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1. 发明专利

DE112020005654T5 MOTORANTRIEBSEINRICHTUNG, AUSSENEINHEIT EINER KLIMAANLAGE, DIE DIESE ENTHÄLT, UNDMOTORANTRIEBSSTEUERVERFAHREN 未知
公开(公告)号：DE112020005654T5
公开(公告)日：2022-11-24
申请号：DE112020005654
申请日：2020-10-07
申请人： HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE LTD
发明人： NAKAO NORIYA , TOBARI KAZUAKI , SUGINO TOMOHIRO
IPC分类号： H02P21/05 , F24F1/12
摘要： Es werden eine Motorantriebseinrichtung, eine Außeneinheit einer Klimaanlage mit einer Motorantriebseinrichtung und ein Motorantriebsverfahren, die in der Lage sind, eine Drehmomentpulsation aufgrund einer durch einen Motor verursachten induzierten Spannungsverzerrung und einer durch einen Inverter verursachten Ausgangsspannungsverzerrung wirksam zu verhindern, bereitgestellt. Die Motorantriebseinrichtung enthält eine Leistungswandlungsschaltung, die einem Motor Leistung zuführt, eine Steuereinheit, die die Leistungswandlungsschaltung steuert, und einen Stromsensor, der einen dem Motor zugeführten Dreiphasenstrom ermittelt. Die Steuereinheit enthält eine Sollspannungsberechnungseinheit, die eine zum Antreiben des Motors beitragende Sollspannung berechnet, eine Pulsationsstromermittlungseinheit, die eine erste Komponente und eine zweite Komponente erzeugt, die durch Extrahieren einer Pulsationskomponente einer jeden Komponente basierend auf Komponenten, die durch Trennen eines von dem Stromsensor ermittelten Dreiphasen-Ermittlungsstroms in zueinander orthogonale Komponenten erhalten werden, erhalten werden, eine Drehmomentpulsationkompensationseinheit, die eine erste Kompensationssollspannung zum Kompensieren einer durch eine Struktur des Motors verursachten Drehmomentpulsation basierend auf der ersten Komponente ausgibt,

2. 发明专利

DE102011003307B4 Inverter oder Konverter mit einem Halbleiterleistungsmodul 未知
公开(公告)号：DE102011003307B4
公开(公告)日：2022-11-24
申请号：DE102011003307
申请日：2011-01-28
申请人： HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE LTD
发明人： HORIUCHI KEISUKE , HIYOSHI MICHIAKI , SASAKI KOJI
IPC分类号： H01L23/46 , H01L23/10 , H01L23/473 , H01L25/11
摘要： Inverter oder Konverter mit einem Halbleiterleistungsmodul (110), das einen Gleichstromanschluss (111a, b), einen Wechselstromanschluss (111c) und eine Wärmesenke (4) aufweist, einem Kondensatormodul (200), das durch den Gleichstromanschluss (111a, b) mit dem Halbleiterleistungsmodul (110) verbunden ist, und einem Kühlmantel (101) an einer Unterseite des Halbleiterleistungsmoduls (110), wobeidie Wärmesenke (4) eine mit Lamellen (4b) ausgebildete Basis (4a) umfasst und mit einem Kühlmittel in dem Kühlmantel (101) in Kontakt ist,das Halbleiterleistungsmodul (110) ein isoliertes Substrat umfasst, auf dem mehrere Leistungshalbleiterelemente (2) angebracht sind, wobei das isolierte Substrat und die Wärmesenke (4) mit einer Oberfläche gegenüber einer Oberfläche der mit den Lamellen (4b) ausgebildeten Basis (4a) der Wärmesenke (4) verbunden sind,die Lamellen (4b) an der Unterseite des Halbleiterleistungsmoduls (110) auf eine Weise angebracht sind, dass sie in eine Öffnung (101c) des Kühlmantels (101) eingetaucht sind,das Kondensatormodul (200) und das Halbleiterleistungsmodul (110) auf im Wesentlichen derselben Ebene angeordnet sind, wobei das Kondensatormodul (200) neben dem Halbleiterleistungsmodul (110) angeordnet ist, undder Kühlmantel (101) ein Einlassrohr (101a) und ein Auslassrohr (101b) umfasst,wobei in einer Querschnittsansicht der Wechselstromanschluss (111c) auf einer dem Gleichstromanschluss (111a, b) gegenüberliegenden Seite angeordnet ist und die Wärmesenke (4) unterhalb der Anschlüsse (111a, b, 111c) derart angeordnet ist, dass die Wärmesenke (4) nur zwischen dem Gleichstromanschluss (111a, b) und dem Wechselstromanschluss (111c) vorgesehen ist, und fernereine Stellflächengröße des Kühlmantels (101), auf dem das Halbleiterleistungsmodul (110) angeordnet ist und die nicht die Einlassrohre (101a) und die Auslassrohre (101b) umfasst, gleich groß oder kleiner ist als eine Stellflächengröße des Halbleiterleistungsmoduls (110).

3. 发明专利

DE102021101696B4 HALBLEITEREINRICHTUNGSSIGNALÜBERTRAGUNGSSCHALTUNG ZUR ANTRIEBSSTEUERUNG, VERFAHREN ZUM STEUERN EINER SOLCHEN SCHALTUNG, HALBLEITEREINRICHTUNG, LEISTUNGSUMWANDLUNGSEINRICHTUNG UND ELEKTRISCHES SYSTEM FÜR SCHIENENFAHRZEUG 未知
公开(公告)号：DE102021101696B4
公开(公告)日：2022-11-03
申请号：DE102021101696
申请日：2021-01-26
申请人： HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE LTD
发明人： MASUDA TORU , HAYAKAWA SEIICHI , TAKAYANAGI YUJI , SHIMADA TAKAE , WADA TAKASHI
IPC分类号： H02M1/08 , B60L9/00 , H03K17/06 , H03K17/08
摘要： Halbleitereinrichtungssignalübertragungsschaltung (4, 5) zur Antriebssteuerung, die zwischen eine Halbleitereinrichtung (1, 2), die einen Arm in einer Leistungswandlungseinrichtung bildet, und eine Ansteuerschaltung (3), die dazu ausgebildet ist, die Halbleitereinrichtung anzusteuern, geschaltet ist, wobei die Halbleitereinrichtungssignalübertragungsschaltung zur Antriebssteuerung aufweist:eine Induktivität (11-14); undeine Impedanzschaltung (51-54), die einen Schalter (15-18) enthält und zu der Induktivität parallel geschaltet ist;wobei sich, wenn ein Antriebsarm des Arms eingeschaltet ist, der Schalter in einem Gegenarm des Arms in einem EIN-Zustand befindet und die Impedanzschaltung die Induktivität kurzschließt.

4. 发明专利

DE102021101327A1 GATE-ANSTEUERUNGSVORRICHTUNG, GATE-ANSTEUERUNGSVERFAHREN, LEISTUNGSHALBLEITERMODUL UND STROMWANDLERVORRICHTUNG 未知
公开(公告)号：DE102021101327A1
公开(公告)日：2021-09-23
申请号：DE102021101327
申请日：2021-01-22
申请人： HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE LTD
发明人： IKARASHI DAISUKE , MASUDA TORU , HAYAKAWA SEIICHI , TAKAYANAGI YUJI , INABA MASAMITSU
IPC分类号： H03K17/08 , H02M1/08 , H03K17/06
摘要： Die Erfindung stellt eine Gate-Ansteuerungsvorrichtung, ein Gate-Ansteuerungsverfahren, ein Leistungshalbleitermodul und eine Stromwandlervorrichtung bereit, die in der Lage sind, eine negative Gate-Überspannung zu reduzieren. Die Gate-Ansteuerungsvorrichtung steuert ein Halbleiterbauteil an, das einen Arm in einer Stromwandlervorrichtung bildet. Vor einem Ausschaltbeginn eines Ansteuerungsarms wird in einem Gegenarm die Spannung zwischen einem Hauptanschluss des Halbleiterbauelements und dem Gate-Anschluss des Halbleiterbauelements auf einen Spannungswert geladen, der in einer positiven Richtung größer ist als eine negative Spannung einer negativen Gate-Stromversorgung und kleiner ist als die Gate-Schwellenspannung des Halbleiterbauelements.

5. 发明专利

DE112019001054T5 HALBLEITERVORRICHTUNG UND LEISTUNGSWANDLUNGSVORRICHTUNG 未知
公开(公告)号：DE112019001054T5
公开(公告)日：2020-11-05
申请号：DE112019001054
申请日：2019-02-01
申请人： HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE LTD
发明人： MORI MUTSUHIRO , MIYOSHI TOMOYUKI , FURUKAWA TOMOYASU , SHIRAISHI MASAKI
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/47 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/872
摘要： Die Erfindung sieht eine kostengünstige Schutzdiode mit einem geringen Leistungsverlust vor. Eine Halbleitersubstratseite einer Gate-Elektrode 23, die auf einer Fläche einer Anode 22 eines Silicium aufweisenden Halbleitersubstrats bereitgestellt ist, ist über einen Gate-Isolierfilm 32 von einer p-Schicht 13, einer n-Schicht 14 und einer p-Schicht 15 umgeben. Die Anode 22 steht mit einem geringen Widerstand in Kontakt mit der p-Schicht 15 und steht auch in Kontakt mit der n-Schicht 14 oder der p-Schicht 13, und eine Schottky-Diode ist zwischen der Anode 22 und der n-Schicht 14 oder der p-Schicht 13 ausgebildet.

6. 发明专利

DE112019000544T5 HALBLEITERVORRICHTUNG UND LEISTUNGSWANDLUNGSVORRICHTUNG 未知
公开(公告)号：DE112019000544T5
公开(公告)日：2020-10-08
申请号：DE112019000544
申请日：2019-02-01
申请人： HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE LTD
发明人： MIYOSHI TOMOYUKI , MORI MUTSUHIRO , FURUKAWA TOMOYASU , TAKEUCHI YUJIRO , SHIRAISHI MASAKI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/739 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/872
摘要： Eine Stromschalt-Halbleitervorrichtung, die in einer Leistungswandlungsvorrichtung zu verwenden ist, erreicht sowohl einen geringen Leitungsverlust als auch einen geringen Schaltverlust. Die Halbleitervorrichtung 100 weist den IGBT 51, in dem nur Gc-Gates 92 bereitgestellt sind und die Störstellenkonzentration der p-Kollektorschicht 4A hoch ist, und den IGBT 51, in dem die Gs-Gates 91 und die Gc-Gates 92 bereitgestellt sind und die Störstellenkonzentration der p-Kollektorschicht 4B niedrig ist, auf. Wenn die Halbleitervorrichtung 100 ausgeschaltet wird, geht sie aus einem Zustand, in dem eine Spannung unterhalb einer Schwellenspannung sowohl an die Gs-Gates 91 als auch an die Gc-Gates 92 angelegt ist, in einen Zustand über, in dem eine Spannung, die größer oder gleich der Schwellenspannung ist, an die Gc-Gates angelegt wird, bevor sie an die Gs-Gates 91 angelegt wird.

7. 发明专利

DE112017002270T5 HALBLEITERVORRICHTUNG, HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR EINE HALBLEITERVORRICHTUNG, HALBLEITERMODUL UND LEISTUNGSUMSETZUNGSVORRICHTUNG 未知
公开(公告)号：DE112017002270T5
公开(公告)日：2019-02-14
申请号：DE112017002270
申请日：2017-01-13
申请人： HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE LTD
发明人： KOJIMA KYOKO , MATSUSHIMA HIROYUKI , SUZUKI KAZUHIRO
IPC分类号： H01L23/29 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L29/06 , H01L29/861 , H01L29/868
摘要： In einer Halbleitervorrichtung, die ein Halbleitermaterial mit großem Bandabstand verwendet, das einen Bandabstand größer als den von Silizium aufweist, ist die Zuverlässigkeit der Halbleitervorrichtung durch Erreichen einer Struktur verbessert, in der die elektrische Feldstärke in der Nähe eines äußeren Endabschnitts eines Halbleiterchips abgebaut wird. Eine Seitenfläche des Halbleiterchips CHP1a ist aus einem Gebiet R1, das eine erste Ecke enthält, einem Gebiet R2, das eine zweite Ecke enthält, und einem Gebiet R3, das zwischen dem Gebiet R1 und dem Gebiet R2 eingeschoben ist, gebildet. An diesem Punkt ist in einem Fall, in dem eine minimale Filmdicke eines gegen ein hohes elektrisches Feld beständigen Dichtelements MR in dem Gebiet R3 als t1 definiert ist und eine maximale Filmdicke des gegen ein hohes elektrisches Feld beständigen Dichtelements MR in dem Gebiet R1 als t2 definiert ist, eine Beziehung t2 ≤ 1,5 × t1 erfüllt.

8. 发明专利

DE112016004272T5 ELEKTRISCHER LEISTUNGSWANDLER 未知
公开(公告)号：DE112016004272T5
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：DE112016004272
申请日：2016-10-17
申请人： HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE LTD
发明人： TAKEUCHI YUJIRO , MORI MUTSUHIRO
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/739 , H02M1/08 , H02M7/48 , H03K17/16 , H03K17/567
摘要： Eine Leistungswandlungsvorrichtung (100), die ein Schaltelement (101) und ein Gleichrichtungselement (102), das mit dem Schaltelement (101) in Reihe geschaltet ist, umfasst. Diese Leistungswandlungsvorrichtung (100) hat eine Konfiguration, in der eine externe elektrische Last (103) mit einem Verbindungspunkt des Schaltelements (101) und des Gleichrichtungselements (102) verbunden ist. Das Schaltelement (101) ist aus einem Halbleiterelement mit isoliertem Gate mit einem ersten Gate-Anschluss (105) und einem zweiten Gate-Anschluss (106) gebildet. Das Gleichrichtungselement (102) ist aus einer Diode mit einem Schottky-Übergang unter Verwendung von Siliziumkarbid als eine Halbleiterbasis gebildet. Verschiedene Steuersignale werden an den ersten Gate-Anschluss (105) bzw. den zweiten Gate-Anschluss (106) angelegt.

9. 发明专利

DE112015003757T5 Halbleitervorrichtung sowie Generator und Stromrichtvorrichtung, welche die Halbleitervorrichtung verwenden 未知
公开(公告)号：DE112015003757T5
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：DE112015003757
申请日：2015-08-19
申请人： HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE LTD
发明人： ISHIMARU TETSUYA , ONDA KOHHEI , MORI MUTSUHIRO , KURITA SHINICHI , SUGAYAMA SHIGERU , SAKANO JUNICHI
IPC分类号： H01L25/07 , B60R16/03 , H01L25/11 , H02M7/21
摘要： Bereitgestellt wird eine Halbleitervorrichtung, enthaltend: eine erste Außenelektrode, welche einen runden Außenrandteil enthält; einen MOSFET-Chip; einen Steuerschaltungs-Chip, welcher Spannungen einer Drain-Elektrode und einer Source-Elektrode des MOSFET empfängt und ein Signal zum Steuern des MOSFET-Chips auf der Grundlage der Spannung an eine Gate-Elektrode liefert; eine zweite Außenelektrode, welche bezüglich des MOSFET-Chips auf einer der ersten Außenelektrode entgegengesetzten Seite angeordnet ist und eine Außenanschlussklemme auf einer Mittelachse des runden Außenrandteils der ersten Außenelektrode enthält; und ein Isoliersubstrat, welches den Steuerschaltungs-Chip von der Außenelektrode isoliert. Die erste Außenelektrode, die Drain-Elektrode und die Source-Elektrode des MOSFET-Chips und die zweite Außenelektrode sind so angeordnet, dass sie sich in einer Richtung der Mittelachse überdecken. Die Drain-Elektrode des MOSFET-Chips und die erste Außenelektrode sind verbunden. Die Source-Elektrode des MOSFET-Chips und die zweite Außenelektrode sind verbunden.

10. 发明专利

DE112015003784T5 Halbleiter-Leistungsmodul und Halbleiteransteuerungsvorrichtung 未知
公开(公告)号：DE112015003784T5
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：DE112015003784
申请日：2015-09-10
申请人： HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE LTD
发明人： HORIUCHI KEISUKE , INABA MASAMITSU , SAITO KATSUAKI , KAWASE DAISUKE
IPC分类号： H03K17/08 , H02H3/093 , H02M7/48
摘要： Es wird ein Halbleiterleistungsmodul geschaffen, das einen Überstrom mit einer hohen Genauigkeit detektiert, um ein Halbleiterschaltelement sicher vor Überstrom zu schützen. Das Halbleiterleistungsmodul enthält einen negativen Anschluss (11b), einen positiven Anschluss (11a) und einen IGBT, der eine Emitterelektrode, die mit dem negativen Anschluss (11b) elektrisch verbunden ist, und eine Kollektorelektrode, die mit dem positiven Anschluss (11a) elektrisch verbunden ist, enthält. Eine Eigeninduktivität (L1), die durch den negativen Anschluss (11b) verursacht ist, eine Gegeninduktivität (M12) zwischen dem negativen Anschluss (11b) und dem positiven Anschluss (11a) und eine detektierte Spannung gemäß einer Änderung des Stroms, der zu der Emitterelektrode fließt, werden aus einem Zusatzemitteranschluss (3d) ausgegeben, an dem ein Potential der Emitterelektrode detektiert wird, und aus einem negativen Zusatzanschluss (3f), an dem ein Potential des negativen Anschlusses (11b) detektiert wird, ausgegeben. Die detektierte Spannung wird in einem Überstromschutz des IGBT verwendet, und eine Gegeninduktivität (M12) wird in dem Überstromschutz verwendet.

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