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1. 发明公开

CN107665919A 半导体元件有权
公开(公告)号：CN107665919A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201710624530.7
申请日：2017-07-27
申请人：台湾积体电路制造股份有限公司 , 林浩雄
发明人：杨哲维 , 林浩雄 , 潘正圣
IPC分类号： H01L29/06
CPC分类号： H01L29/7849 , H01L21/02381 , H01L21/02546 , H01L21/02603 , H01L21/02639 , H01L21/26506 , H01L21/324 , H01L29/0676 , H01L29/1037 , H01L29/1054 , H01L29/267 , H01L29/36 , H01L29/66522 , H01L29/66568 , H01L29/66795 , H01L29/7842 , H01L29/7843 , H01L29/785 , H01L29/0657 , H01L29/0603
摘要：一种半导体元件，包括自基板突出的半导体鳍片、半导体鳍片上方的栅极电极、半导体鳍片与栅极电极之间的栅极绝缘层、半导体鳍片的相对侧上设置的源极区域与漏极区域、源极区域与漏极区域之间的区域中所形成的第一应力源。第一应力源包括一种选自由He、Ne及Ga组成的群组的材料。

2. 发明授权

CN107665919B 半导体元件及半导体元件的制造方法有权
公开(公告)号：CN107665919B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201710624530.7
申请日：2017-07-27
申请人：台湾积体电路制造股份有限公司 , 林浩雄
发明人：杨哲维 , 林浩雄 , 潘正圣
IPC分类号： H01L29/06
摘要：一种半导体元件，包括自基板突出的半导体鳍片、半导体鳍片上方的栅极电极、半导体鳍片与栅极电极之间的栅极绝缘层、半导体鳍片的相对侧上设置的源极区域与漏极区域、源极区域与漏极区域之间的区域中所形成的第一应力源。第一应力源包括一种选自由He、Ne及Ga组成的群组的材料。

3. 发明公开

CN110277449A 半导体结构无效
公开(公告)号：CN110277449A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201811083332.5
申请日：2018-09-17
申请人：台湾积体电路制造股份有限公司 , 林浩雄
发明人：杨哲维 , 林浩雄
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/45
摘要：本揭示叙述半导体装置例如晶体管，其包括位于基板上方、作为通道区的薄的半导金属层。此薄的半导金属层具有能隙开口并表现出半导体性质。所述的半导体装置包括源极/漏极区，此源极/漏极区包括较厚的半导金属层，位于作为通道区的薄的半导金属层上方。此较厚的半导金属层表现出金属性质。用于源极/漏极区的半导金属包括相同于或相似于通道区的半导金属的半导金属材料。

4. 发明公开

CN109326520A 半导体装置的制造方法无效
公开(公告)号：CN109326520A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201810731569.3
申请日：2018-07-05
申请人：台湾积体电路制造股份有限公司 , 林浩雄
发明人：杨哲维 , 林浩雄
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/28 , H01L21/768 , H01L21/336
摘要：一种半导体装置的制造方法，包括形成源极区域、漏极区域、以及覆盖源极区域与漏极区域之间的通道区域的栅极介电层和栅极电极，形成绝缘层于源极区域、漏极区域、以及栅极电极之上，形成穿过绝缘层并分别暴露出源极区域的一部分、漏极区域的一部分、以及栅极电极的一部分的第一通孔、第二通孔、以及第三通孔，形成源极接触件于第一通孔中以电性连接源极区域，形成漏极接触件于第二通孔中以电性连接漏极区域，以及形成栅极接触件于第三通孔中以电性连接栅极电极。第一通孔、第二通孔、以及第三通孔中的一个或多个是通过聚焦离子束的离子轰击并且随后进行热退火制程，从而去除绝缘层的一部分来形成。

5. 发明公开

CN109216457A 半导体元件无效
公开(公告)号：CN109216457A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201711331673.5
申请日：2017-12-06
申请人：台湾积体电路制造股份有限公司 , 林浩雄
发明人：杨哲维 , 林浩雄 , 潘正圣
IPC分类号： H01L29/78
摘要：一种半导体元件，包括从基材突出的半导体鳍、在半导体鳍上方的栅电极、在半导体鳍与栅电极之间的栅极绝缘层、设置在半导体鳍的相对侧面上的源极及漏极区域、在源极及漏极区域之间的区域中形成的第一应力物。第一应力物是包括于渐变深度形成的多个渐变部分的渐变的应变应力物。第一应力物经配置以产生渐变的压缩应力或渐变的拉伸应力之一。

6. 发明专利

TW443017B 背靠背式雙波長半導體雷射元件失效
简体标题：背靠背式双波长半导体激光组件
公开(公告)号：TW443017B
公开(公告)日：2001-06-23
申请号：TW089100443
申请日：2000-01-12
申请人：洪儒菘 , 林浩雄
发明人：洪儒菘 , 林浩雄
IPC分类号： H01S
摘要：一種背靠背式雙波長半導體雷射元件，依序包括有:基底、第一包覆層、第一波導層、第一活性層、第二波導層、第二包覆層、第一接觸層、位於第一接觸層上方並覆蓋部份該第一接觸層之第三包覆層、第三波導層、第二活性層、第四波導層、第四包覆層、以及第二接觸層。其中,第一接觸層、第二接觸層與基底係均為偏壓平面。當第二接觸層與基底形成偏壓時，第二活性層發光;而當第一接觸層與基底形成偏壓時，第一活性層發光。
简体摘要：一种背靠背式双波长半导体激光组件，依序包括有:基底、第一包覆层、第一波导层、第一活性层、第二波导层、第二包覆层、第一接触层、位于第一接触层上方并覆盖部份该第一接触层之第三包覆层、第三波导层、第二活性层、第四波导层、第四包覆层、以及第二接触层。其中,第一接触层、第二接触层与基底系均为偏压平面。当第二接触层与基底形成偏压时，第二活性层发光;而当第一接触层与基底形成偏压时，第一活性层发光。

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