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2. 发明专利

TW201907476A 蝕刻多孔質膜之方法审中-公开
简体标题：蚀刻多孔质膜之方法
公开(公告)号：TW201907476A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107116658
申请日：2018-05-16
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , 法商液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司 , L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE , 奧爾良大學 , UNIVERSITE D'ORLEANS , 法國國家科學研究中心 , CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE
发明人：田原慈 , TAHARA, SHIGERU , 占部継一郎 , URABE, KEIICHIRO , 沈鵬 , SHEN, PENG , 杜薩拉特克里斬均 , DUSSARRAT, CHRISTIAN , 德馬尼佛珍法蘭西司 , DE MARNEFFE, JEAN-FRANCOIS , 杜莎雷米 , DUSSART, REMI , 堤洛雪湯瑪士 , TILLOCHER, THOMAS
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/768
摘要：一實施形態之方法包括如下步驟：(i)對腔室供給第1氣體，第1氣體為全氟四乙二醇二甲醚氣體；及(ii)與供給第1氣體之步驟同時地、或於供給第1氣體之步驟後，為了蝕刻多孔質膜而生成該多孔質膜之蝕刻用之第2氣體之電漿。腔室內之第1氣體之分壓、或對腔室僅供給第1氣體時之腔室內之第1氣體之壓力於供給第1氣體之步驟之執行中之被加工物之溫度下，高於在多孔質膜內產生第1氣體之毛細凝結之臨界壓力，且低於第1氣體之飽和蒸氣壓。
简体摘要：一实施形态之方法包括如下步骤：(i)对腔室供给第1气体，第1气体为全氟四乙二醇二甲醚气体；及(ii)与供给第1气体之步骤同时地、或于供给第1气体之步骤后，为了蚀刻多孔质膜而生成该多孔质膜之蚀刻用之第2气体之等离子。腔室内之第1气体之分压、或对腔室仅供给第1气体时之腔室内之第1气体之压力于供给第1气体之步骤之运行中之被加工物之温度下，高于在多孔质膜内产生第1气体之毛细凝结之临界压力，且低于第1气体之饱和蒸气压。

3. 发明专利

TWI684219B 被處理體之處理方法有权
简体标题：被处理体之处理方法
公开(公告)号：TWI684219B
公开(公告)日：2020-02-01
申请号：TW105111424
申请日：2016-04-13
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：田原慈 , TAHARA, SHIGERU , 西村榮一 , NISHIMURA, EIICHI
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/02 , H01J37/32

4. 发明专利

TWI694481B 處理被處理體之方法有权
简体标题：处理被处理体之方法
公开(公告)号：TWI694481B
公开(公告)日：2020-05-21
申请号：TW105135471
申请日：2016-11-02
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：田原慈 , TAHARA, SHIGERU
IPC分类号： H01J37/32

5. 发明专利

TWI686862B 多孔質膜之蝕刻方法有权
简体标题：多孔质膜之蚀刻方法
公开(公告)号：TWI686862B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW105111422
申请日：2016-04-13
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：田原慈 , TAHARA, SHIGERU , 西村榮一 , NISHIMURA, EIICHI , 巴克拉諾福米可海爾 , BAKLANOV, MIKHAIL , 張立平 , ZHANG, LIPING , 德馬尼佛珍法蘭西司 , DE MARNEFFE, JEAN-FRANCOIS
IPC分类号： H01L21/3065

6. 发明专利

TWI674597B 蝕刻磁性層之方法有权
简体标题：蚀刻磁性层之方法
公开(公告)号：TWI674597B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：TW105107284
申请日：2016-03-10
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：田原慈 , TAHARA, SHIGERU , 西村榮一 , NISHIMURA, EIICHI
IPC分类号： H01F41/14 , H01L21/3065

7. 发明专利

TW201907442A 電漿處理裝置、處理系統及蝕刻多孔質膜之方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备、处理系统及蚀刻多孔质膜之方法
公开(公告)号：TW201907442A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107116586
申请日：2018-05-16
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：田原慈 , TAHARA, SHIGERU
IPC分类号： H01J37/32 , H05H1/46
摘要：一實施形態之電漿處理裝置具備腔室本體、載台、氣體供給系統、及電漿生成部。腔室本體提供其內部空間作為腔室。載台係設置於腔室內。於載台形成有冷媒用流路。氣體供給系統係以對腔室供給於多孔質膜內產生毛細凝結之第1氣體、及多孔質膜之蝕刻用之第2氣體之方式構成。電漿生成部係以生成要供給至腔室之氣體之電漿之方式構成。氣體供給系統提供將第2氣體之來源連接於腔室之第1流路、將第1氣體之來源連接於第1流路之第2流路、及將排氣裝置連接於第2流路之第3流路。
简体摘要：一实施形态之等离子处理设备具备腔室本体、载台、气体供给系统、及等离子生成部。腔室本体提供其内部空间作为腔室。载台系设置于腔室内。于载台形成有冷媒用流路。气体供给系统系以对腔室供给于多孔质膜内产生毛细凝结之第1气体、及多孔质膜之蚀刻用之第2气体之方式构成。等离子生成部系以生成要供给至腔室之气体之等离子之方式构成。气体供给系统提供将第2气体之来源连接于腔室之第1流路、将第1气体之来源连接于第1流路之第2流路、及将排气设备连接于第2流路之第3流路。

8. 发明专利

TW201802937A 蝕刻銅層之方法审中-公开
简体标题：蚀刻铜层之方法
公开(公告)号：TW201802937A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106119208
申请日：2017-06-09
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：田原慈 , TAHARA, SHIGERU , 浦山大介 , URAYAMA, DAISUKE , 松本賢治 , MATSUMOTO, KENJI , 三好秀典 , MIYOSHI, HIDENORI
IPC分类号： H01L21/3065 , C23F1/12
摘要：本發明之一實施形態之蝕刻銅層之方法MT係對晶圓W中所含且含有銅之被蝕刻層EL進行蝕刻之方法。晶圓W具備被蝕刻層EL及設置於被蝕刻層EL上之遮罩MK。方法MT係反覆執行程序SQ而對被蝕刻層EL進行蝕刻，該程序SQ包含：第1步驟，其係於收容有晶圓W之電漿處理裝置10之處理容器12內產生第1氣體之電漿；第2步驟，其係於處理容器12內產生第2氣體之電漿；及第3步驟，其係於處理容器12內產生第3氣體之電漿。第1氣體含有碳氫氣體，第2氣體含有稀有氣體、或稀有氣體與氫氣之混合氣體之任一者，第3氣體含有氫氣。
简体摘要：本发明之一实施形态之蚀刻铜层之方法MT系对晶圆W中所含且含有铜之被蚀刻层EL进行蚀刻之方法。晶圆W具备被蚀刻层EL及设置于被蚀刻层EL上之遮罩MK。方法MT系反复运行进程SQ而对被蚀刻层EL进行蚀刻，该进程SQ包含：第1步骤，其系于收容有晶圆W之等离子处理设备10之处理容器12内产生第1气体之等离子；第2步骤，其系于处理容器12内产生第2气体之等离子；及第3步骤，其系于处理容器12内产生第3气体之等离子。第1气体含有碳氢气体，第2气体含有稀有气体、或稀有气体与氢气之混合气体之任一者，第3气体含有氢气。

9. 发明专利

TWI399808B 蝕刻方法及蝕刻裝置有权
简体标题：蚀刻方法及蚀刻设备
公开(公告)号：TWI399808B
公开(公告)日：2013-06-21
申请号：TW095110091
申请日：2006-03-23
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：田原慈 , TAHARA, SHIGERU , 西野雅 , NISHINO, MASARU
IPC分类号： H01L21/3065 , C23F1/12

10. 发明专利

TW201308428A 堆積物去除方法审中-公开
简体标题：堆积物去除方法
公开(公告)号：TW201308428A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW101116604
申请日：2012-05-10
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：田原慈 , TAHARA, SHIGERU , 西村榮一 , NISHIMURA, EIICHI , 富田寬 , TOMITA, HIROSHI , 大岩德久 , OHIWA, TOKUHISA , 大口壽史 , OKUCHI, HISASHI , 大村光廣 , OMURA, MITSUHIRO
IPC分类号： H01L21/311
CPC分类号： B05D3/145 , H01L21/02057 , H01L21/02063 , H01L21/31116
摘要：本發明提供一種堆積物去除方法，係無關於蝕刻處理後的放置時間長短，可有效率地去除堆積物，並且，可抑制對於圖案中之構造物的二氧化矽所造成的損傷。該堆積物去除方法係去除堆積在因蝕刻而形成於基板上之圖案表面的堆積物，其特徵為具有以下工序：氧電漿處理工序，係一邊加熱該基板一邊將該基板曝露在氧電漿；循環處理工序，係於該氧電漿處理工序後，將該基板於處理室內曝露在氟化氫氣與醇氣體之混合氣體的氛圍，並且，重複多次使該醇氣體的分壓為第1分壓之第1期間，與將處理室內排氣而使該醇氣體的分壓為低於第1分壓的第2分壓之第2期間之循環。
简体摘要：本发明提供一种堆积物去除方法，系无关于蚀刻处理后的放置时间长短，可有效率地去除堆积物，并且，可抑制对于图案中之构造物的二氧化硅所造成的损伤。该堆积物去除方法系去除堆积在因蚀刻而形成于基板上之图案表面的堆积物，其特征为具有以下工序：氧等离子处理工序，系一边加热该基板一边将该基板曝露在氧等离子；循环处理工序，系于该氧等离子处理工序后，将该基板于处理室内曝露在氟化氢气与醇气体之混合气体的氛围，并且，重复多次使该醇气体的分压为第1分压之第1期间，与将处理室内排气而使该醇气体的分压为低于第1分压的第2分压之第2期间之循环。

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