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    • 4. 发明专利
    • ウエーハの生成方法
    • 波形发生方法
    • JP2016197698A
    • 2016-11-24
    • JP2015078028
    • 2015-04-06
    • 株式会社ディスコ
    • 平田 和也高橋 邦充西野 曜子
    • B23K26/53B23K26/042H01L21/304
    • B23K26/0057B23K26/0006B23K26/53B28D5/0011B23K2203/56
    • 【課題】 インゴットから効率よくウエーハを生成することのできるウエーハの生成方法を提供することである。 【解決手段】 六方晶単結晶インゴットからウエーハを生成するウエーハの生成方法であって、六方晶単結晶インゴットに対して透過性を有する波長のレーザービームを照射して、インゴットの表面に平行な改質層及び該改質層から伸長するクラックを形成して分離起点を形成する分離起点形成ステップを含む。分離起点形成ステップは、表面の垂線に対してc軸がオフ角分傾き、表面とc面との間にオフ角が形成される方向と直交する方向にレーザービームの集光点を相対的に移動して直線状の改質層を形成する改質層形成ステップを含む。改質層形成ステップは、レーザービームの偏光面を加工方向に合わせてレーザービームを照射する。 【選択図】図11
    • 要解决的问题:提供一种能够从锭生产晶片的方法。解决方案:一种用于从六边形单晶锭制造晶片的晶片制造方法包括:分离开始点形成步骤,用于施加激光束 具有对六方晶单晶锭的渗透性的波长,以形成平行于锭的表面的重整层和从重整层延伸的裂纹,从而形成分离起始点。 分离起始点形成步骤包括重整层形成步骤,其将激光束的焦点沿垂直于c轴相对于表面垂直方向的方向垂直的方向移动相当于 偏离角度,并且在表面和c面之间形成偏角,由此形成线性重整层。 重整层形成步骤在激光束的偏振面与加工方向一致的同时施加激光束。图11:
    • 5. 发明专利
    • ウエーハの生成方法
    • 波形发生方法
    • JP2016146446A
    • 2016-08-12
    • JP2015023576
    • 2015-02-09
    • 株式会社ディスコ
    • 平田 和也西野 曜子高橋 邦充
    • B23K26/53H01L21/304
    • B23K26/0057B23K26/0006B23K26/032B23K26/0622B23K26/08B23K26/0853B23K26/53B23K26/702B28D5/0011C30B29/36C30B29/406C30B33/06B23K2201/40B23K2203/56
    • 【課題】 インゴットから効率よくウエーハを生成することのできるウエーハの生成方法を提供することである。 【解決手段】 六方晶単結晶インゴットからウエーハを生成するウエーハの生成方法であって、六方晶単結晶インゴットに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点をインゴットの表面から生成するウエーハの厚みに相当する深さに位置付けると共に、該集光点と該六方晶単結晶インゴットとを相対的に移動してレーザービームをインゴットの表面に照射し、表面に平行な改質層及び該改質層からc面に沿って伸長するクラックから成る分離起点を形成する分離起点形成ステップを含む。分離起点形成ステップは、インゴットの走査開始点から走査終了点まで往路及び復路でレーザービームを走査する第1分離起点形成ステップと、走査終了点から走査を開始して往路及び復路で走査開始点までレーザービームを走査する第2分離起点形成ステップとから構成される。 【選択図】図12
    • 要解决的问题:提供一种能够有效地从锭生产晶片的晶片生成方法。解决方案:用于从六边形单晶锭生成晶片的晶片生成方法包括:分离起始点形成步骤, 具有对六方晶单晶锭的渗透性的波长的激光束,其深度等于从晶锭的表面产生的晶片的厚度,通过相对移动凝结点照射激光束的晶锭表面 和六边形单晶锭,形成由与该表面平行的改性层构成的分离起始点和沿着交替表面从修饰层延伸的裂纹。 分离起点形成步骤包括:第一分离起始点形成步骤,扫描从前述路径的激光束和从该锭的扫描开始点到扫描终点的反向路径; 以及第二分离开始点形成步骤,从扫描结束点开始扫描,并将前向路径和后向路径中的激光束扫描到扫描起始点。图12
    • 6. 发明专利
    • ウエーハの生成方法
    • 波形发生方法
    • JP2016111149A
    • 2016-06-20
    • JP2014246228
    • 2014-12-04
    • 株式会社ディスコ
    • 平田 和也高橋 邦充西野 曜子
    • B23K26/08B23K26/53B28D5/04H01L21/304
    • 【課題】インゴットから効率よくウエーハを生成することのできるウエーハの生成方法を提供することである。 【解決手段】六方晶単結晶インゴット11からウエーハを生成するウエーハの生成方法であって、透過性を有する波長のレーザービームの集光点をインゴットの表面11aから、生成するウエーハの厚みに相当する深さに位置づけると共に、相対的に移動して表面に平行な改質層23及び改質層から伸長するクラックを形成して分離起点を形成するステップと、分離起点からウエーハ厚みに相当する板状物をインゴットから剥離してウエーハを生成するステップとを含む。分離起点形成ステップにて所定量インデックスする際、オフ角をαとし、インデックスすべき所定量をLとすると、改質層が形成されたc面に対して隣接して形成される改質層のc面21は、Lsinαの距離ずれた面となっており、距離のずれt1が許容値以内になるようにインデックス量が設定される。 【選択図】図11
    • 要解决的问题:提供能够从铸锭有效地生成晶片的晶片的生成方法。解决方案:用于从六边形单晶锭11生成晶片的生成方法包括:将光聚焦 具有透明度的激光束,其深度对应于从锭的表面11a产生的晶片的厚度,并通过形成分别与该表面平行地移动的改性层23并形成分离起始点 从改性层延伸的裂纹; 以及从晶锭从分离起点剥离与晶片的厚度对应的板状材料,从而形成晶片的步骤。 在分离凝视形成步骤中以预定量进行分度的情况下,当偏角设定为α并且将要被分度的预定量设定为L时,相邻形成的改性层的ac表面21 c表面是以Lsinα的距离移动的表面,并且设定指标量使得距离的移动t1等于或小于容许值。图11
    • 7. 发明专利
    • パッケージ基板の加工方法
    • 封装衬底的处理方法
    • JP2016025282A
    • 2016-02-08
    • JP2014150010
    • 2014-07-23
    • 株式会社ディスコ
    • 相川 力高橋 邦充木村 早希
    • B23K26/351B23K26/00H01L21/301
    • 【課題】パッケージデバイスの品質を低下させることなくパッケージ基板を個々のパッケージデバイスに分割することができるパッケージ基板の加工方法を提供する。 【解決手段】熱拡散基板の表面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された複数の領域にそれぞれデバイスが配置され、該複数のデバイスを樹脂によって被覆したパッケージ基板を分割予定ラインに沿って個々のパッケージデバイスに分割するパッケージ基板の加工方法であって、パッケージ基板の分割予定ラインに沿ってパルスレーザー光線を照射し、複数のデバイスを被覆した樹脂を分割予定ラインに沿って除去することにより熱拡散基板の表面を分割予定ラインに沿って露出させる樹脂除去工程と、樹脂除去工程が実施されたパッケージ基板を分割予定ラインに沿って分割することにより個々のパッケージデバイスを生成するパッケージデバイス生成工程とを含み、樹脂除去工程において照射するパルスレーザー光線は、CO 2 レーザーであり、パルス幅が数μs以下に設定されている。 【選択図】図3
    • 要解决的问题:提供一种封装基板的处理方法,通过该封装基板可以将封装基板分割成封装器件,而不会降低封装器件的质量。解决方案:器件设置在格子形状的多个区域中 热扩散基板的表面并分别由预定的分隔线分隔。 封装基板的处理方法构成为,沿着规定的分割线将包含有树脂的多个器件的封装基板分割成封装器件。 该处理方法包括:树脂去除步骤,沿着预定分割线照射具有脉冲激光束的封装衬底,并且沿着预定分割线除去涂覆多个器件的树脂,从而沿着预定的分隔线暴露热扩散衬底的表面 分界线; 以及包装装置生成步骤,沿着规定的分割线分割实施了树脂去除工序的封装基板,由此生成封装装置。 在树脂去除步骤中照射封装衬底的脉冲激光束是COlaser,其脉冲宽度被设置为等于或小于几μs。选择图:图3
    • 8. 发明专利
    • 加工装置
    • 加工设备
    • JP2015160251A
    • 2015-09-07
    • JP2014034868
    • 2014-02-26
    • 株式会社ディスコ
    • 三浦 修鈴木 将昭高橋 邦充平田 和也木川 有希子
    • B24B53/00
    • 【課題】加工砥石をドレッシングしながら被加工物を加工すること。 【解決手段】本発明の加工装置(1)は、被加工物(W1)を保持するチャックテーブル(2)と、チャックテーブル上の被加工物を加工する加工砥石(34)と、加工砥石の加工面にレーザー光線を照射してドレッシングするドレッシング手段(4)とを備え、被加工物の加工中に、ドレッシング手段によって加工砥石の加工面が被加工物に接触していない箇所に向けて、加工砥石の加工時の回転速度に適した繰返し周波数のレーザー光線を照射する構成にした。 【選択図】図1
    • 要解决的问题:在加工磨石的同时加工工件。解决方案:本发明的处理装置(1)如下构成。 处理装置(1)包括:用于保持工件(W1)的卡盘台(2); 用于在所述卡盘台上加工所述工件的加工磨石(34) 和用于通过将激光束照射到处理砂轮的处理表面进行修整的修整装置(4)。 在处理工件期间,修整装置(4)将处理过程中适用于旋转速度的重复频率的激光束照射到处理砂轮的加工表面的工件表面的不接触工件的位置处。
    • 9. 发明专利
    • ウエーハの加工方法
    • WAFER加工方法
    • JP2015079790A
    • 2015-04-23
    • JP2013214761
    • 2013-10-15
    • 株式会社ディスコ
    • 相川 力高橋 邦充北原 信康藤原 誠司淀 良彰九鬼 潤一
    • B24B27/06H01L21/301
    • H01L21/78H01L21/268H01L21/6836H01L2221/68327
    • 【課題】基板の表面に積層された機能層を分割予定ラインに沿って効率よく除去することができるとともに、機能層が除去されて露出した基板の上面を平滑に形成することができるウエーハの加工方法を提供する。 【解決手段】。基板の表面に積層された機能層によってデバイスが形成されるウエーハを、デバイスを区画する複数の分割予定ラインに沿って分割するウエーハの加工方法であって、分割予定ラインの幅と対応する幅を有するCO 2 レーザー光線のスポットを分割予定ラインの上面に位置付けて分割予定ラインに沿って照射し、分割予定ラインに積層された機能層を除去する機能層除去工程と、機能層除去工程を実施することにより機能層が除去された溝に沿って紫外線領域の波長からなるレーザー光線を溝に沿って照射し、溝に付着しているデブリを除去するとともに溝の側壁を成形する溝成形兼デブリ除去工程と、溝成形兼デブリ除去工程が実施されたウエーハを機能層が除去された溝に沿って切断し、個々のデバイスに分割する分割工程とを含む 【選択図】図6
    • 要解决的问题:提供一种晶片处理方法,其可以沿着预定分割线有效地去除层叠在基板表面上的功能层,并形成基板的上表面,通过去除功能层而使其平滑地露出 解决方案:通过沿着多个调度分割线层压在基板的表面上的功能层从其形成的晶片分割晶片的晶片处理方法包括:功能层去除步骤,定位具有 宽度对应于调度分割线的顶面上的调度分割线的宽度,并且沿着调度分割线施加激光束以去除层叠在预定分割线上的功能层; 凹槽形成和碎屑去除步骤,通过执行功能层去除步骤并形成凹槽的侧壁,沿着通过去除功能层的凹槽照射紫外区域中的波长的激光束; 以及切割经过槽形成和碎屑去除步骤的晶片的划分步骤,沿着去除功能层的凹槽将晶片分成单独的器件。