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1. 发明专利

TWI675489B 製造電容匹配ＦＥＴ之方法及相關裝置有权
简体标题：制造电容匹配ＦＥＴ之方法及相关设备
公开(公告)号：TWI675489B
公开(公告)日：2019-10-21
申请号：TW107110695
申请日：2018-03-28
申请人：新加坡商格羅方德半導體私人有限公司 , GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE. LTD.
发明人：侯永田 , HOU, YONGTIAN , 林啟榮 , LIM, KHEE YONG , 蔡明蒼 , TSAI, MING TSANG , 郭克文 , QUEK, ELGIN KIOK BOONE
IPC分类号： H01L29/92 , H01L21/30 , H01L21/76

2. 发明专利

TWI580008B 閘流體隨機存取記憶體有权
简体标题：晶闸管随机存取内存
公开(公告)号：TWI580008B
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：TW104106203
申请日：2015-02-26
申请人：格羅方德半導體私人有限公司 , GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE. LTD.
发明人：卓榮發 , TOH, ENG HUAT , 陳學深 , TAN, SHYUE SENG , 郭克文 , QUEK, ELGIN KIOK BOONE , 史摩達尼帕克奇摩 , SHUM, DANNY PAK-CHUM
IPC分类号： H01L27/102 , H01L29/66 , H01L29/74
CPC分类号： H01L27/1027 , G11C11/39 , H01L29/66363 , H01L29/74

3. 发明专利

TWI643192B 非揮發性記憶體裝置的交接點佈局有权
简体标题：非挥发性内存设备的交接点布局
公开(公告)号：TWI643192B
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW106131577
申请日：2017-09-14
申请人：新加坡商格羅方德半導體私人有限公司 , GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE. LTD.
发明人：蔡新樹 , CAI, XINSHU , 林啟榮 , LIM, KHEE YONG , 郭克文 , QUEK, KIOK BOONE ELGIN
IPC分类号： G11C11/412 , H01L27/11

4. 发明专利

TW201743457A 具有電容器之積體電路及其製造方法审中-公开
简体标题：具有电容器之集成电路及其制造方法
公开(公告)号：TW201743457A
公开(公告)日：2017-12-16
申请号：TW105122022
申请日：2016-07-13
申请人：格羅方德半導體私人有限公司 , GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE. LTD.
发明人：孫遠 , SUN, YUAN , 陳學深 , TAN, SHYUE SENG , 郭克文 , QUEK, KIOK BOONE ELGIN
IPC分类号： H01L29/92
CPC分类号： H01L29/94 , H01L21/823475 , H01L21/84 , H01L27/0629 , H01L27/0805 , H01L27/0811 , H01L27/1203 , H01L28/40 , H01L29/0688 , H01L29/66189
摘要：所提供的是積體電路及其製造方法。在一例示性具體實施例中，積體電路包括附有主動層之基材，該主動層上覆於埋置型絕緣體層，該埋置型絕緣體層進而上覆於握把層，其中，該主動層包括第一主動井。第一源極、第一汲極與第一通道係界定於該第一主動井內，其中，該第一通道位在該第一源極與該第一汲極之間。第一閘極介電質直接上覆於該第一通道，並且第一閘極直接上覆於該第一閘極介電質，其中，第一電容器包括該第一源極、該第一汲極、該第一通道、該第一閘極介電質、及該第一閘極。第一握把井係界定於直接在該第一通道及該埋置型絕緣體層下方之該握把層內。
简体摘要：所提供的是集成电路及其制造方法。在一例示性具体实施例中，集成电路包括附有主动层之基材，该主动层上覆于埋置型绝缘体层，该埋置型绝缘体层进而上覆于握把层，其中，该主动层包括第一主动井。第一源极、第一汲极与第一信道系界定于该第一主动井内，其中，该第一信道位在该第一源极与该第一汲极之间。第一闸极介电质直接上覆于该第一信道，并且第一闸极直接上覆于该第一闸极介电质，其中，第一电容器包括该第一源极、该第一汲极、该第一信道、该第一闸极介电质、及该第一闸极。第一握把井系界定于直接在该第一信道及该埋置型绝缘体层下方之该握把层内。

5. 发明专利

TW201703036A 用於嵌入式快閃應用之自旋轉移力矩磁性隨機存取記憶體（ＳＴＴ－ＭＲＡＭ）位元格审中-公开
简体标题：用于嵌入式快闪应用之自旋转移力矩磁性随机存取内存（ＳＴＴ－ＭＲＡＭ）比特格
公开(公告)号：TW201703036A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW105111205
申请日：2016-04-11
申请人：格羅方德半導體私人有限公司 , GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE. LTD.
发明人：李康和 , LEE, KANGHO , 卓榮發 , TOH, ENG HUAT , 黃傑克提姆 , WONG, JACK TIM , 郭克文 , QUEK, ELGIN KIOK BOONE
IPC分类号： G11C11/16
CPC分类号： G11C11/1675 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , H01L27/228
摘要：所揭示乃是一種自旋轉移力矩磁性隨機存取記憶體(STT-MRAM)裝置、以及一種進行嵌入式快閃(eFlash)裝置操作的方法。該自旋轉移力矩磁性隨機存取記憶體裝置組配成包括自旋轉移力矩磁性隨機存取記憶體位元格陣列。該陣列包含複數個位元線(BL)和複數個字元線(WL)，其中該位元線形成多行自旋轉移力矩磁性隨機存取記憶體位元格且該字元線形成多列自旋轉移力矩磁性隨機存取記憶體位元格。各個自旋轉移力矩磁性隨機存取記憶體位元格包含串聯耦合至存取電晶體的磁穿隧接面(MTJ)組件，該存取電晶體具有閘極端點以及源極和汲極端點。該陣列包含耦合至該存取電晶體的該源極端點的複數個源極線(SL)。該複數個源極線的源極線耦合至該等自旋轉移力矩磁性隨機存取記憶體胞元的兩個或更多相鄰行的存取電晶體的源極端點。共享的該源極線平行於該複數個位元線。該自旋轉移力矩磁性隨機存取記憶體位元格的操作組配成包括：編程操作和扇區抹除操作。
简体摘要：所揭示乃是一种自旋转移力矩磁性随机存取内存(STT-MRAM)设备、以及一种进行嵌入式快闪(eFlash)设备操作的方法。该自旋转移力矩磁性随机存取内存设备组配成包括自旋转移力矩磁性随机存取内存比特格数组。该数组包含复数个比特线(BL)和复数个字符线(WL)，其中该比特线形成多行自旋转移力矩磁性随机存取内存比特格且该字符线形成多列自旋转移力矩磁性随机存取内存比特格。各个自旋转移力矩磁性随机存取内存比特格包含串联耦合至存取晶体管的磁穿隧接面(MTJ)组件，该存取晶体管具有闸极端点以及源极和汲极端点。该数组包含耦合至该存取晶体管的该源极端点的复数个源极线(SL)。该复数个源极线的源极线耦合至该等自旋转移力矩磁性随机存取内存胞元的两个或更多相邻行的存取晶体管的源极端点。共享的该源极线平行于该复数个比特线。该自旋转移力矩磁性随机存取内存比特格的操作组配成包括：编程操作和扇区抹除操作。

6. 发明专利

TWI642182B 鰭基非揮發性記憶體結構、具有此結構之積體電路及其製造方法有权
简体标题：鳍基非挥发性内存结构、具有此结构之集成电路及其制造方法
公开(公告)号：TWI642182B
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：TW105125273
申请日：2016-08-09
申请人：格羅方德半導體私人有限公司 , GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE. LTD.
发明人：蔡明蒼 , TSAI, MING TSANG , 林啟榮 , LIM, KHEE YONG , 郭克文 , QUEK, KIOK BOONE ELGIN
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/66 , H01L29/78 , H01L29/788 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L27/11517

7. 发明专利

TWI627759B 具有電容器之積體電路及其製造方法有权
简体标题：具有电容器之集成电路及其制造方法
公开(公告)号：TWI627759B
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：TW105122022
申请日：2016-07-13
申请人：格羅方德半導體私人有限公司 , GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE. LTD.
发明人：孫遠 , SUN, YUAN , 陳學深 , TAN, SHYUE SENG , 郭克文 , QUEK, KIOK BOONE ELGIN
IPC分类号： H01L29/92

8. 发明专利

TW201813085A 鰭基非揮發性記憶體結構、具有此結構之積體電路及其製造方法审中-公开
简体标题：鳍基非挥发性内存结构、具有此结构之集成电路及其制造方法
公开(公告)号：TW201813085A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW105125273
申请日：2016-08-09
申请人：格羅方德半導體私人有限公司 , GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE. LTD.
发明人：蔡明蒼 , TSAI, MING TSANG , 林啟榮 , LIM, KHEE YONG , 郭克文 , QUEK, KIOK BOONE ELGIN
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/66 , H01L29/78 , H01L29/788 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L27/11517
CPC分类号： H01L29/7887 , H01L29/0653 , H01L29/42328 , H01L29/66795 , H01L29/66825 , H01L29/7851
摘要：提供的是積體電路、非揮發性記憶體(NVM)結構、以及具有NVM結構之積體電路的製造方法。例示性積體電路包括基材及上覆於此基材之雙位元NVM結構。雙位元NVM結構包括基材上方平行橫向延展的主要、第一相鄰與第二相鄰鰭形結構。主要鰭形結構包括源極、通道與汲極區。各相鄰鰭形結構包括編程/抹除閘極。雙位元NVM結構更包括定位於主要鰭形結構之通道區與第一相鄰鰭形結構之間的第一浮動閘極、以及定位於主要鰭形結構之通道區與第二相鄰鰭形結構之間的第二浮動閘極。此外，雙位元NVM結構包括相鄰主要鰭形結構之控制閘極。
简体摘要：提供的是集成电路、非挥发性内存(NVM)结构、以及具有NVM结构之集成电路的制造方法。例示性集成电路包括基材及上覆于此基材之双比特NVM结构。双比特NVM结构包括基材上方平行横向延展的主要、第一相邻与第二相邻鳍形结构。主要鳍形结构包括源极、信道与汲极区。各相邻鳍形结构包括编程/抹除闸极。双比特NVM结构更包括定位于主要鳍形结构之信道区与第一相邻鳍形结构之间的第一浮动闸极、以及定位于主要鳍形结构之信道区与第二相邻鳍形结构之间的第二浮动闸极。此外，双比特NVM结构包括相邻主要鳍形结构之控制闸极。

9. 发明专利

TWI689045B 具有較低電阻與改善崩潰之裝置及其製造方法有权
简体标题：具有较低电阻与改善崩溃之设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI689045B
公开(公告)日：2020-03-21
申请号：TW107146807
申请日：2018-12-24
申请人：新加坡商格羅方德半導體私人有限公司 , GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE. LTD.
发明人：卓榮發 , TOH, ENG HUAT , 陳學深 , TAN, SHYUE SENG , 郭克文 , QUEK, ELGIN KIOK BOONE
IPC分类号： H01L21/82

10. 发明专利

TW201832238A 非揮發性記憶體裝置的交接點佈局审中-公开
简体标题：非挥发性内存设备的交接点布局
公开(公告)号：TW201832238A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW106131577
申请日：2017-09-14
申请人：新加坡商格羅方德半導體私人有限公司 , GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE. LTD.
发明人：蔡新樹 , CAI, XINSHU , 林啟榮 , LIM, KHEE YONG , 郭克文 , QUEK, KIOK BOONE ELGIN
IPC分类号： G11C11/412 , H01L27/11
摘要：本文揭露一種裝置及形成該裝置的方法。該方法包括提供製備有一記憶體單元區域的一基板以及形成記憶體單元對於該單元區域中。該記憶體單元對包括第一分離閘極記憶體單元以及第二分離閘極記憶體單元。各記憶體單元包括作為一存取閘極的一第一閘極，相鄰於該第一閘極的一第二閘極，該第二閘極作為一儲存閘極，一第一源/汲(S/D)區域鄰接該第一閘極以及一第二S/D區域鄰接該第二閘極。該方法還包括形成矽化物接觸件於拾取點區域中的閘極導電體以及第一S/D區域以及暴露的掩埋共同的源線(SL)上的基板上，以增加至一延伸位移距離DE的字元線以及源線(WLSL)區域中的位移距離，而避免該第一偏移存取閘極導電體以及記憶體單元對的行(row)的相鄰存取閘極導電體之間的短路。
简体摘要：本文揭露一种设备及形成该设备的方法。该方法包括提供制备有一内存单元区域的一基板以及形成内存单元对于该单元区域中。该内存单元对包括第一分离闸极内存单元以及第二分离闸极内存单元。各内存单元包括作为一存取闸极的一第一闸极，相邻于该第一闸极的一第二闸极，该第二闸极作为一存储闸极，一第一源/汲(S/D)区域邻接该第一闸极以及一第二S/D区域邻接该第二闸极。该方法还包括形成硅化物接触件于十取点区域中的闸极导电体以及第一S/D区域以及暴露的掩埋共同的源线(SL)上的基板上，以增加至一延伸位移距离DE的字符线以及源线(WLSL)区域中的位移距离，而避免该第一偏移存取闸极导电体以及内存单元对的行(row)的相邻存取闸极导电体之间的短路。

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