专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP2017193014A マイクロ流路デバイスの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017193014A
公开(公告)日：2017-10-26
申请号：JP2016084420
申请日：2016-04-20
申请人：株式会社ディスコ
发明人：田畑晋 , 芳野知輝 , 野本朝輝
IPC分类号： G01N37/00 , G01N35/08 , B01J19/00 , B81C3/00
摘要：【課題】基板を無駄にすることなく、マイクロ流の流路構造を容易に変更すること。【解決手段】マイクロ流路デバイスの製造方法であって、ダイボンディングフィルム(13)の一方の面(16)を第1の基板(11)に貼着する工程と、ダイボンディングフィルムにレーザ光線を照射させダイボンディングフィルムにマイクロ流路(15)を形成する工程と、ダイボンディングフィルムの他方の面(17)に第2の基板(12)を貼りつけて第1の基板と第2の基板とを貼り合わせる工程とを有する構成にした。【選択図】図2

2. 发明专利

JP2015204367A 光デバイスウエーハの加工方法审中-公开
标题翻译：光学器件滤波器的处理方法
公开(公告)号：JP2015204367A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：JP2014082902
申请日：2014-04-14
申请人：株式会社ディスコ
发明人：森數洋司 , 小柳将 , 田畑晋 , 服部奈緒
IPC分类号： B23K26/57 , B23K26/36 , H01L33/02 , H01L33/32 , H01L21/20 , H01L21/02
摘要：【課題】エピタキシー基板の裏面を鏡面に加工することなくレーザー光線をエピタキシー基板の裏面から効率よく透過させてバッファー層を破壊することができる光デバイスウエーハの加工方法を提供する。【解決手段】エピタキシー基板の表面にバッファー層を介して光デバイス層が積層された光デバイスウエーハの加工方法であって、光デバイスウエーハの光デバイス層の表面に接合材を介して移設基板を接合する移設基板接合工程と、光デバイスウエーハのエピタキシー基板の裏面側からバッファー層にエピタキシー基板に対しては透過性を有しバッファー層に対しては吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射し、バッファー層を破壊するバッファー層破壊工程と、バッファー層破壊工程を実施した後に、エピタキシー基板を光デバイス層から剥離して光デバイス層を移設基板に移設する光デバイス層移設工程と、を含み、バッファー層破壊工程を実施する前に、エピタキシー基板の裏面にレーザー光線を透過する樹脂を被覆して平坦化する樹脂被覆工程を実施する。【選択図】図6
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够通过从外延基板的背面高效地传输激光而不破坏外延基板的背面而成为反射面的方法来破坏缓冲层的光学器件晶片的处理方法。：通过缓冲层将光学器件层层叠在外延基板的正面上的光学器件晶片的处理方法包括：将转印基板接合到光学器件的正面的转印基板接合工序经由接合材料的光学器件晶片的层; 缓冲层破坏步骤，通过用所述外延基板的具有透射率的脉冲激光束和从所述光学器件晶片的所述外延基板的背面侧对所述缓冲层的吸收率照射所述缓冲层来破坏所述缓冲层; 以及光学器件层转移步骤，在实施缓冲层破坏步骤之后，通过从光学器件层剥离外延衬底，将光学器件层转移到转移衬底。在实施缓冲层破坏步骤之前，通过用激光束透射的树脂涂覆外延基板的背面来实现树脂涂覆步骤来使外延基板的背面平坦化。

3. 发明专利

JP2018088865A マイクロ電極体及びマイクロ電極体の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018088865A
公开(公告)日：2018-06-14
申请号：JP2016234957
申请日：2016-12-02
申请人：株式会社ディスコ
发明人：田畑晋 , 高橋邦充 , 村澤尚樹
IPC分类号： C12M1/34
摘要：【課題】細胞又は微生物の電気特性の検出又はコントロールに支障を来すことがないマイクロ電極体を提供する。【解決手段】電気特性を検出するマイクロ電極体2は、上面に複数の開口6が形成された絶縁性基板4と、複数の開口6のそれぞれに配設された電極パッド10とを備える。電極パッド10には突起電極12が形成されている。突起電極12は、絶縁性基板4に形成された開口6から電極パッド10にレーザー光線を照射して溶融と熱膨張とによって水滴の跳ね返りの如く形成される。【選択図】図1

4. 发明专利

JP2018078166A 切削ブレードの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018078166A
公开(公告)日：2018-05-17
申请号：JP2016218069
申请日：2016-11-08
申请人：株式会社ディスコ
发明人：田畑晋
IPC分类号： B24B27/06 , B24D5/12 , B23K26/364 , H01L21/301
摘要：【課題】Low−k膜に対する切削ブレードの側面接触を少なくして、切削ブレードによるLow−k膜のめくり上げを防止すること。【解決手段】切削ブレード(71)の製造方法は、分割予定ラインによって区画されデバイスを形成したウエーハ(W)を分割予定ラインに沿って切削ブレードを回転させ切削する切削装置(1)に装着する切削ブレードの製造方法である。砥粒と結合剤とを混合させ円板状に形成した円板砥石の外周部において、一方の面側で円周方向に均等間隔に形成する第1の凹み部(71a)と、他方の面側で第1の凹み部と対面して形成する第2の凹み部(71c)とを備え、第1の凹み部と第2の凹み部とは結合剤に対して吸収性波長のレーザ光線を照射させ形成する構成にした。【選択図】図2

5. 发明专利

JP2016016407A レーザー加工装置审中-公开
标题翻译：激光加工设备
公开(公告)号：JP2016016407A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：JP2014138483
申请日：2014-07-04
申请人：株式会社ディスコ
发明人：平田和也 , 田畑晋 , 小柳将 , 村澤尚樹 , 芳野知輝 , 諸徳寺匠
IPC分类号： G01N21/958 , G01M11/00 , B23K26/00
摘要：【課題】製造コストの上昇を抑制しつつ、レーザー光による加工精度を維持すること。【解決手段】集光レンズの良否判定するレンズ判定手段(3)を備え、レンズ判定手段を、基準テーブル(33)と、集光レンズ(23)を検査する検査光を発光する検査光発光部(31)と、検査光発光部から発光される検査光をハーフミラー(32)と、ハーフミラーで分割され、基準テーブル上の第1の板状ミラー(34)で反射した第1の検査光を受光して撮像する撮像素子(361)を有する撮像部(36)と、ハーフミラーで分割された第2の検査光を集光レンズを透過させ、加工テーブル上の第2の板状ミラー(35)で反射した第2の検査光を撮像素子で受光させ、撮像素子が受光する第1の検査光と第2の検査光とによる干渉縞画像によって集光レンズの良否判定する判定部(37)とで構成した。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：通过激光束来保持加工精度，同时抑制制造成本的上升。解决方案：激光加工装置包括透镜确定装置（3），其执行聚光透镜的质量确定，并且透镜确定装置由标准台（33），发出用于检查聚光透镜（23）的检查光的检查光发射部分（31），将检查光发射部分发射的检查光分开的半反射镜（32）和具有摄像元件（361）的图像摄取部（36），其接收由半反射镜分隔并由标准台上的第一平面镜（34）反射的第一检查光，并执行图像拍摄和确定部（ 37），其使聚光透镜转移由半反射镜分开的第二检查光，使得摄像元件接收由第二平面mir反射的第二检查光 ror（35），并且通过第一检查光和由摄像元件接收的第二检查光，根据干涉条纹图像进行聚光透镜的质量判定。图1

6. 发明专利

JP2015144192A リフトオフ方法审中-公开
标题翻译：提升方法
公开(公告)号：JP2015144192A
公开(公告)日：2015-08-06
申请号：JP2014016939
申请日：2014-01-31
申请人：株式会社ディスコ
发明人：森數洋司 , 小柳将 , 田畑晋
IPC分类号： B23K26/57 , C30B33/08 , C30B33/06 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01S5/0216 , H01S5/0217 , H01S5/3013 , G01N21/88 , H01L33/007
摘要：【課題】光デバイスの品質を低下させることなくエピタキシー基板を確実に剥離することができるリフトオフ方法を提供する。【解決手段】エピタキシー基板の表面にバッファー層を介して光デバイス層が積層された光デバイスウエーハの光デバイス層を、移設基板に移し替えるリフトオフ方法であって、光デバイスウエーハの光デバイス層の表面に接合剤を介して移設基板を接合して複合基板を形成する複合基板形成工程と、複合基板のエピタキシー基板の裏面側からバッファー層にエピタキシー基板に対しては透過性を有しバッファー層に対しては吸収性を有する波長のレーザー光線を照射し、バッファー層を破壊するバッファー層破壊工程と、バッファー層破壊工程が実施された複合基板のエピタキシー基板を剥離し、光デバイス層を移設基板に移設する光デバイス層移設工程とを含み、バッファー層破壊工程は、複合基板を加熱してエピタキシー基板と移設基板とに生ずるスプリングバックを緩和させてレーザー光線をバッファー層に照射する。【選択図】図6
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够确实地剥离外延基板而不降低光学器件的质量的剥离方法。解决方案：剥离方法被配置为将转移衬底转移到转移衬底的光学器件层光学器件晶片，其中光学器件层经由缓冲层层压在外延衬底的表面上。剥离方法包括：复合基板形成步骤，通过经由键将所述转印基板与所述光学器件晶片中的所述光学器件层的表面接合而形成复合基板; 通过从复合衬底的外延衬底的背面照射缓冲层，以相对于外延衬底的具有透射率的波长的相对于外延衬底的激光束照射缓冲层并且具有相对于该外延衬底的吸收率来破坏缓冲层的缓冲层破坏步骤缓冲层; 以及通过剥离实施了缓冲层破坏步骤的复合衬底的外延衬底，将光学器件层转移到转移衬底的光学器件层转移步骤。在缓冲层破坏步骤中，缓冲层被激光束照射，同时通过加热复合衬底减轻在外延衬底和转移衬底中产生的弹回。

7. 发明专利

JP6870968B2 マイクロ電極体の製造方法有权
公开(公告)号：JP6870968B2
公开(公告)日：2021-05-12
申请号：JP2016234957
申请日：2016-12-02
申请人：株式会社ディスコ
发明人：田畑晋 , 高橋邦充 , 村澤尚樹
IPC分类号： C12M1/34 , G01N27/30

8. 发明专利

JP2021020242A レーザー加工装置およびレーザー加工方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021020242A
公开(公告)日：2021-02-18
申请号：JP2019139002
申请日：2019-07-29
申请人：株式会社ディスコ
发明人：田畑晋
IPC分类号： B23K26/064 , B23K26/382 , B23K26/00 , B23K26/067
摘要：【課題】レーザービームを用いて厚みの厚い被加工物であっても高品質なレーザー加工が可能であるレーザー加工装置およびレーザー加工方法を提供すること。【解決手段】レーザー加工装置は、被加工物100の表面と裏面とを露出して保持する保持手段4と、レーザービーム照射手段8と、を備える。レーザービーム照射手段8は、レーザー発振器82と、レーザー発振器82から発振されたレーザービーム81を二つに分岐するビーム分岐手段84と、分岐されたレーザービームの一方811を表面に集光する第一の集光レンズ861と、分岐されたレーザービームの他方812を裏面に集光する第二の集光レンズ862と、を有し、分岐された各々のレーザービーム811、812を被加工物100の表面と裏面との同じ位置に位置付けて略同時に集光照射し、被加工物100の表面側および裏面側からレーザー加工を施す。【選択図】図3

9. 发明专利

JP2018065156A レーザ加工装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018065156A
公开(公告)日：2018-04-26
申请号：JP2016204226
申请日：2016-10-18
申请人：株式会社ディスコ
发明人：田畑晋 , 梁仙一
IPC分类号： B23K26/00 , B23K26/12
摘要：【課題】レーザ光線の光路内の硫酸アンモニウムの生成を抑えて、板状ワークを良好に加工すること。【解決手段】レーザ加工装置(1)は、レーザ光線(L)を発振するレーザ発振器(21)と、レーザ光線を集光する集光器(41)と、レーザ発振器と集光器との間に配設される光学部品(51、52、53、54)のうち少なくとも集光器と光学部品とを収容するボックス(61、62)と、ボックス内の既存の気体のアンモニア成分、硫黄成分及び水分のうち少なくとも1つの濃度を低下させる気体を該ボックス内に供給する供給手段(7)とを備え、供給手段は、ボックスに配設する供給口(71、72)と、供給口と気体供給源(81)とを連通する供給管(73、74、77)と、ボックス内から排気する排気口(75、76)とを備え、ボックス内のアンモニア成分、硫黄成分および水分のうち少なくとも1つの濃度を低下させる構成とした。【選択図】図1

10. 发明专利

JP2018056486A マスクの形成方法及びウエーハの加工方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018056486A
公开(公告)日：2018-04-05
申请号：JP2016193732
申请日：2016-09-30
申请人：株式会社ディスコ
发明人：田畑晋 , 芳野知輝 , 山本涼兵 , 諸徳寺匠
IPC分类号： B23K26/38 , H01L21/301
摘要：【課題】エッチングのためのマスクを容易に製造すること。【解決手段】マスクの形成方法は、ウエーハ(W)にテープ(80)を貼着するテープ貼着工程と、テープ貼着工程で貼着したテープに対して吸収性波長のレーザ光線を照射させテープに切り抜き溝(M)を形成する切り抜き溝加工工程と、切り抜き溝加工工程で加工した切り抜き溝に沿ってテープを剥離させ、剥離されないでウエーハに残されたテープがマスクとなるマスク形成工程と、を備える構成にした。【選択図】図4

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式