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1. 发明专利

TWI536425B 電漿處理方法及半導體裝置之製造方法有权
简体标题：等离子处理方法及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI536425B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW100123544
申请日：2011-07-04
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：田原慈 , TAHARA, SHIGERU , 西村榮一 , NISHIMURA, EIICHI , 山下扶美子 , YAMASHITA, FUMIKO , 富田寬 , TOMITA, HIROSHI , 大岩德久 , OHIWA, TOKUHISA , 大口壽史 , OKUCHI, HISASHI , 大村光廣 , OMURA, MITSUHIRO
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/02071

2. 发明专利

TW201308428A 堆積物去除方法审中-公开
简体标题：堆积物去除方法
公开(公告)号：TW201308428A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW101116604
申请日：2012-05-10
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：田原慈 , TAHARA, SHIGERU , 西村榮一 , NISHIMURA, EIICHI , 富田寬 , TOMITA, HIROSHI , 大岩德久 , OHIWA, TOKUHISA , 大口壽史 , OKUCHI, HISASHI , 大村光廣 , OMURA, MITSUHIRO
IPC分类号： H01L21/311
CPC分类号： B05D3/145 , H01L21/02057 , H01L21/02063 , H01L21/31116
摘要：本發明提供一種堆積物去除方法，係無關於蝕刻處理後的放置時間長短，可有效率地去除堆積物，並且，可抑制對於圖案中之構造物的二氧化矽所造成的損傷。該堆積物去除方法係去除堆積在因蝕刻而形成於基板上之圖案表面的堆積物，其特徵為具有以下工序：氧電漿處理工序，係一邊加熱該基板一邊將該基板曝露在氧電漿；循環處理工序，係於該氧電漿處理工序後，將該基板於處理室內曝露在氟化氫氣與醇氣體之混合氣體的氛圍，並且，重複多次使該醇氣體的分壓為第1分壓之第1期間，與將處理室內排氣而使該醇氣體的分壓為低於第1分壓的第2分壓之第2期間之循環。
简体摘要：本发明提供一种堆积物去除方法，系无关于蚀刻处理后的放置时间长短，可有效率地去除堆积物，并且，可抑制对于图案中之构造物的二氧化硅所造成的损伤。该堆积物去除方法系去除堆积在因蚀刻而形成于基板上之图案表面的堆积物，其特征为具有以下工序：氧等离子处理工序，系一边加热该基板一边将该基板曝露在氧等离子；循环处理工序，系于该氧等离子处理工序后，将该基板于处理室内曝露在氟化氢气与醇气体之混合气体的氛围，并且，重复多次使该醇气体的分压为第1分压之第1期间，与将处理室内排气而使该醇气体的分压为低于第1分压的第2分压之第2期间之循环。

3. 发明专利

TWI555086B 堆積物去除方法有权
简体标题：堆积物去除方法
公开(公告)号：TWI555086B
公开(公告)日：2016-10-21
申请号：TW101116604
申请日：2012-05-10
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：田原慈 , TAHARA, SHIGERU , 西村榮一 , NISHIMURA, EIICHI , 富田寬 , TOMITA, HIROSHI , 大岩德久 , OHIWA, TOKUHISA , 大口壽史 , OKUCHI, HISASHI , 大村光廣 , OMURA, MITSUHIRO
IPC分类号： H01L21/311
CPC分类号： B05D3/145 , H01L21/02057 , H01L21/02063 , H01L21/31116

4. 发明专利

TW201225154A 電漿處理方法及半導體裝置之製造方法 PLASMA PROCESSING METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR 审中-公开
简体标题：等离子处理方法及半导体设备之制造方法 PLASMA PROCESSING METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR
公开(公告)号：TW201225154A
公开(公告)日：2012-06-16
申请号：TW100123544
申请日：2011-07-04
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：田原慈 , 西村榮一 , 山下扶美子 , 富田寬 , 大岩德久 , 大口壽史 , 大村光廣
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02071
摘要：本發明提供一種電漿處理方法及半導體裝置之製造方法,其可抑制由側部蝕刻所致之圖案細窄化,且可藉由乾處理有效率地去除沉積在圖案側壁之含有金屬的沉積物。該電漿處理方法,其經由對形成於基板的金屬層進行電漿蝕刻之步驟,在疊層構造中形成具有金屬層的圖案之後,去除含有構成金屬層的金屬並沉積在圖案的側壁部之沉積物;該電漿處理方法包含:保護層形成步驟,於金屬層的側壁部,形成該金屬的氧化物或氯化物;沉積物去除步驟,使含有氟原子的氣體之電漿發揮作用來去除沉積物;以及還原步驟,在保護層形成步驟以及沉積物去除步驟之後,使含有氫的電漿發揮作用來還原金屬的氧化物或氯化物。
简体摘要：本发明提供一种等离子处理方法及半导体设备之制造方法,其可抑制由侧部蚀刻所致之图案细窄化,且可借由干处理有效率地去除沉积在图案侧壁之含有金属的沉积物。该等离子处理方法,其经由对形成于基板的金属层进行等离子蚀刻之步骤,在叠层构造中形成具有金属层的图案之后,去除含有构成金属层的金属并沉积在图案的侧壁部之沉积物;该等离子处理方法包含:保护层形成步骤,于金属层的侧壁部,形成该金属的氧化物或氯化物;沉积物去除步骤,使含有氟原子的气体之等离子发挥作用来去除沉积物;以及还原步骤,在保护层形成步骤以及沉积物去除步骤之后,使含有氢的等离子发挥作用来还原金属的氧化物或氯化物。

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