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1. 发明专利

TW201145634A 使用於金屬氧化物電阻率切換層之底部電極 BOTTOM ELECTRODES FOR USE WITH METAL OXIDE RESISTIVITY SWITCHING LAYERS 审中-公开
简体标题：使用于金属氧化物电阻率切换层之底部电极 BOTTOM ELECTRODES FOR USE WITH METAL OXIDE RESISTIVITY SWITCHING LAYERS
公开(公告)号：TW201145634A
公开(公告)日：2011-12-16
申请号：TW100108969
申请日：2011-03-16
申请人：桑迪士克3D公司
发明人：塞卡爾狄帕克錢德拉 , 克魯波法蘭茲 , 馬卡拉拉夫維爾S
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L45/146 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/145 , H01L45/1675
摘要：在一第一態樣中,本發明提供一種金屬-絕緣體-金屬(MIM)堆疊,其包含:(1)一第一導電層,其包括矽-鍺(SiGe)合金;(2)包括一金屬氧化物層之一電阻率切換層,其形成於該第一導電層上面;及(3)一第二導電層,其形成於該電阻率切換層上面。可由該MIM堆疊形成一記憶體單元。本發明提供衆多其他態樣。
简体摘要：在一第一态样中,本发明提供一种金属-绝缘体-金属(MIM)堆栈,其包含:(1)一第一导电层,其包括硅-锗(SiGe)合金;(2)包括一金属氧化物层之一电阻率切换层,其形成于该第一导电层上面;及(3)一第二导电层,其形成于该电阻率切换层上面。可由该MIM堆栈形成一内存单元。本发明提供众多其他态样。

2. 发明专利

TW201029189A 具非對稱界面狀態之雙絕緣層二極體及製造方法 DUAL INSULATING LAYER DIODE WITH ASYMMETRIC INTERFACE STATE AND METHOD OF FABRICATION 审中-公开
简体标题：具非对称界面状态之双绝缘层二极管及制造方法 DUAL INSULATING LAYER DIODE WITH ASYMMETRIC INTERFACE STATE AND METHOD OF FABRICATION
公开(公告)号：TW201029189A
公开(公告)日：2010-08-01
申请号：TW098142769
申请日：2009-12-14
申请人：桑迪士克3D公司
发明人：陳溪瀅 , 塞卡爾狄帕克錢德拉 , 克拉克馬克 , 古顏戴特 , 庫莫譚美
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/2481 , H01L27/2418 , H01L45/00
摘要：本發明提供一種包含位於導體之間的垂直定向之二極體結構之積體電路及製造該積體電路之方法。該二極體係一金屬-絕緣體二極體,其具有一第一金屬層、一第一絕緣層、一第二絕緣層及一第二金屬層。至少一個非對稱界面狀態提供於該等層中之至少兩者之交叉點處以增加該二極體之導通電流與其反向偏壓洩漏電流之比率。在各種實例中,該非對稱界面狀態係由在該二極體之一個或多個部分處改動障壁高度及/或電場之一正薄片電荷或負薄片電荷形成。例如被動元件記憶體單元之雙端子裝置可利用該二極體作為與一狀態改變元件串聯之一引導元件。可使用上導體與下導體之交叉點處之柱結構來形成該等裝置。
简体摘要：本发明提供一种包含位于导体之间的垂直定向之二极管结构之集成电路及制造该集成电路之方法。该二极管系一金属-绝缘体二极管,其具有一第一金属层、一第一绝缘层、一第二绝缘层及一第二金属层。至少一个非对称界面状态提供于该等层中之至少两者之交叉点处以增加该二极管之导通电流与其反向偏压泄漏电流之比率。在各种实例中,该非对称界面状态系由在该二极管之一个或多个部分处改动障壁高度及/或电场之一正薄片电荷或负薄片电荷形成。例如被动组件内存单元之双端子设备可利用该二极管作为与一状态改变组件串联之一引导组件。可使用上导体与下导体之交叉点处之柱结构来形成该等设备。

3. 发明专利

TW201145633A 使用於金屬氧化物電阻率切換層之底部電極 BOTTOM ELECTRODES FOR USE WITH METAL OXIDE RESISTIVITY SWITCHING LAYERS 审中-公开
简体标题：使用于金属氧化物电阻率切换层之底部电极 BOTTOM ELECTRODES FOR USE WITH METAL OXIDE RESISTIVITY SWITCHING LAYERS
公开(公告)号：TW201145633A
公开(公告)日：2011-12-16
申请号：TW100108967
申请日：2011-03-16
申请人：桑迪士克3D公司
发明人：塞卡爾狄帕克錢德拉 , 克魯波法蘭茲 , 馬卡拉拉夫維爾S
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L45/146 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/145 , H01L45/1675
摘要：在一第一態樣中,本發明提供一種金屬-絕緣體-金屬(MIM)堆疊,其包含:(1)一第一導電層,其包括一第一金屬矽化物層及一第二金屬矽化物層;(2)包括一金屬氧化物層之一電阻率切換層,其形成於該第一導電層上面;及(3)一第二導電層,其形成於該電阻率切換層上面。可由該MIM堆疊形成一記憶體單元。本發明提供衆多其他態樣。
简体摘要：在一第一态样中,本发明提供一种金属-绝缘体-金属(MIM)堆栈,其包含:(1)一第一导电层,其包括一第一金属硅化物层及一第二金属硅化物层;(2)包括一金属氧化物层之一电阻率切换层,其形成于该第一导电层上面;及(3)一第二导电层,其形成于该电阻率切换层上面。可由该MIM堆栈形成一内存单元。本发明提供众多其他态样。

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