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1. 发明专利

TWI472026B 用於形成與金屬－絕緣體－絕緣體－金屬（ＭＩＩＭ）二極體串聯的記憶體元件之方法失效
简体标题：用于形成与金属－绝缘体－绝缘体－金属（ＭＩＩＭ）二极管串联的内存组件之方法
公开(公告)号：TWI472026B
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW098132742
申请日：2009-09-28
申请人：桑迪士克3D公司 , SANDISK 3D LLC
发明人：舒利克艾爾普道恩 , SCHRICKER, APRIL DAWN , 塞卡爾狄帕克C , SEKAR, DEEPAK C. , 福安迪 , FU, ANDY , 克拉克馬克 , CLARK, MARK
IPC分类号： H01L27/24 , H01L27/10 , H01L21/822
CPC分类号： H01L45/1233 , H01L27/101 , H01L27/1021 , H01L27/2418 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/122 , H01L45/144 , H01L45/149 , H01L45/1683

2. 发明专利

TW201029189A 具非對稱界面狀態之雙絕緣層二極體及製造方法 DUAL INSULATING LAYER DIODE WITH ASYMMETRIC INTERFACE STATE AND METHOD OF FABRICATION 审中-公开
简体标题：具非对称界面状态之双绝缘层二极管及制造方法 DUAL INSULATING LAYER DIODE WITH ASYMMETRIC INTERFACE STATE AND METHOD OF FABRICATION
公开(公告)号：TW201029189A
公开(公告)日：2010-08-01
申请号：TW098142769
申请日：2009-12-14
申请人：桑迪士克3D公司
发明人：陳溪瀅 , 塞卡爾狄帕克錢德拉 , 克拉克馬克 , 古顏戴特 , 庫莫譚美
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/2481 , H01L27/2418 , H01L45/00
摘要：本發明提供一種包含位於導體之間的垂直定向之二極體結構之積體電路及製造該積體電路之方法。該二極體係一金屬-絕緣體二極體,其具有一第一金屬層、一第一絕緣層、一第二絕緣層及一第二金屬層。至少一個非對稱界面狀態提供於該等層中之至少兩者之交叉點處以增加該二極體之導通電流與其反向偏壓洩漏電流之比率。在各種實例中,該非對稱界面狀態係由在該二極體之一個或多個部分處改動障壁高度及/或電場之一正薄片電荷或負薄片電荷形成。例如被動元件記憶體單元之雙端子裝置可利用該二極體作為與一狀態改變元件串聯之一引導元件。可使用上導體與下導體之交叉點處之柱結構來形成該等裝置。
简体摘要：本发明提供一种包含位于导体之间的垂直定向之二极管结构之集成电路及制造该集成电路之方法。该二极管系一金属-绝缘体二极管,其具有一第一金属层、一第一绝缘层、一第二绝缘层及一第二金属层。至少一个非对称界面状态提供于该等层中之至少两者之交叉点处以增加该二极管之导通电流与其反向偏压泄漏电流之比率。在各种实例中,该非对称界面状态系由在该二极管之一个或多个部分处改动障壁高度及/或电场之一正薄片电荷或负薄片电荷形成。例如被动组件内存单元之双端子设备可利用该二极管作为与一状态改变组件串联之一引导组件。可使用上导体与下导体之交叉点处之柱结构来形成该等设备。

3. 发明专利

TW201023355A 用於具有金屬－絕緣體－絕緣體－金屬（ＭＩＩＭ）二極體的碳記憶體元件之鑲嵌製程 DAMASCENE PROCESS FOR CARBON MEMORY ELEMENT WITH MIIM DIODE 失效
简体标题：用于具有金属－绝缘体－绝缘体－金属（ＭＩＩＭ）二极管的碳内存组件之镶嵌制程 DAMASCENE PROCESS FOR CARBON MEMORY ELEMENT WITH MIIM DIODE
公开(公告)号：TW201023355A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：TW098132742
申请日：2009-09-28
申请人：桑迪士克3D公司
发明人：舒利克艾爾普道恩 , 塞卡爾狄帕克C , 福安迪 , 克拉克馬克
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L45/1233 , H01L27/101 , H01L27/1021 , H01L27/2418 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/122 , H01L45/144 , H01L45/149 , H01L45/1683
摘要：本發明揭示在一單一鑲嵌製程中形成一金屬-絕緣體二極體及碳記憶體元件。一具有一底部及一側壁之渠溝形成於一絕緣體中。一第一二極體電極在一單一鑲嵌製程期間形成於該渠溝中。一包含一第一絕緣材料之第一絕緣區域在該單一鑲嵌製程期間形成於該渠溝中。一包含一第二絕緣材料之第二絕緣區域在該單一鑲嵌製程期間形成於該渠溝中。一第二二極體電極在該單一鑲嵌製程期間形成於該渠溝中。該第一絕緣區域及該第二絕緣區域存在該第一二極體電極與該第二二極體電極之間以形成一金屬-絕緣體-絕緣體-金屬(MIIM)二極體。碳之一區域在該單一鑲嵌製程期間形成於該渠溝中。該碳之至少一部分與該MIIM二極體電串聯。
简体摘要：本发明揭示在一单一镶嵌制程中形成一金属-绝缘体二极管及碳内存组件。一具有一底部及一侧壁之渠沟形成于一绝缘体中。一第一二极管电极在一单一镶嵌制程期间形成于该渠沟中。一包含一第一绝缘材料之第一绝缘区域在该单一镶嵌制程期间形成于该渠沟中。一包含一第二绝缘材料之第二绝缘区域在该单一镶嵌制程期间形成于该渠沟中。一第二二极管电极在该单一镶嵌制程期间形成于该渠沟中。该第一绝缘区域及该第二绝缘区域存在该第一二极管电极与该第二二极管电极之间以形成一金属-绝缘体-绝缘体-金属(MIIM)二极管。碳之一区域在该单一镶嵌制程期间形成于该渠沟中。该碳之至少一部分与该MIIM二极管电串联。

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