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1. 发明专利

JP2017078927A 電力変換装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017078927A
公开(公告)日：2017-04-27
申请号：JP2015206056
申请日：2015-10-20
申请人：株式会社日立製作所 , Hitachi Ltd , 株式会社日立パワーデバイス , Hitachi Power Semiconductor Device Ltd , 株式会社日立パワーデバイス
发明人： TAKEUCHI YUJIRO , MORI MUTSUHIRO
IPC分类号： G05F1/56 , H01L29/739 , H01L29/78 , H02M7/48
CPC分类号： H01L29/739 , H01L29/78 , H02M1/08 , H02M7/48 , H03K17/16 , H03K17/567 , Y02B70/1483
摘要：【課題】高耐圧性と低リカバリー損失の特性を有するSiC−SBDを用いながら、電圧・電流の振動を抑制できるようにした電力変換装置を提供する。【解決手段】スイッチング素子101と、前記スイッチング素子101に対して直列に接続された整流素子102と、を備える電力変換装置100であって、前記電力変換装置100は、前記スイッチング素子101と前記整流素子102との接続点に外部の電気的負荷103が接続される構成を有し、前記スイッチング素子101は、第1のゲート端子105と第2のゲート端子106とを有する絶縁ゲート型半導体素子で構成され、前記整流素子102は、半導体基体として炭化ケイ素を用いたショットキー接合を有するダイオードで構成され、前記第1のゲート端子105と前記第2のゲート端子106に、それぞれ互いに異なる駆動信号を印加する。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2014187252A Joining material, joining structure and process of manufacturing the same, and semiconductor module 有权
标题翻译：接合材料，接合结构及其制造工艺及半导体模块
公开(公告)号：JP2014187252A
公开(公告)日：2014-10-02
申请号：JP2013061763
申请日：2013-03-25
申请人： Hitachi Power Semiconductor Device Ltd , 株式会社日立パワーデバイス
发明人： KODAMA KAZUMUNE , MORI MUTSUHIRO , NAITO TAKASHI , FUJIEDA TADASHI , SAWAI YUICHI , AOYAGI TAKUYA
IPC分类号： H01L23/13 , H01L23/12 , H01L23/36
CPC分类号： H01L24/32
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem in which, with conventional joining methods for joining a ceramics substrate and a metal plate, it is not possible to make heat resistance of a joining structure that is joined low because a temperature is lower than a heatproof temperature of a radiator mounted to the ceramics substrate.SOLUTION: The joining structure is formed by joining a ceramics substrate and a metal plate through a joining material layer having a metal and an oxide containing at least one element of Sb and Ba, P, and V. In at least a portion between the metal constituting the joining material layer and the ceramics substrate, the oxide containing at least one element of Sb and Ba, P, and V exists.
摘要翻译：要解决的问题为了解决用传统的陶瓷基板和金属板的接合方法，由于温度低于耐热性，不可能使接合结构的耐热性变低安装在陶瓷基板上的散热器的温度。解决方案：接合结构是通过具有金属和含有至少一种Sb，Ba，P元素的氧化物的接合材料层与陶瓷基板和金属板接合而形成的，在构成接合材料层的金属与陶瓷基板之间的至少一部分中，存在含有Sb，Ba，P，V中的至少一种元素的氧化物。

3. 发明专利

JP2014053451A Diode and power conversion system 有权
标题翻译：二极管和功率转换系统
公开(公告)号：JP2014053451A
公开(公告)日：2014-03-20
申请号：JP2012196885
申请日：2012-09-07
申请人： Hitachi Power Semiconductor Device Ltd , 株式会社日立パワーデバイス
发明人： ISHIMARU TETSUYA , MORI MUTSUHIRO
IPC分类号： H01L29/861 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/868
CPC分类号： H01L29/8611 , H01L29/36 , H01L29/66128 , H01L29/66136 , H01L29/66143 , H01L29/872
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a diode capable of reducing a recovery loss by an easy method in which there is no additional process without being accompanied with reduction in withstand voltage.SOLUTION: A diode includes: an n-type ndrift layer 101; a p-type anode p-layer 102 adjacent to the ndrift layer 101; an n-type cathode n-layer 104 which is provided adjacent to an anode side of the ndrift layer 101 and higher in n-type impurity concentration than the ndrift layer 101; an anode electrode 107 in ohmic-connected with the anode p-layer 102; and a cathode electrode 108 in ohmic-connected with the cathode n-layer 101. In a position located between the ndrift layer 101 and the cathode n-layer 104 and adjacent to the cathode n-layer 104, a low lifetime region layer 106 is provided which contains impurities of the same kinds as n-type impurities contained in the cathode n-layer 104 and has a lower carrier lifetime than the cathode n-layer 104.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够通过简单的方法来减少回收损耗的二极管，其中不存在附加工艺而不伴随着耐电压降低。解决方案：二极管包括：n型n驱动层101; 与n型层101相邻的p型阳极p层102; 与n型层101的阳极侧相邻设置的n型阴极n层104，n型杂质浓度高于n型层101。与阳极p层102欧姆连接的阳极电极107; 以及与阴极n层101欧姆连接的阴极电极108.在n层层101和阴极n层104之间并且与阴极n层104相邻的位置中，低寿命区域层106 其包含与阴极n层104中所含的n型杂质相同的杂质，并且具有比阴极n层104低的载流子寿命。

4. 发明专利

JP2014175431A Semiconductor device and electric power conversion system using the same 有权
标题翻译：使用其的半导体器件和电力转换系统
公开(公告)号：JP2014175431A
公开(公告)日：2014-09-22
申请号：JP2013046081
申请日：2013-03-08
申请人： Hitachi Power Semiconductor Device Ltd , 株式会社日立パワーデバイス
发明人： HIRAO TAKASHI , MORI MUTSUHIRO , SAKANO JUNICHI , ONOSE HIDEKATSU , MOCHIZUKI KAZUHIRO
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/331 , H01L29/12 , H01L29/732 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To stabilize voltage-withstanding of a semiconductor device.SOLUTION: FLRs 232, 234 in contact with auxiliary electrodes 321, 322 are formed on an Nlayer 112 in a termination region of a semiconductor device 101. Between the FLR 232 and the FLR 234, a FLR 233 isolated from the auxiliary electrodes is formed, and the surface top of the FLR 233 is covered with the auxiliary electrodes 321, 322.
摘要翻译：要解决的问题：稳定半导体器件的耐压性。解决方案：在辅助电极321,322接触的FLR 232,234形成在半导体器件101的终端区域中的N层112上。在FLR 232和形成FLR 234，与辅助电极隔离的FLR 233，并且FLR 233的表面顶部被辅助电极321,322覆盖。

5. 发明专利

JP2014138182A Diode and electric power conversion system 有权
标题翻译：二极管和电力转换系统
公开(公告)号：JP2014138182A
公开(公告)日：2014-07-28
申请号：JP2013007770
申请日：2013-01-18
申请人： Hitachi Power Semiconductor Device Ltd , 株式会社日立パワーデバイス
发明人： ISHIMARU TETSUYA , MORI MUTSUHIRO
IPC分类号： H01L29/861 , H01L21/322 , H01L21/329 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L29/06 , H01L29/868
CPC分类号： H01L29/36 , H01L21/2253 , H01L29/0619 , H01L29/0638 , H01L29/404 , H01L29/66128 , H01L29/861 , H01L29/8611 , H02M5/4585
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a diode capable of being manufactured in a simple way and achieving good recovery operations.SOLUTION: The diode includes a layer with high impurity concentration and a layer with low impurity concentration. The layer with low impurity concentration further includes a layer whose activation rate is different from those of other sections.
摘要翻译：要解决的问题：提供能够以简单的方式制造并实现良好的恢复操作的二极管。解决方案：二极管包括具有高杂质浓度的层和具有低杂质浓度的层。具有低杂质浓度的层还包括其活化速率与其它部分不同的层。

6. 发明专利

DE112019001054T5 HALBLEITERVORRICHTUNG UND LEISTUNGSWANDLUNGSVORRICHTUNG 未知
公开(公告)号：DE112019001054T5
公开(公告)日：2020-11-05
申请号：DE112019001054
申请日：2019-02-01
申请人： HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE LTD
发明人： MORI MUTSUHIRO , MIYOSHI TOMOYUKI , FURUKAWA TOMOYASU , SHIRAISHI MASAKI
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/47 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/872
摘要： Die Erfindung sieht eine kostengünstige Schutzdiode mit einem geringen Leistungsverlust vor. Eine Halbleitersubstratseite einer Gate-Elektrode 23, die auf einer Fläche einer Anode 22 eines Silicium aufweisenden Halbleitersubstrats bereitgestellt ist, ist über einen Gate-Isolierfilm 32 von einer p-Schicht 13, einer n-Schicht 14 und einer p-Schicht 15 umgeben. Die Anode 22 steht mit einem geringen Widerstand in Kontakt mit der p-Schicht 15 und steht auch in Kontakt mit der n-Schicht 14 oder der p-Schicht 13, und eine Schottky-Diode ist zwischen der Anode 22 und der n-Schicht 14 oder der p-Schicht 13 ausgebildet.

7. 发明专利

DE112019000544T5 HALBLEITERVORRICHTUNG UND LEISTUNGSWANDLUNGSVORRICHTUNG 未知
公开(公告)号：DE112019000544T5
公开(公告)日：2020-10-08
申请号：DE112019000544
申请日：2019-02-01
申请人： HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE LTD
发明人： MIYOSHI TOMOYUKI , MORI MUTSUHIRO , FURUKAWA TOMOYASU , TAKEUCHI YUJIRO , SHIRAISHI MASAKI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/739 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/872
摘要： Eine Stromschalt-Halbleitervorrichtung, die in einer Leistungswandlungsvorrichtung zu verwenden ist, erreicht sowohl einen geringen Leitungsverlust als auch einen geringen Schaltverlust. Die Halbleitervorrichtung 100 weist den IGBT 51, in dem nur Gc-Gates 92 bereitgestellt sind und die Störstellenkonzentration der p-Kollektorschicht 4A hoch ist, und den IGBT 51, in dem die Gs-Gates 91 und die Gc-Gates 92 bereitgestellt sind und die Störstellenkonzentration der p-Kollektorschicht 4B niedrig ist, auf. Wenn die Halbleitervorrichtung 100 ausgeschaltet wird, geht sie aus einem Zustand, in dem eine Spannung unterhalb einer Schwellenspannung sowohl an die Gs-Gates 91 als auch an die Gc-Gates 92 angelegt ist, in einen Zustand über, in dem eine Spannung, die größer oder gleich der Schwellenspannung ist, an die Gc-Gates angelegt wird, bevor sie an die Gs-Gates 91 angelegt wird.

8. 发明专利

DE112016004272T5 ELEKTRISCHER LEISTUNGSWANDLER 未知
公开(公告)号：DE112016004272T5
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：DE112016004272
申请日：2016-10-17
申请人： HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE LTD
发明人： TAKEUCHI YUJIRO , MORI MUTSUHIRO
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/739 , H02M1/08 , H02M7/48 , H03K17/16 , H03K17/567
摘要： Eine Leistungswandlungsvorrichtung (100), die ein Schaltelement (101) und ein Gleichrichtungselement (102), das mit dem Schaltelement (101) in Reihe geschaltet ist, umfasst. Diese Leistungswandlungsvorrichtung (100) hat eine Konfiguration, in der eine externe elektrische Last (103) mit einem Verbindungspunkt des Schaltelements (101) und des Gleichrichtungselements (102) verbunden ist. Das Schaltelement (101) ist aus einem Halbleiterelement mit isoliertem Gate mit einem ersten Gate-Anschluss (105) und einem zweiten Gate-Anschluss (106) gebildet. Das Gleichrichtungselement (102) ist aus einer Diode mit einem Schottky-Übergang unter Verwendung von Siliziumkarbid als eine Halbleiterbasis gebildet. Verschiedene Steuersignale werden an den ersten Gate-Anschluss (105) bzw. den zweiten Gate-Anschluss (106) angelegt.

9. 发明专利

DE112015003757T5 Halbleitervorrichtung sowie Generator und Stromrichtvorrichtung, welche die Halbleitervorrichtung verwenden 未知
公开(公告)号：DE112015003757T5
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：DE112015003757
申请日：2015-08-19
申请人： HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE LTD
发明人： ISHIMARU TETSUYA , ONDA KOHHEI , MORI MUTSUHIRO , KURITA SHINICHI , SUGAYAMA SHIGERU , SAKANO JUNICHI
IPC分类号： H01L25/07 , B60R16/03 , H01L25/11 , H02M7/21
摘要： Bereitgestellt wird eine Halbleitervorrichtung, enthaltend: eine erste Außenelektrode, welche einen runden Außenrandteil enthält; einen MOSFET-Chip; einen Steuerschaltungs-Chip, welcher Spannungen einer Drain-Elektrode und einer Source-Elektrode des MOSFET empfängt und ein Signal zum Steuern des MOSFET-Chips auf der Grundlage der Spannung an eine Gate-Elektrode liefert; eine zweite Außenelektrode, welche bezüglich des MOSFET-Chips auf einer der ersten Außenelektrode entgegengesetzten Seite angeordnet ist und eine Außenanschlussklemme auf einer Mittelachse des runden Außenrandteils der ersten Außenelektrode enthält; und ein Isoliersubstrat, welches den Steuerschaltungs-Chip von der Außenelektrode isoliert. Die erste Außenelektrode, die Drain-Elektrode und die Source-Elektrode des MOSFET-Chips und die zweite Außenelektrode sind so angeordnet, dass sie sich in einer Richtung der Mittelachse überdecken. Die Drain-Elektrode des MOSFET-Chips und die erste Außenelektrode sind verbunden. Die Source-Elektrode des MOSFET-Chips und die zweite Außenelektrode sind verbunden.

10. 发明专利

DE112016004272B4 LEISTUNGSWANDLUNGSVORRICHTUNG 未知
公开(公告)号：DE112016004272B4
公开(公告)日：2022-06-09
申请号：DE112016004272
申请日：2016-10-17
申请人： HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE LTD
发明人： TAKEUCHI YUJIRO , MORI MUTSUHIRO
IPC分类号： H01L29/739 , H02M1/08 , H02M7/48 , H03K17/16 , H03K17/567
摘要： Leistungswandlungsvorrichtung, die umfasstein Schaltelement (101) undein Gleichrichtungselement (102), das mit dem Schaltelement (101) in Reihe geschaltet ist, wobeidie Leistungswandlungsvorrichtung eine Konfiguration hat, in der eine externe elektrische Last mit einem Verbindungspunkt des Schaltelements (101) und des Gleichrichtungselements (102) verbunden ist,das Schaltelement (101) aus einem Halbleiterelement mit isoliertem Gate (IGBT) mit einem ersten Gate-Anschluss (105) und einem zweiten Gate-Anschluss (106) gebildet ist,das Gleichrichtungselement (102) aus einer Diode mit einem Schottky-Übergang unter Verwendung von Siliziumkarbid als ein Halbleitersubstrat gebildet ist undwobei das Schaltelement (101) derart konfiguriert ist, dass verschiedene Steuersignale an den ersten Gate-Anschluss (105) bzw. den zweiten Gate-Anschluss (106) angelegt werden können.

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