第三包覆層、第三波導層、第二活性層、第四波導層、第四包覆層、以及第二接觸層。其中,第一接觸層、第二接觸層與基底係均為偏壓平面。當第二接觸層與基底形成偏壓時，第二活性層發光;而當第一接觸層與基底形成偏壓時，第一活性層發光。
简体摘要：一种背靠背式双波长半导体激光组件，依序包括有:基底、第一包覆层、第一波导层、第一活性层、第二波导层、第二包覆层、第一接触层、位于第一接触层上方并覆盖部份该第一接触层之第三包覆层、第三波导层、第二活性层、第四波导层、第四包覆层、以及第二接触层。其中,第一接触层、第二接触层与基底系均为偏压平面。当第二接触层与基底形成偏压时，第二活性层发光;而当第一接触层与基底形成偏压时，第一活性层发光。

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