专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP2020164932A 通電加熱線、通電加熱線の製造方法および真空処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020164932A
公开(公告)日：2020-10-08
申请号：JP2019067053
申请日：2019-03-29
申请人：株式会社アルバック
发明人：山田竜蔵 , 青代信 , 浅利伸 , 齋藤一也 , 中村久三
IPC分类号： C23C16/28 , C23C16/38 , C23C16/44 , C23C16/02
摘要：【課題】高寿命化を図ることができる通電加熱線及びその製造方法並びに通電加熱線を用いた真空処理装置を提供する。【解決手段】本発明の一形態に係る通電加熱線は、芯材と、被覆層と、を具備する。上記芯材は、表面にタンタルの炭化物が形成される。上記被覆層は、表面にタンタルのホウ化物又はホウ素の少なくとも一方が形成され、上記芯材の表面を被覆する。【選択図】図2

2. 发明专利

JP6117550B2 スパッタリング装置の制御方法有权
公开(公告)号：JP6117550B2
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：JP2012282244
申请日：2012-12-26
申请人：株式会社アルバック
发明人：小熊洋介 , 柴山浩司 , 太田淳 , 山田竜蔵 , 藤田勝博 , 大村文彦 , 中村久三
IPC分类号： H01L21/203 , C23C14/34

3. 发明专利

JP5913974B2 有機ELデバイスの製造装置、及び有機ELデバイスの製造方法有权
标题翻译：的有机EL元件的制造装置，以及制造该有机EL器件的方法
公开(公告)号：JP5913974B2
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：JP2011287688
申请日：2011-12-28
申请人：株式会社アルバック
发明人：伊藤正博 , 中村久三
IPC分类号： H01L51/50 , H05B33/10

4. 发明专利

JP5903217B2 マグネトロンスパッタ電極及びスパッタリング装置有权
标题翻译：磁控溅射电极和溅射装置
公开(公告)号：JP5903217B2
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：JP2011065410
申请日：2011-03-24
申请人：株式会社アルバック
发明人：大野遙平 , 倉田敬臣 , 新井真 , 清田淳也 , 石橋暁 , 中村久三
IPC分类号： H01L21/285 , C23C14/35

5. 发明专利

JP6418854B2 水反応性Al合金溶射膜の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP6418854B2
公开(公告)日：2018-11-07
申请号：JP2014181684
申请日：2014-09-05
申请人：株式会社アルバック
发明人：中村亮太 , 森田正 , 虫明克彦 , 中村久三 , 佐々木孝久 , 大石幸司
IPC分类号： C23C14/00 , C23C16/44 , C23C4/129 , B22F1/00 , B22F9/08 , C23C4/06

6. 发明专利

JP2015078440A カソードユニット及びこのカソードユニットを備えたスパッタリング装置审中-公开
标题翻译： CATHODE单元，以及配有CATHODE单元的喷射设备
公开(公告)号：JP2015078440A
公开(公告)日：2015-04-23
申请号：JP2014239392
申请日：2014-11-26
申请人：株式会社アルバック
发明人：森本直樹 , 近藤智保 , 森大介 , 中村久三
IPC分类号： C23C14/35
CPC分类号： C23C14/3407 , C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3414 , H01J37/3423 , H01J37/3435 , H01J37/3452 , H01L21/2855 , H01L21/76843 , H01L21/76873
摘要：【課題】高アスペクト比の各微細ホールに対し被覆性よく成膜できるようにしたカソードユニット及びこのカソードユニットを備えたスパッタリング装置の提供。【解決手段】カソードユニットCは、凹部4が形成されたホルダ3を備え、凹部に有底筒状のターゲット材5が装着され、ターゲット材と同一材料からなるマスク部材でターゲットが凹部から脱離しないようにすると共に、ターゲット材内部の空間5aに磁場を発生させる磁場発生手段7を組み付けて構成される。凹部は、ホルダの全面に亘って同一の開口径で所定の間隔を存して形成され、ホルダの最外に位置する凹部の中心が基板の外周より径方向内側に位置するように定寸されたものである。磁場発生手段が、相互に隣接する各凹部の中心を結ぶ線上で当該凹部の深さ方向に沿って配置される棒状の磁石であり、ホルダのうち凹部が形成された片面と背向する面に、磁石の収容を可能とする収容孔が開設されている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种阴极单元，其能够以优异的可涂布性在高纵横比的每个细孔上沉积膜，以及配备有阴极单元的溅射装置。解决方案：阴极单元C包括保持器3，形成凹部4，其中具有底部的圆柱形目标材料5附接到凹部，通过由与目标材料相同的材料制成的掩模构件来防止目标从凹部脱离，并且磁场产生装置组装了用于在目标材料内部的空间5a中产生磁场的图7所示的磁场。凹部在保持器的整个区域上以预定的间隙形成为相同的开口直径，并且其尺寸使得凹部的中心位于基板的外周的径向内的保持器位置的最外侧部分。磁场产生装置是沿着连接每个相邻凹部的中心的线上的凹部的深度方向布置的棒状磁体，并且能够容纳磁体的容纳孔在保持器的与一个凹槽相对的表面上打开形成有凹部的表面。

7. 发明专利

JP5988619B2 成膜装置、成膜方法有权
标题翻译：成膜装置，成膜方法
公开(公告)号：JP5988619B2
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：JP2012049496
申请日：2012-03-06
申请人：株式会社アルバック
发明人：楊一新 , 中村久三 , 斎藤和彦 , 飯島正行 , 平野裕之
IPC分类号： C23C14/58 , C23C16/54 , H05B33/04 , H01L51/50 , B32B9/00 , B32B27/00 , B32B27/30 , H05B33/10

8. 发明专利

JP2016056396A 水反応性Al合金溶射膜の製造方法、及び成膜室用構成部材审中-公开
标题翻译：水反应铝合金喷雾沉积物的制备方法和薄膜沉积室组成成分
公开(公告)号：JP2016056396A
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：JP2014181684
申请日：2014-09-05
申请人：株式会社アルバック
发明人：中村亮太 , 森田正 , 虫明克彦 , 中村久三 , 佐々木孝久 , 大石幸司
IPC分类号： C23C14/00 , C23C16/44 , C23C4/12 , B22F1/00 , B22F9/08 , C23C4/06
摘要：【課題】水分の存在する雰囲気中で反応して溶解し得るAl−In系又はAl−Bi系からなる溶射用水反応性Al複合材料から水反応性Al合金溶射膜を製造する方法、及びこの得られたAl合金溶射膜で覆われた成膜室用構成部材を提供すること。【解決手段】水と反応して基材から剥離する水反応性Al合金溶射膜の製造方法であって、Al合金を形成する材料を平均粒径50μm以上150μm以下の粉末とし、この粉末を前記基材の表面に対して粉末フレーム溶射して急冷凝固させることにより成膜することからなる。得られた水反応性Al合金溶射膜で成膜室用構成部材を覆う。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种由Al-In族或Al-Bi基组成的喷雾水反应性Al复合材料制造水反应性Al复合喷雾沉积物的方法，该Al-In族或Al-Bi基能够在具有水分含量; 以及用水反应性Al合金喷涂沉积物覆盖的成膜室构成构件。解决方案：制备与水反应以与基底分离的水反应性Al合金喷涂层的方法包括：制备用于形成Al 合金成为平均粒径为50μm〜150μm的粉末，将该粉末喷雾到所述基板的表面，并快速冷却成膜。一个成膜室构成部件被所获得的水反应性Al合金膜覆盖。图1：

9. 发明专利

JP5892694B2 金属化フィルム製造方法有权
标题翻译：金属化膜的制造方法
公开(公告)号：JP5892694B2
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：JP2012006112
申请日：2012-01-16
申请人：株式会社アルバック
发明人：楊一新 , 中村久三 , 森本和幸 , 下村誠 , 林信博 , 平野裕之
IPC分类号： H01G4/30 , H01G4/18

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式